3차원 TSV(실리콘관통전극) 적층 기술을 적용해 최대 용량과 초절전 특성을 동시에 구현했다.
삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 ‘64GB DDR4 D램 모듈’ 양산에 성공, 3차원 D램 시장을 창출한데 이어 ‘128GB 서버용(RDIMM) D램 모듈’ 양산을 본격화했다고 26일 밝혔다.
TSV 기술은 D램 칩을 일반종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 후, 수백 개의 미세한 구멍을...
이밖에 쎄미시스코는 중국 정품인증사업과 인쇄전자 솔루션, 반도체 실리콘관통전극 (TSV)검사 솔루션, 민간주도형 창업지원 국책사업(TIPS)운용사 신청 등 중장기 신성장동력 사업도 확충하고 있다.
한솔신텍은 4분기 실적 개선 전망에 전 거래일 대비 29.83%(525원) 오른 2285원에 상한가를 기록했다.
교보증권은 한솔신텍 대해 “RPS(신재생에너지...
메이커인 BOE에서만 4개의신규공장을 동시에 추진 중이며, 티안마, 차이나스타, 에버디스플레이, GVO(GoVisionox) 등 기타 고객사들도 신규공장을 추진하고 있다.
이 밖에 쎄미시스코는 중국 정품인증사업과 인쇄전자 솔루션, 반도체 실리콘관통전극 (TSV)검사 솔루션, 민간주도형 창업지원 국책사업(TIPS)운용사 신청 등 중장기 신성장동력 사업도 확충하고 있다.
또 중국 정품인증사업과 인쇄전자 솔루션, 반도체 실리콘관통전극 (TSV)검사 솔루션, 민간주도형 창업지원 국책사업(TIPS)운용사 신청 등 중장기 신성장동력 사업도 확충하고 있다.
이순종 쎄미시스코 대표는 23일 오후 한국거래소 금융교육원에서 기업설명회를 열고 “중국 디스플레이 업계가 대규모 투자에 나서고 있다”며 “내년 상반기 정도면 발주가 나오기...
이날 전자신문은 기가레인이 지난해 말 12인치 TSV 식각장비 ‘딥 실리콘 에치’를 개발한 데 이어 8인치용 장비를 시장에 보급한다고 보도했다. 특히 이 매체는 기가레인이 지난 1년간 대기업과 공동 개발해 양산 인증(퀄리피케이션)을 통과했다고 전했다.
기가레인은 8인치 양산 장비가 대기업 양산인증을 통과함에 따라 국내 대학과 연구소를 중심으로 보급을...
더불어 제조 운영 효율화로 고객 적시 대응체계를 더욱 강화하고 세계 최초로 선보인 최대용량 128GB DDR4 모듈 라인업과 TSV 기반 차세대 HBM 제품 등을 통해 기술경쟁력을 입증했다.
한편, SK하이닉스는 지난해 연결기준 매출 17조1000억원, 영업이익 5조1000억원의 실적을 거두며 2013년에 이어 사상 최대의 실적을 기록했다.
부품 분야에서는 ‘CES 혁신상’을 받은 초고속·초절전 4GB LPDDR4 모바일 D램을 비롯해 3차원 실리콘 관통전극(TSV) 기술을 적용한 64GB DDR4 서버용 D램 모듈, 업계 최고 수준의 성능과 세련된 디자인의 ‘850 PRO’ 솔리드스테이트드라이브(SSD), 명함보다 작으면서 1TB 대용량을 저장하는 휴대형 ‘T1’SSD를 각각 전시한다.
라스베이거스(미국)=김지영 기자 gutjy@
3차원 적층(3D TSV) 기술을 적용해 DDR3 대비 소비전력을 50% 이상 낮춘 64GB 서버용 DDR4 D램 모듈, ‘에코 드라이브’ 기능으로 20% 이상 에너지를 절감한 프린터와 복합기, 고효율 제품 인증 기준인 ‘에너지스타 4.1 버전’을 취득한 인버터 ‘트라이앵글 벽걸이 에어컨’ 등이 수상제품으로 결정됐다.
CEA가 지난 1976년에 만든 CES 혁신상은 CES에 출품하는 제품을...
