TSV - 이투데이

검색결과 총130건

최신순 정확도순

SK그룹, 세계 최고 수준 제품으로 글로벌 시장 공략 [R&D가 경쟁력]

SK하이닉스는 세계 최초로 TSV(Through Silicon Via) 기반 고대역폭메모리(HBM) 제품을 내놓은 이래 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under-Fill), 어드밴스드 MR-MUF 등 선행 기술을 접목하며 지속적인 성능 향상에 한창이다. 지난해 4월 SK하이닉스는 24기가비트(Gb) 12단 HBM3를 개발했다. 이 제품은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을...

2024-04-29 06:00
[특징주] 펨트론, HBM MR-MUF 공정 기술 보유 부각…SK하이닉스 협업 기대감에 강세

펨트론은 SK하이닉스와 함께 고대역폭 메모리(HBM) 웨이퍼와 TSV 공정 등 검사장비의 성능 평가를 진행 중이다. 이르면 올해부터 본격 양산에 나설 계획인 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 HBM 생산성 향상을 위해 MR-MUF를 도입한 것으로 파악되는데, 펨트론은 이 공정에 필요한 검사 기술을 보유하고 있다.

2024-04-25 14:27
“HBM 선두에 낸드까지 흑자”…SK하이닉스, 실적 반등 본격화 [종합]

SK하이닉스 관계자는 “AI 메모리와 일반 D램 수요에 적기 대응하기 위해서 추가적인 클린룸 공간 확보가 필요하다고 판단했다”며 “M15X는 TSV(실리콘관통전극) 캐파(생산능력)를 확장 중인 M15와 인접해 HBM 생산을 최적화 할 수 있다”고 강조했다. 고객 맞춤형 제품 생산에도 박차를 가한다. SK하이닉스는 최근 글로벌 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와...

2024-04-25 11:36
[특징주] 시그네틱스, SK하이닉스 MR-MUF 16단 HBM 적용 소식...관련 기술 다수 보유 부각

MUF는 반도체에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 위아래로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 공정 후 반도체 사이에 주입하는 재료다. 수직으로 쌓아 올린 여러 개의 반도체를 단단히 굳혀 접합하는 역할을 한다. 한편, 시그네틱스는 MUF 관련 기술을 다수 보유 중이다. 시그네틱스 지난해 3분기 보고서에 따르면 '2Dies MUF Package'와 'Hybrid(FC+DA) MUF Package...

2024-04-25 10:39
SK하이닉스, 청주에 신규 D램 공장 건설… HBM 수요 선제 대응

M15X는 TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다. TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다. M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는...

2024-04-24 17:27
이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, 세대를 초월하는 가치 창출할 것"

이 부사장은 반도체 다운턴(하강 국면) 위기를 기회로 바꾼 고대역폭 메모리(HBM)의 실리콘관통전극(TSV) 기술처럼 미래를 위한 다양한 요소 기술 개발이 중요하다고 언급했다 이 부사장은 "TSV는 AI 시대를 예견하고 개발한 기술은 아니지만, 오늘날 대표적인 AI 반도체 기술로 손꼽히고 있다"며 "이처럼 우리는 어떻게 급변할지 모르는...

2024-04-22 14:14
SK하이닉스, TSMC와 손잡고 HBM4 개발한다

HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이를 쌓아 올린 뒤 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는...

2024-04-19 09:23
최우진 SK하이닉스 부사장 "패키징, 반도체 패권 경쟁 핵심…기술 우위 증명할 것"

그는 "AI 시대에 발맞춰 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 ‘시그니처 메모리’에 집중하고 있다"며 "이를 구현하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 성능의 키 역할을 하는 실리콘 관통 전극(TSV), 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의...

2024-04-11 10:17
펨트론, HBM 이어 CXL 관련 장비 준비 완료…리드탭 인라인 검사장비는 추가 공급 논의

펨트론은 SK하이닉스와 함께 HBM 웨이퍼와 TSV 공정 등 검사장비의 성능 평가를 진행 중이다. 이르면 올해부터 본격 양산에 나설 계획인 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 HBM 생산성 향상을 위해 어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)을 도입한 것으로 파악되는데, 펨트론은 이 공정에 필요한 검사 기술을 보유하고 있다. SK하이닉스에 따르면 MR-MUF 공정...

2024-03-21 10:48
SK하이닉스 부채 1조 원 늘었네? 알고 보니… HBM 미리 받은 돈

SK하이닉스는 신규 투자의 대부분을 몰디드 언더필(MR-MUF)로 불리는 새 패키징 방식과 실리콘관통전극(TSV) 기술 발전에 쏟아붓고 있다. MR-MUF는 여러 개의 D램을 쌓아 연결할 때 실리콘층 사이에 액체 물질을 한 번에 주입하고 굳히는 방식이다. 방열과 생산 수율 향상에 유리한 것으로 알려졌다. 이강욱 SK하이닉스 부사장은 "반도체 산업의 첫 50년은...

