삼성전자는 31일 열린 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 "5세대 V낸드 램프업은 계획대로 잘 되고 있다. 4세대와 비슷하거나 더 좋은 상황이다"라며 "서버 SSD나 모바일향으로는 시간이 걸려 현재 PC를 중심으로 공급하고 있다"고 밝혔다.
이어 "싱글스택은 기본적으로 6세대 제품에도 도입할 수 있도록 할 것"이라며...
낸드는 평택에서 생산하는 64단 3D V낸드를 중심으로 견조한 실적을 달성했다. D램도 10나노급 제품으로 전환을 확대해 원가 경쟁력을 강화하고, 응용처별 고객 요청에 적극 대응해 견조한 실적을 달성했다.
4분기는 부품의 계절적 비수기에 접어들 전망이지만, 낸드의 경우 SSD 시장이 확대되고 모바일용 고용량 제품 수요가 지속될 것으로 전망된다. 그러나...
이 같은 지원 속에서 업계는 1992년 세계 최초 64M D램을 개발해 반도체 역사의 한 획을 그었고 1994년 256M D램 세계최초 개발, 3D V-낸드 세계 최초 양산 등 세계의 주목을 끄는 성과를 냈다.
특히 반도체는 완제품이 아닌 단일 부품임에도 1000억 달러를 돌파했다는 점에서 의미가 크다. 2013년 미국 항공기 1055억 5000만 달러, 2007년 중국 컴퓨터 1056억 2000만...
삼성전자는 17일(현지시각) 미국 실리콘밸리에서 진행한 ‘삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018’에서 서버용 256GB 3DS RDIMM과 엔터프라이즈향 7.68TB 4비트 서버 SSD, 6세대 V낸드 기술 등 차세대 신제품과 신기술을 대거 소개했다.
이번 행사에서 공개된 ‘256GB 3DS RDIMM’은 실리콘 3D 적층 기술을 활용, 연결해 고속으로 동작할 수 있게 만든 서버용 D램...
삼성전자 메모리사업부는 서버용 ‘256GB 3DS RDIMM’과 엔터프라이즈향 7.68TB 4비트 서버 SSD, 6세대 V낸드 기술 등 차세대 신제품과 신기술을 대거 소개했다.
이번 행사에서 세계 최초로 공개된 ‘256GB 3DS RDIMM’은 실리콘 3D 적층 기술을 활용, 연결해 고속으로 동작할 수 있게 만든 서버용 D램 모듈이다. 차세대 초고성능·초고용량 ‘리얼...
삼성전자는 이날 메모리에서는 △세계최초 256GB 3DS RDIMM △기업용 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD △6세대 V낸드 기술 △2세대 Z-SSD 등을 공개했다. 파운드리 사업부에서는 EUV(극자외선) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정(7LPP) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다.
이날 행사에서는 ‘Futurum Research’의 수석 분석가 다니엘 뉴먼(Daniel Newman)이...
삼성전자는 시스템반도체인 ‘엑시노스 오토’, ‘아이소셀 오토’뿐만 아니라 D램과 낸드플래시 등 차량용 메모리 반도체 개발에도 적극적으로 나서고 있다. 지난 2월 세계 최초로 ‘256GB급 자동차용 낸드플래시’ 양산에 성공했고, 4월에는 10nm급 공정을 기반으로 자동차용 ‘16Gb LP DDR4X D램’ 양산을 시작했다. 자동차용 메모리의 경우 주행 중 열이 발생하기...
삼성전자는 시스템반도체인 ‘엑시노스 오토’, ‘아이소셀 오토’뿐만 아니라 D램과 낸드플래시 등 차량용 메모리 반도체 개발에도 적극적으로 나서고 있다. 지난 2월 세계 최초로 ‘256GB급 자동차용 낸드플래시’ 양산에 성공했고, 4월에는 10nm급 공정을 기반으로 자동차용 ‘16Gb LP DDR4X D램’ 양산을 시작했다.
자동차용 메모리의 경우 주행 중 열이...
반도체 분야에서는 2세대 10나노급 D램, 5세대 V낸드 세계최초 양산 등으로 기술 리더십을 확고히 하는 동시에, 시장 선도를 이어가기 위한 대규모 투자도 실시하고 있다.
한편, 인터브랜드가 발표하는 브랜드 가치는 △기업의 재무 성과 △고객의 제품 구매 시 브랜드가 미치는 영향 △브랜드 경쟁력 등을 종합 분석해 평가하고 있다.
신설된 공장에는 72단 3D 낸드플래시와 함께 현재 개발단계인 5세대 96단 낸드플래시도 생산해 해외 업체와 기술 경쟁력 격차를 벌린다는 방침이다.
SK하이닉스 메모리 생산라인은 2005년 가동을 시작한 경기도 이천 M10(D램)을 비롯해 청주 M11·M12(낸드), 이천 M14(D램·낸드)와 중국 우시 C2(D램)에 이어 여섯 곳으로 늘어난다.
최근에는 올해 연말 완공 예정으로...
