곽민정 현대차증권 연구원은 27일 “반도체 업계에서 가장 화두가 되고 있는 것은 Chiplet과 챗GPT”라며 “이를 구현하기 위한 advanced packaging을 통한 성능과 효율성 개선을 위해 HBM, PIM-HBM이 요구되며 이에 따라 동사의 TSV-TC 본더와 같은 고성능 장비에 대한 수요가 증가할 것으로 예상한다”고 분석했다.
곽 연구원은 “올해 1분기 전방 대만...
이어 “한미반도체는 반도체 다이를 서로 붙여주는 TSV/TC Bonder 등의 장비를 제조하고 있다”며 “최근 인공지능 연산에 필수적인 고성능 GPU에 동반되는 HBM(High Bandwidth Memory)를 붙여주는 본딩 장비도 제조해서 고객사에 납품 중”이라고 덧붙였다.
특히 머신러닝 연산에 가장 많이 사용되는 엔비디아(Nvidia)의 최신 고성능 제품 H100에 HBM3이 적용...
메모리 반도체 사업에선 EUV(극자외선)와 HKMG 등 시스템 반도체 기술을 들여온 것, 패키지(후공정) 부문에선 EMIB 등의 2.5D 기술, 실리콘관통전극(TSV)을 활용한 3D 기술 제품화에 성공한 점, 시스템 반도체 사업에서도 게이트올어라운드(GAA)와 같은 새 트랜지스터를 개발했다는 점 등을 예로 들었다.
이러한 기술은 전력 소모를 획기적으로 줄이고 전체적인 제품 성능을...
이를 위해 3차원 플래시 적층 기술과 고성능 D램에 적용되는 TSV(실리콘관통전극)를 통한 3차원 패키징 등 최첨단 반도체 기술의 활용을 제안했다.
이번 연구는 학계와 업계의 기술 리더들이 참여해 신경 과학과 메모리 기술을 접목, 차세대 인공지능 반도체에 대한 비전을 보였다는 점에도 의의가 있다고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자 종합기술원 함돈희 펠로우는...
HBM은 3차원 적층 기술인 실리콘관통전극(TSV)을 활용해 D램을 수직으로 쌓은 메모리를 뜻한다.
이러한 연장선에서 회사 측은 현재 또 다른 패키징 기술인 팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키지(FO-WLP)와 관련한 경력 인력도 모집 중이다. TSV, FO-WLP 등은 대표적인 최첨단 패키징 기술이다.
기술 개발과 더불어, 자체 생산기지 움직임도 활발하다. 이미 후공정 분야에서 상당한...
HBM은 3차원 적층 기술인 실리콘관통전극(TSV)를 활용해 D램을 수직으로 쌓은 메모리를 뜻한다. 패키지 면적을 줄이면서도 전송 속도를 높였다는 점이 특징이다. 단시간에 대용량 데이터를 처리할 수 있다는 점에서 인공지능(AI), 슈퍼컴퓨터, 고성능 서버 등의 분야에 주로 쓰인다.
시장에서 매출 비중이 크진 않지만, 고부가 기술이 탑재됐다는 점에서...
범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술이 적용된 점도 특징이다. TSV는 차세대 후공정 기술 중 하나로, 메모리 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 복수의 칩을 적층하는 방식이다. 이 역시 반도체의 고성능ㆍ저전력이 가능하도록 돕는다.
DDR5 시장은 지난해 7월 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 DDR5의 표준 규격을 공식적으로...
또한, 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐다.
삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.
삼성전자는 2014년 세계최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량...
이 기술은 반도체를 적층하는 과정에서 와이어를 이용해 칩을 연결하는 대신, 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용한다. 이를 통해 데이터 처리속도를 획기적으로 향상했고, 전력 효율도 높였다는 것이 특징이다.
다만 삼성전자의 경우 TSMC처럼 자체 후공정 팹을 만들지는 않았다. 대신 세계 2위...
김 부사장은 CTF기반 96단 512Gb 4D 낸드플래시, TSV 기술 기반의 HBM 및 최고속 HBM2E 기술 개발이 수상 이유로 꼽힌다.
이밖에도 반도체 재료 국산화 및 신기술 개발 등을 통해 경쟁력 확보에 기여한 솔브레인 박휴범 전무, 카메라 센서 분야 등 신기술 개발을 통한 시장 개척에 기여한 삼성전자 이경호 수석이 산업포장을 수상했다.
대통령 표창은 라온텍 김보은...
또 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 시스템반도체의 데이터 처리속도를 획기적으로 향상 시킬 수 있고, 전력 효율도 높일 수 있다.
TSV 기술은 와이어를 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다. 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다.
이 외에도 위아래 칩의 데이터 통신...
용량도 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다.
초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 적용될 예정이다.
기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할...
삼성전자는 16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만 개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'을 이 제품에 적용했다.
특히 이 제품은 '신호전송 최적화 회로 설계'를 활용해 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트의 속도로 410기가바이트의 데이터를 처리한다. 풀HD(5기가바이트) 영화 82편을 1초에...
삼성전자는 16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'을 이 제품에 적용했다.
특히 이 제품은 '신호전송 최적화 회로 설계'를 활용해 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트의 속도로 410기가바이트의 데이터를 처리한다. 풀HD(5기가바이트) 영화 82편을 1초에...
삼성전자가 최첨단 반도체 패키징 기술인 ‘12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)’ 기술을 최초로 개발했다고 7일 발표했다. 곧 이 기술을 적용한 업계 최대 용량의 24GB급 대용량 고대역폭 메모리(HBM) 제품의 양산에 들어갈 예정이다.
기존에는 D램 칩을 쌓을 때 와이어로 연결하지만, 새 기술은 칩에 머리카락 굵기 20분의 1 수준인 미세 전자통로를 뚫어 연결하는...
삼성잔자는 업계 최초로 '12단 3D-TSV(3차원 실리콘 관통전극)' 기술을 개발했다고 7일 밝혔다.
'12단 3D-TSV'는 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의 1수준인 수 마이크로미터 직경의 전자 이동 통로(TSV) 6만개를 만들어 오차 없이 연결하는 첨단 패키징 기술이다.
이 기술은 종이(100㎛)의 절반...
SK하이닉스가 세계 최초로 출시했던 HBM(고대역폭메모리) D램은 3차원 적층 기술인 TSV(실리콘관통적극)를 활용해 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품이다.
HBM D램의 차세대 제품인 HBM2E D램은 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.
1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte(기가바이트)의 데이터를 처리해 풀HD급 영화...
HBM(고대역폭메모리)은 3차원 적층 기술인 TSV(실리콘관통적극)를 활용해 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품이다.
HBM D램의 차세대 제품인 HBM2E는 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.
1024개의 정보 출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte(기가바이트)의 데이터를 처리해, 풀HD급 영화 124편 분량의 데이터를 1초 만에...
이에 따라 ‘오늘의 특선 상품(Today’s Special Value∙TSV)’에 선정, 올 하반기 텀블러 12만 개를 선보이게 된다.
락앤락이 유럽 QVC에서 텀블러 TSV를 수주한 것은 처음이다. 현재 독일을 비롯한 락앤락 유럽 매출의 대부분이 플라스틱 밀폐용기에서 발생하고, 50% 가량이 독일 QVC에서 나오는 만큼 향후 유럽 시장의 규모가 확대될 것으로 기대된다.
이번에 TSV에...