SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)를 만들기 위한 필수 공정 실리콘관통전극(TSV) 생산 능력을 2배 확대 한다는 소식에 와이씨켐(구 영창케미칼)이 상승세다.
와이씨켐은 TSV 슬러리 개발을 완료하고 양산 라인 평가를 통과했다.
25일 오전 11시 23분 현재 와이씨켐은 전일대비 690원(6.12%) 상승한 1만1960원에 거래 중이다.
최근 SK하이닉스는 HBM 등 인공지능...
ASML과 세계 3대 반도체 장비 업체인 램리서치는 HBM용 TSV 장비, 웨이퍼 식각 베벨 에치등을 독점 공급해왔다.
피에스케이는 지난해 메모리 반도체 수요감소의 직격탄을 맞았다. 지난해 3분기 매출액 2431억 원으로 전년도 3700억 원에 비해 35% 감소했고, 영업이익도 918억 원에서 381억 원으로 절반 이하로 감소했다.
전방 산업의 위축에 따른 투자 감소가 이유였다고...
SK하이닉스는 △세계 최고이자 현재 전세계 가장 많은 AI 고객들이 사용 중인 HBM3/3E △최고 용량 서버용 메모리인 하이 캐파시티(High Capacity) TSV DIMM △세계 최고속 모바일 메모리인 LPDDR5T △세계 최고의 퍼포먼스(Performance) 메모리인 DIMM까지 다양한 초고성능 제품을 시장과 산업에 공급하고 있다.
이를 통해 SK하이닉스는 AGI, 데이터센터, 모바일...
HBM은 기존 D램과 달리 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 높은 대역폭을 제공함으로써 이를 가능하게 한다. TSV는 층층이 쌓인 반도체에 미세한 구멍을 뚫어 서로 연결하는 패키징 기술이다. 전기적 신호가 직접 전달돼 전송 속도가 빠르고, 저전력으로 많은 양의 데이터를 처리할 수 있다.
삼성전자와 SK하이닉스는 현재 HBM 시장을 양분하고 있을 정도로...
김동원 KB증권 연구원 “HBM은 패키징 공정기술과 실리콘관통전극(TSV) 공정 난도가 높아 개발과 실제 양산은 별개의 이슈로 판단돼 내년 마이크론은 HBM3E 실제 양산 후 수율 확보와 양산 경쟁력 확보가 관건이 될 전망”이라며 “따라서 내년 HBM 시장은 기술 경쟁력을 갖춘 업체가 이익을 가져가는 승자독식 구조 가능성이 높다”고 분석했다.
현재 HBM 양산에 필요한 실리콘관통전극(TSV) 본딩, 웨이퍼서포팅시스템(WSS) 등의 장비 발주를 시작했다. 인근 M15X 공장도 2025년 완공을 목표로 건설 중인데 이곳에서도 HBM을 생산할 것으로 보인다.
AMD가 최근 최신 AI 반도체 출시를 알리면서 우리 기업들의 HBM 공급도 크게 늘어날 전망이다. 그동안 AI 반도체 시장을 주도했던 엔비디아와 경쟁할 새로운...
D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 실리콘관통전극(TSV)에 대한 투자를 확대한다고 밝혔다.
정춘석 SK하이닉스 PL은 25일 열린 ‘반도체대전 2023’ 행사장에서 “HBM은 2014년 첫 제품이 나온 이래, 과거에도 이렇게 핫한 디바이스가 있었나 싶을 정도로 시장에서 주목받고 있다”며 “2026년에는 6세대인 HBM4 양산을 목표로...
회사는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다.
김우현 SK하이닉스 부사장은 “고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을...
◇기술 집약의 완성체…DDR5 D램
삼성전자는 DDR5 탄생의 배경에 관해 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정과 ‘TSV(Through-Silicon Via)’ 공정을 꼽았다.
HKMG 공정은 반도체 제조 과정에서 고저유전체 절연 물질과 금속 게이트를 활용해 더 미세하고 효율적인 전자 회로를 만들고, 전력 소비를 줄이는 데에 도움을 주는 기술이다.
메모리는 전하를 저장하는 셀로...
