ETRI-Ioffe 연구소, 'GaN 반도체 기술 협력' MOU 체결

한국전자통신연구원(ETRI)은 지난 8일 오전(러시아 현지 시간) 러시아 상트페테르부르크 Ioffe 연구소 회의실에서 'GaN 반도체'로 대표되는 화합물 반도체 기반 '통신 소자 및 전력 소자 기술'과 차세대 조명 광원으로 떠오르는 'LED 및 광전소자 기술'의 상호 협력 연구를 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 10일 밝혔다.

GaN 전력반도체는 고전압 작동이 가능해 실리콘 전력반도체보다 전력손실을 5분의 1 이하로 줄일 수 있으며 고속 동작 특성이 뛰어나기 때문에 스위칭 손실을 100분의 1 이하로 줄일 수 있다.

GaN 트랜지스터는 고주파 동작이 가능하기 때문에 전원장치의 소형화가 실현 가능하며 노트북이나 AC 어댑터에 적용하는 경우 10분의 1 정도로 소형화할 수 있을 것으로 기대된다.

ETRI는 현재 GaAs, InP 및 GaN를 기반으로 하는 화합물반도체 일괄 공정 라인을 구축하고 MMIC 칩 및 무선통신 부품 설계ㆍ제작 기술을 보유하고 있으며 GaN 기반 차세대 LED 연구를 수행중이다.

GaN 반도체 기반 LED 산업은 차세대 조명 산업을 중심으로 메모리 반도체를 능가하는 거대한 소재부품 시장을 형성할 것으로 기대되는 유망 산업이며 실내외 대상의 일반 조명 산업을 기반으로 향후 100년 이상의 지속 잠재성을 보유한 장기적인 산업이 될 전망이다.

한편 이날 ETRI와 Ioffe가 체결한 MOU 세부 협력 분야는 ▲GaN전력소자 개발 ▲조명용 LED소자 개발 ▲자외선 LED소자 개발 ▲EU FP7ㆍEUREKA 공동제안 협력 등이다.

ETRI 융합부품소재연구부문 박형무 소장은 "ETRI의 화합물 반도체 소자 및 응용 기술과 Ioffe 연구소의 화합물 반도체 소재 원천 기술의 상호 접목을 통해 차세대 전력 및 조명 소자로 활용 가능한 화합물 반도체 부품ㆍ소재 원천 기술 개발 및 상용화를 위한 교두보를 마련하게 됐다"고 말했다.