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반도체 종합 강국 실현한다…R&D 최대 50%, 시설투자 20% 세액공제

실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 차세대 반도체 초기시장 선점을 위해 민간수요 기반의 조기 상용화 R&D를 추진한다. 차세대 전력 반도체, AI 반도체, 첨단 센서 등에 1조 5000억 원 이상의 신규 R&D를 진행하며 10년간 1조 원을 지원하는 차세대 지능형 반도체 기술개발에도 나선다. 위기대응 강화를 위해 반도체 특별법 입법 방향을 논의하고...

2021-05-13 15:00
오늘의 증시 리포트(5/3)

사상 최대치 경신 2Q21 영업이익, 전분기대비 +28% 추가 개선 전망 중국 Huafon 대비 할인폭 완전 축소해 TP 상향 윤재성 하나금융투자 에이프로 2차전지 제조 핵심 장비로 올해부터 실적 폭발 국내 최초 활성화공정 설비 장비 핵심 기술 보유 기업 독보적인 기술력 기반 미국 시장 내 점유율 확대 가능성 大 GaN(질화갈륨) 기반 전력반도체 자체 개발로 경쟁력...

2021-05-03 07:44
전력효율·내구성 뛰어난 3대 신소재 반도체 개발 나선다

차세대 전력 반도체란 실리콘(Si) 대비 전력 효율과 내구성이 뛰어난 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN), 갈륨옥사이드(Ga2O3) 등 3대 신소재 웨이퍼로 제작된 전력 반도체로서 AI, 5G 등의 디지털 뉴딜과 전기차, 신재생에너지 등의 그린 뉴딜의 핵심 부품이다. 정부는 국내 차세대 전력 반도체 산업 생태계 구축을 위해 상용화 제품 개발, 기반기술 강화, 미래...

2021-04-01 13:00
시스템 반도체 육성에 올해 2400억원 투입…팹리스 성장 지원

차세대 전력 반도체인 SiC(실리콘카바이드), GaN(질화갈륨) 반도체는 기존의 Si(실리콘) 대비 높은 내구성과 전력 효율이 우수해 정부 R&D를 지속 지원하기로 했다. 주력산업의 데이터 수요 증가에 적기 대응하기 위해 미래선도형 차세대 센서 R&D 지원, 센서 제조혁신 플랫폼 구축, 실증 테스트베드 설립 등 총 5000억 원 규모의 예비타당성 사업을 추진한다....

2021-02-01 13:00
에이프로, LG화학 매출 비중 95% "2차전지 활성화 기대"-한화투자증권

있다"며 "에이프로세미콘의 경쟁력은 각종 웨이퍼에서 GaN을 성장시킬 수 있는 기술을 보유하고 있다는 점"이라고 설명했다. 이어 최 연구원은 "에이프로의 전력반도체 기술력이 향후 2차전지 외에 스마트카, 5G 등과 같은 성장성이 높은 분야에서도 적용될 가능성이 높다고 판단해 주가와 실적의 꾸준한 우상향을 예상한다"고 덧붙였다.

2021-01-12 08:34
ETRI, 질화갈륨 전력반도체 개발…전기차 전비 개선 기대

한국전자통신연구원(ETRI)은 국내 최초로 질화갈륨(GaN) 단결정 기판을 이용한 800V급 수직형 전력반도체 기술을 개발했다고 6일 밝혔다. 전력반도체는 전기에너지를 시스템이 필요로 하는 형태로 변환, 제어, 처리 및 공급하는 반도체다. 가전제품, 스마트폰, 전기자동차, 태양광 발전, 데이터센터 등 전기로 작동하는 제품의 효율적 전력 운용을 가능케 하는 핵심부품이다....

2020-10-06 11:14
에이프로, 종속사 60억 규모 지분 취득결정

에이프로가 종속사인 에이프로세미콘의 주식 119만주를 취득하기로 결정했다고 27일 공시했다. 취득금액은 59억5000만 원이다. 회사 측은 "GaN 전력반도체 사업 추진을 위한 목적"이라고 밝혔다.

2020-08-27 17:04
전기차 핵심 차세대 전력반도체 특허출원 급증

탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 기반 차세대 전력반도체는 실리콘과 비교해 고온·고압에서도 안정적으로 작동하는 우수한 물질 특성을 가진다. 이는 전력반도체의 전력효율 향상과 소형화·경량화의 획기적인 개선을 가능하게 한다. 다만 공정 구현이 어렵고 비용이 많이 소요되는 단점이 있어 본격적인 상용화를 위해서는 해결해야 할 기술적 과제가 적지...

2019-10-20 14:58
[개장전] 증권사 추천주(04/30)

기대GaN 트랜지스터 및 전력증폭기 전문 제조업체5G 인프라 투자 Cycle 도래와 화웨이 성장의 수혜 기업올해 실적 모멘텀은 하반기에 집중투자의견 : 없음 / 목표주가 없음IBK투자증권 이민희 동아에스티변화의 시작은 국내부터국내 전문의약품 매출과 기술이전으로 1분기 호실적슈가논의 글로벌 진출과 R&D 진행은 계획대로투자의견 : 매수...