에스티아이가 수주한 플럭스 크리너 장비는 반도체 패키지 공정 3D-TSV 기술 즉 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 1/20 수준인 수 마이크로(um) 직경의 패키징 기술과 신기술 반도체 범프(Bump)및 플리칩(Flip Chip) 리플로우 공정 후 잔류하는 플럭스를 제거 하는 세정 장비이다.
회사 관계자는 “이번 플럭스 크리너장비는 기존 세정 방식과 달리 오픈된 기판...
HBM은 여러 D램을 수직으로 쌓아 수백~수천 개의 구멍을 뚫어 상단과 하단의 칩을 연결하는 첨단 패키징인 실리콘관통전극(TSV) 기술이 핵심이다. 업계 다른 관계자는 “제품 성능을 좌우하는 패키징 기술이 곧 경쟁력”이라고 설명했다.
삼성전자, SK하이닉스는 패키징 기술 개발 및 인프라 구축에 상당한 공을 들이고 있다.
삼성전자는 지난해에 이어 올해에도...
128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘 관통전극(TSV) 공정없이도 제작 가능하게 됐다. TSV 공정은 칩을 얇게 간 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작 시 TSV 공정 사용이 필수였다.
삼성전자는 같은 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을...
HBM을 생산하기 위해서는 △적층된 칩을 수직으로 관통하는 TSV(Through Silicon Via) 공정 △칩과 칩을 접착하는 본딩 공정 △본딩 후 사이 공간을 절연수지로 채우고 경화하는 언더필(Under Fill) 공정이 핵심으로 꼽힌다.
이중 언더필 공정은 적층된 칩을 충격, 온도변화, 습도, 먼지 등 외부 환경으로부터 손상을 예방할 뿐 아니라 다층 적층에 따른 Warpage(뒤틀림)도...
이어 “한미반도체는 반도체 다이를 서로 붙여주는 실리콘관통전극(TSV)용 TC 본더(Bonder) 등의 장비를 제조한다”며 “최근 인공지능 연산에 필수적인 고성능 GPU에 동반되는 HBM(High Bandwidth Memory)를 붙여주는 본딩 장비도 제조해서 고객사에 납품 중”이라고 덧붙였다.
올해 하반기엔 실적 회복을 예상했다. 머신러닝 연산에 가장 많이 사용되는 Nvidia의...
특히 HBM에 대한 SK 하이닉스의 높은 경쟁력에 주목할 것을 조언했다. AI에 대한 업계 수혜는 현실이 되고 있으며, 현재 HBM3 납품이 가능한 업체는 SK 하이닉스가 유일하다는 평가다.
한 연구원은 “높은 성장성, 수직관통전극(TSV)의 높은 난이도에 따른 제한적 공급자를 감안하면 수주형 비즈니스 또는 높은 프리미엄을 기대할 수 있다”고 강조했다.
아울러 그는 “어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 시장은 2023년 15억달러에서 2027년 25억달러로 성장할 것으로 딥러닝 구현을 위한 AI GPU와 관련된 HBM 수요는 더욱 증가하고 있으며, SK하이닉스 역시 지난 4월 20일 TSV 기술을 적용한 12단 적층 구조의 24GB(기가바이트)의 HBM3를 출시했다”면서 “SK하이닉스의 HBM 글로벌 시장 점유율은 2022년 50%에서 2023년...
어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했고, 또 TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다고 회사는 전했다.
SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목을...
이어 도 연구원은 “HBM1 용 본딩 장비를 대량 주문한 고객사가 HBM3으로 업그레이드 장비 구매를 고려하는 것으로 파악되어 기존 2024년 관련 매출 추정 212억 원을 716억 원으로 조정했다”면서 “인공지능 연산 시장을 95% 수준 점유하고 있는 Nvidia의 H100 연산 프로세서는 HBM3을 탑재하고 있으며, HBM3은 TSV(Through Silicon Vias) 공정을 통해 12개의 DRAM 다이를...
현재 반도체 플립칩 패키지의 납땜 등 외부 결함은 산업용 카메라(광학식 카메라) 기반의 비젼 검사로 일부 가능하나 패키지 내부, 플립칩 범프 내부의 결함인 기공(void) 검사, 다층으로 스택된 구조의 고대역폭 메모리(HBM)에 많이 사용되는 TSV 결함은 광학식 카메라를 사용한 검사가 불가능한 것으로 알려져 있다.
또한 자비스의 배터리 검사장비는 국내...