에이티세미콘, GaN 전력반도체 패키징 기술 개발 완료

에이티세미콘이 이동 통신 분야에서 확장 추세에 있는 GaN 전력반도체의 패키징 기술 개발에 성공했다.

반도체 패키징 및 테스트 전문기업 에이티세미콘은 독자적인 매칭 기술과 패키지 기술을 적용해 열 방출이 우수하고 소자 효율과 성능을 향상 시킨 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 반도체 S대역(3GHz)과 X대역(9GHz) 패키지를 개발했다고 13일 밝혔다.

한국전자통신연구원(ETRI)과 공동연구로 개발 된 이번 패키징 기술은 기존 반도체인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 대신 갈륨나이트라이드(GaN)를 사용해 전력밀도를 최대 10배, 전력 효율을 최대 30% 이상 향상시켰다. 또한 GaN 전력반도체의 칩 본딩 시 열전도성이 높은 특수소재를 사용해 패키지의 방열 기능을 높여 소자의 효율과 신뢰성을 확보했다.

회사 측은 "현재 이동 통신용 GaN RF(고주파) 전력 소자 패키지와 증폭기 모듈 등도 공동 개발 중에 있다"며 "향후 이동 통신 분야에도 GaN RF 전력 소자 패키지나 증폭기 모듈 등의 수요가 점차 증가할 것으로 기대됨에 따라 연구개발에 속도를 내고 있다"고 말했다.

전력증폭기란 미약한 입력신호를 크게 증폭시켜 안테나로 보내 전파를 보내는 역할을 하는 장치이다. GaN 트랜지스터 증폭기는 이동통신 중계기 및 단말기, 위성에 탑재돼 전파를 송출하는 핵심부품으로 사용되고 있으며, X대역 전력 증폭기는 선박 및 군수용 단거리 레이더 증폭기로 사용되고 있다.