2019-04-30 08:06
[SP분석] RFHIC, 中 화웨이 5G 주도에 ‘화색’

주력사업은 질화갈륨(GaN) 트랜지스터와 GaN 전력증폭기의 생산 및 판매다. 이 제품들은 5G 제품의 주요 부품으로 쓰인다. 국내 유일 GaN 트랜지스터 생산업체로 매출처는 삼성전자, 화웨이, 노키아 등 글로벌 통신 기업이다. 매출의 92%가량이 통신 부문으로 수출이 80%를 차지한다. 특히 최근 화웨이 향 매출은 2015년 122억 원에서 지난해 327억 원으로...

2018-03-07 09:00
[IPO]국내 유일 GaN 트랜지스터 생산 ‘RFHIC’, 9월 NH스팩8호와 합병 상장

1999년에 설립된 RFHIC는 국내 무선주파수 증폭기 제조업체로서 무선통신장비용 반도체 부품을 전문적으로 생산 및 판매하고 있다. 국내에서 유일하게 GaN(질화갈륨) 소재를 적용한 GaN 트랜지스터 및 통신용, 레이더용 전력증폭기를 생산하고 있다. RFHIC는 성능 대비 높은 가격 때문에 인공위성 및 방산 등 제한된 용도로 사용되던 차세대 화합물...

2017-08-21 14:44
알에프에이치아이씨,대포병탐지레이더II핵심 RF 모듈 국산화

RFHIC는 대포병탐지레이더II에 적용되는 송수신모듈을 LIG 넥스원과 공동개발했으며, 이 송수신 모듈에는 자체 개발한 GaN(갈륨나이트라이드) RF전력증폭기가 적용돼 있다. 레이더 시스템의 핵심모듈을 국산화함으로써 수입대체는 물론 운용 및 유지 보수 비용 절감 계기를 마련했다. RFHIC 관계자는“현재 LIG 넥스원과는 대포병탐지레이더II 사업을 비롯해...

2017-06-16 13:03
RFHIC, NH스팩8호와 스팩 합병…8월 상장 예정

RFHIC는 국내에서 유일하게 GaN(질화갈륨) 소재를 적용한 GaN 트랜지스터 및 통신용, 레이더용 전력증폭기를 생산하는 기업으로 1999년 설립됐다. RFHIC는 차세대 화합물 반도체 소재인 GaN을 통신용으로 대량 양산, 적용해 기존 시장을 장악하던 실리콘 기반 LDMOS 소재와 경쟁 할 수 있는 체제를 구축했다. 2014년 세계 1위 통신장비업체 화웨이와 거래를...

2017-05-29 14:04
미국, 중국 FGC의 독일 반도체업체 인수 반대…中 기업쇼핑에 제동

아익스트론은 현재 수년째 갈륨나이트라이드(GaN) 기술에 초점을 맞춘 제품을 미국 군사기술업체들에 판매하고 있다. GaN 소재의 전력 반도체는 모듈에 냉각 장치를 최소화해 탑재할 수 있고 소형화·경량화가 쉽다는 장점이 있다. 미국 국방부는 현재 GaN 기술을 바탕으로 무기 성능 개선에 초점을 맞추고 있다.

2016-11-21 08:37
에이티세미콘, GaN 전력반도체 패키징 기술 개발 완료

에이티세미콘이 이동 통신 분야에서 확장 추세에 있는 GaN 전력반도체의 패키징 기술 개발에 성공했다. 반도체 패키징 및 테스트 전문기업 에이티세미콘은 독자적인 매칭 기술과 패키지 기술을 적용해 열 방출이 우수하고 소자 효율과 성능을 향상 시킨 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 반도체 S대역(3GHz)과 X대역(9GHz) 패키지를 개발했다고 13일 밝혔다....

2015-05-13 08:44
[이투데이-산교타임즈 특약] 18-① 파운드리·팹리스, 생산설비 없어도 글로벌 반도체 강자

아날로그칩 설계업체인 스카이웍스는 갈륨비소(GaAs) 고주파(RF) 디바이스 등을 다루는 종합반도체업체(IDM)로 각 분야의 핵심 부품업체는 선전하고 있다. 또한 크리는 질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC)를 이용한 파워 및 조명계 디바이스의 선구적인 업체로서 크게 성장하고 있다. 지역별로 보면 북미 점유율은 전년의 47%에서 50%까지 확대했다. 450mm급 웨이퍼를...

2013-04-24 11:30
키슬리, 고전력 반도체 테스트용 계측기 출시

전력 반도체기기 뿐만 아니라 질화갈륨(GaN)과 실리콘카바이드(SiC) 등을 비롯한 다른 화합물 반도체 소재 및 기기 등 최신 소재의 특성 분석이 가능하다. 회사측은 기존 시스템에 비해 저렴한 비용으로 테스트 대상 기기에 최대 5배나 많은 전력을 소싱할 수 있다고 설명했다. 김해랑 키슬리인스트루먼트 한국지사장은 "전력선통신(PLC)과 2차전지 등에서...

2012-03-23 13:30
ETRI-Ioffe 연구소, 'GaN 반도체 기술 협력' MOU 체결

GaN 전력반도체는 고전압 작동이 가능해 실리콘 전력반도체보다 전력손실을 5분의 1 이하로 줄일 수 있으며 고속 동작 특성이 뛰어나기 때문에 스위칭 손실을 100분의 1 이하로 줄일 수 있다. GaN 트랜지스터는 고주파 동작이 가능하기 때문에 전원장치의 소형화가 실현 가능하며 노트북이나 AC 어댑터에 적용하는 경우 10분의 1 정도로 소형화할 수 있을...

2010-09-10 16:13

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