삼성전자가 1Tb(테라비트) 4비트 V낸드(V4)기반 ‘소비자용 4TB(테라바이트) QLC(쿼드레벨셀) SATA SSD’를 업계 최초로 양산한다고 7일 밝혔다.
2006년 32GB 1비트 SLC(싱글레벨셀) 낸드 기반 SSD를 출시하며 SSD시장을 창출한 삼성전자는 2010년 2비트 MLC(멀티레벨셀) 낸드 기반 SSD, 2012년 3비트 TLC(트리플레벨셀) 낸드기반 SSD를 시장에 선보인 바...
글로벌 반도체 업체들이 96단(5세대) 3D낸드 시장 선점에 나섰다. 향후 강력한 경쟁자인 중국과의 격차를 벌리고, 낸드 시장 우위를 점하기 위한 행보로 풀이된다.
6일 업계에 따르면 낸드플래시 시장에서 주요 반도체 기업들이 96단 3D낸드를 개발, 양산하기 위해 박차를 가하고 있다. 96단 3D낸드는 기존의 64단, 72단 3D낸드보다 더 여러 겹으로 반도체...
제품별로 살펴보면 낸드는 스마트폰 고용량화 추세와 클라우드 인프라 확대로 서버용 SSD 수요가 지속적으로 증가했다. 삼성전자는 평택에서 생산하는 64단 3D V낸드의 안정적 공급을 바탕으로 신규 모바일 모델과 서버용 SSD의 수요 대응에 주력해 견조한 실적을 달성했다.
D램의 경우 서버와 데이터센터, 그래픽 수요 증가 등으로 메모리 탑재량 상향...
삼성전자가 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스를 적용해 업계 최고 속도를 구현한 ‘256Gb(기가비트) 5세대 V낸드’를 본격 양산한다.
삼성전자는 ‘5세대 V낸드’ 에 자체 개발한 3대 혁신 기술을 이용해 ‘3차원 CTF 셀’을 90단 이상 쌓아 세계 최고 적층기술을 상용화했다고 10일 밝혔다. ‘5세대 V낸드’는 차세대 낸드 인터페이스 ‘Toggle DDR 4.0 규격’을...
삼성전자는 ‘4세대 512Gb V낸드’와 소비자용 SSD ‘860 EVO 4TB’ 두 제품에 대해 환경부로부터 ‘환경성적표지’ 인증을 획득했다고 28일 밝혔다.
‘환경성적표지(EPD, Environmental Product Declaration)’제도는 제품의 생산 전 과정을 투명하게 측정해서 제품 및 서비스가 환경에 미치는 영향을 수치화해 표시하는 국가 인증제도다.
삼성전자의 ‘4세대...
지난 1월 2018 CES 혁신상을 수상한 이 제품에는 4세대 256Gb 3bit V낸드를 16단으로 적층한 512GB 패키지 16개가 탑재돼 초소형 스토리지 규격(NGSFF)으로 역대 최대 용량인 8TB를 구현했다.
기존 2.5인치 SSD로 구성된 시스템을 '8TB NF1 NVMe SSD'로 대체하면 동일 시스템 공간에서 저장용량을 3배로 높일 수 있어 최신 랙서버(2U)에 576TB의 메모리를 탑재할...
삼성전자는 'PRO Endurance' 시리즈에 64단 256Gb(기가비트) MLC V낸드와 전용 컨트롤러, 펌웨어 등 최적의 솔루션을 적용해 기존 제품보다 수명을 획기적으로 늘림으로써 사용자의 편의를 높이고 카드 구입비용도 절감할 수 있게 했다.
'PRO Endurance'는 128GB(기가바이트) 제품 기준으로 풀HD 영상으로 촬영시 업계 최장인 5년(4만3800시간)을 제공한다. 기존 약...
낸드는 모바일용 수요가 둔화됐지만, 클라우드 인프라 확대에 따른 고용량 솔루션 제품들의 수요 견조세가 지속됐다. 삼성전자는 64단 3D V낸드의 안정적 공급을 바탕으로 고용량 고부가 솔루션 판매에 주력해 견조한 실적을 달성했다.
D램의 경우 삼성전자는 11라인의 생산 제품 전환으로 전분기 대비 D램 출하량은 감소했지만, 32GB이상 고용량 서버 D램과 저전력...
특히 '970 PRO·EVO'는 삼성전자의 최신 64단 V낸드, Phoenix 컨트롤러, 초고속 모바일 D램(LPDDR4) 등 최첨단 반도체와 최적화된 펌웨어를 탑재해 NVMe SSD의 장점을 극대화했다.
'970 PRO·EVO'는 연속 읽기·쓰기 속도 최대 3500 MB/s·2700 MB/s로 최고 수준의 성능과 전력효율성을 구현했으며, SSD의 수명을 가늠할 수 있는 수치인 TBW(Total bytes Written...
삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하기 위해 중국 시안 반도체 2기 라인 건설에 돌입했다.
삼성전자는 28일 중국 산시성 시안시에서 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석한 가운데 ‘삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식’을...