SK하이닉스는 지난해 12월과 올해 4월 업계 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술을 기반으로 한 초고속 메모리 HBM과 128GB 서버용 모듈을 개발해 상품화를 진행 중이다.
또한 지난달에는 업계 최초로 차세대 ‘와이드 IO2 모바일 D램’을 개발했다. 현재 주요 SoC(시스템 온 칩) 업체에 샘플을 공급한 상태로 내년 하반기 양산에 돌입, 고성능 모바일 D램 시장 공략을...
세계 최초로 3차원 TSV(실리콘관통전극) 적층 기술을 적용한 64GB 차세대 DDR4 서버용 D램 모듈을 양산하기 시작한 것. TSV는 기존 금선을 이용한 패키징 방식에 비해 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다.
낸드플래시의 경우 차세대 메모리반도체인, 셀을 수직으로 쌓은 3차원 V낸드를 지난해부터 세계에서 유일하게 생산 중이다. 업계에 따르면 메모리반도체...
또한 기존 4Gb 제품 기반으로는 최대 64Gb 용량의 모듈만 가능하지만 이번 8Gb D램과 지난 8월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 실리콘관통전극(TSV) 기술을 접목함으로써 최대 128GB 모듈을 공급할 수 있게 됐다.
TSV는 상단 칩과 하단 칩에 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술로, 기존 방식(와이어)에 비해 속도...
또한 TSV Interposer 생산업체인 이피웍스를 인수하며 TSV 시장 진출에도 속도를 내고 있다. SK하이닉스의 HBM DRAM은 2.5D IC에 초점을 맞추고 있고 TSMC 등을 포함한 Logic Chip 업체들도 2.5D IC를 적용하고 있어 Interposer 수요 확대에 따른 수혜도 예상된다.
키움증권에서는 하나마이크론의 올해 매출액은 전년대비 6.76% 늘어난 2969억원, 영업이익은...
텅스텐 CMP장비의 경우, 차세대 제품인 3D낸드나 TSV공정에 더 많이 쓰일 것으로 보여 앞으로 전망이 밝다는 분석이다.
특히 케이씨텍은 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 증산 수혜를 볼 전망이다.
삼성전자 메모리사업부 백지호 상무는 지난 2분기 기업설명회(IR)에서 “17라인은 D램 생산을 위해 검토 중이며 1단계부터 점차 확장해나갈 것”이라며 “이후 시장...
저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다”고 말했다.
한편, SK하이닉스는 작년 12월과 올해 4월에 업계 최초로 TSV 기술 기반의 HBM과 128GB 서버용 모듈을 개발해 고객과 상품화를 진행 중이다. 회사 측은 이번 TSV 기술 적용이 가능한 와이드 IO2 제품 개발로 TSV 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것으로 기대하고 있다.
삼성전자가 세계 최초로 3차원 ‘TSV(실리콘관통전극)’ 적층 기술을 적용한 64GB 차세대 DDR4 서버용 D램 모듈 양산을 시작했다고 27일 밝혔다
이번 64GB DDR4 D램 모듈은 20나노급 4Gb D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품이다. 최첨단 3차원 TSV 기술로 4Gb(기가비트) D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했다.
TSV란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게...
삼성전자가 차세대 반도체 패키징 기술로 각광받는 3D-TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통전극) 공법을 적용한 반도체 양산을 이르면 다음달부터 개시한다. 지난 2011년 8월 TSV 기술 개발을 완료한 이후 3년만이다.
14일 관련업계에 따르면, 삼성전자는 조속한 시점에 장비 도입을 마무리짓고 이르면 8월부터 TSV 공법을 적용한 D램 반도체의 양산에 돌입한다.
TSV는...
[루머속살] 삼성전자를 비롯 전 세계 반도체 업체들이 박차를 가하고 있는 TSV(Through Silicon Via : 실리콘관통전극) 기술에 사용되는 식간(DRIE) 장비를 기가레인이 국내 최초로 공급하게 될 전망이다.
2일 관련업계 관계자는 “기가레인이 8인치 TSV DRIE 장비를 개발해 테스트 중”이라며 “이르면 내달부터 공급에 들어갈 수 있을 것”이라고 전했다.
TSV는...