삼성전자, 세계 최초 20나노 8Gb DDR4 서버 D램 양산

PCㆍ모바일ㆍ서버용까지 20나노 D램 풀라인업 구축

▲삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 20나노 8Gb DDR4 서버 D램.(사진제공=삼성전자)

삼성전자가 PC·모바일에 이어 서버용까지 20나노 D램 풀라인업을 구축했다.

삼성전자는 세계 최초로 20나노 8Gb DDR4 서버 D램 양산에 성공했다고 21일 밝혔다. 20나노 8Gb DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 중앙처리장치(CPU) 출시에 맞춰 양산을 시작한 차세대 제품으로, 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램 제품이다.

삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 현재까지 유일하게 20나노 제품을 양산하고 있다. 지난 9월 모바일 D램에 이어 이번에 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용하며 ‘20나노 D램 시대’를 주도할 풀 라인업을 구축했다.

20나노 8Gb D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2V로 DDR3의 1.5V보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮다. 또한 기존 4Gb 제품 기반으로는 최대 64Gb 용량의 모듈만 가능하지만 이번 8Gb D램과 지난 8월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 실리콘관통전극(TSV) 기술을 접목함으로써 최대 128GB 모듈을 공급할 수 있게 됐다.

TSV는 상단 칩과 하단 칩에 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술로, 기존 방식(와이어)에 비해 속도, 소비전력을 개선할 수 있다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 백지호 상무는 “이번 20나노 8Gb DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요

요소인 고성능, 고용량, 저전력 특성을 모두 만족시킨 제품”이라며 “향후 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 향후 PC용은 생산 효율이 높은 4Gb, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6Gb, 서버용은 고용량의 8Gb D램 등 응용처에 따라 최적화된 다양한 용량의 제품을 통해 차별화함으로써 D램 시장을 이끌어 갈 계획이다.