2024-03-13 13:48
SK하이닉스, 올해 AI 메모리칩 핵심 기술에 10억 달러 이상 투자

HBM은 칩을 겹겹이 쌓아 실리콘관통전극(TSV)과 연결해 더 빠르고 에너지 효율적인 데이터 처리를 구현하는 고성능 메모리의 일종이다. SK하이닉스는 올해 설비 투자 예산을 따로 공개하지 않았는데, 애널리스트들은 평균적으로 올해 약 14조 원 남짓의 투자가 이뤄질 것으로 추정했다. 패키징 사업이 전체 예산의 10%를 차지할 수 있다는 것인데, 이는...

2024-03-07 16:49
“원익IPS, 연간 영업이익 흑자전환 전망…주요 고객사 ALD 매출 증가로 목표가↑”

또한 HBM Capa 증가하며 Passivation 장비와 TSV 구리 어닐링 장비 매출이 양사 포함 700억 원 수준이 올해 반영될 것"으로 내다봤다. 그러면서 "전방 Capex는 전환투자 중심으로 집행되는 가운데, 올해 ALD 설비 출하의 증가는 DRAM의 테크 마이그레이션 방향성과 동행한다는 관점에서 긍정적으로 평가한다. DRAM 외에도 NAND와 파운드리로도 ALD...

2024-03-06 08:06
HBM도 초격차 시동… 삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12단 D램 개발

삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다. HBM3E 12단 제품은 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두...

2024-02-27 11:00
손호영 SK하이닉스 부사장 "고객별 차별화된 솔루션 제공할 것"

또 HBM 핵심 기술인 TSV 공정과 SK하이닉스 독자 기술인 MR-MUF의 도입 초기부터 개발을 이끌며 AI 메모리 기술 리더십을 공고히 하는 데 큰 역할을 했다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통 전극으로 연결하는 기술이다. MR-MUF는 적층한 칩 사이에 보호재를 넣은 후 전체를 한 번에 굳히는 공정으로, 효율적이고 열 방출에도...

2024-02-27 10:23
와이씨켐, “‘HBM3E’용 차세대 코팅소재 개발 완료...글로벌 반도체 양산 평가 중”

와이씨켐은 최근 HBM 전용 TSV 포토레지스트 국산화에 성공해 글로벌 반도체 고객 기업들에게 공급하고 있다. 또한 2028년 완공을 목표로 용인 반도체 클러스터에 신규 설비 구축을 추진 중이다. 실리콘관통전극으로 불리는 TSV는 수직형태로 D램을 쌓아 직접 연결한다. 적은 공간에 대용량 데이터를 빠르게 처리할 수 있어 HBM 필수 공정 장비로 꼽히고 있다.

2024-02-23 14:12
시그네틱스, SK하이닉스이어 삼성전자도 도입 추진 HBM 'MUF' 이미 공급 중

MUF는 반도체에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 위아래로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 공정 후 반도체 사이에 주입하는 재료다. 수직으로 쌓아 올린 여러 개의 반도체를 단단히 굳혀 접합하는 역할을 한다. 삼성은 이 MUF를 단단하게 만들 수 있는 경화(몰딩) 장비를 일본에서 최근 구매한 것으로 알려졌다. 삼성은 그동안 반도체를 수직 연결할 때 독자 개발한...

2024-02-21 09:56
곽노정 SK하이닉스 사장 "美 패키징공장 부지 신중하게 검토중"

아울러 신규 반도체 생산공장인 충북 청주 M15X의 공사 재개 시점에 관한 질문에는 "시황과 고객 상황을 봐가며 해야 해서 지금은 정해진 것이 없고, 예의주시하며 신중하게 하겠다"고 답했다. 추후 청주에서 HBM을 생산할 가능성을 두고는 "현재 M15에 실리콘관통전극(TSV)을 일부 넣기로 했듯이 그런 관점에서 유연하게 대응할 것"이라고 했다.

2024-02-19 16:43
[특징주] 와이씨켐, HBM 필수 공정 TSV 슬러리 개발-양산 기대감에 상승세

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)를 만들기 위한 필수 공정 실리콘관통전극(TSV) 생산 능력을 2배 확대 한다는 소식에 와이씨켐(구 영창케미칼)이 상승세다. 와이씨켐은 TSV 슬러리 개발을 완료하고 양산 라인 평가를 통과했다. 25일 오전 11시 23분 현재 와이씨켐은 전일대비 690원(6.12%) 상승한 1만1960원에 거래 중이다. 최근 SK하이닉스는 HBM 등 인공지능...

2024-01-25 11:24
[컨콜] SK하이닉스 "TSV 투자 2배 이상 확대"

SK하이닉스는 25일 2023년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "TSV(실리콘관통전극) 캐파를 두 배 이상 확대할 계획"이라고 밝혔다. 이어 "추가 투자는 중장기 시장 환경 등을 종합적으로 신중하게 결정할 계획"이라고 덧붙였다.

2024-01-25 09:46
피에스케이, 삼성-SK하이닉스 독점 램리서치 반도체 장비 국산화로 매출 확대 전망

ASML과 세계 3대 반도체 장비 업체인 램리서치는 HBM용 TSV 장비, 웨이퍼 식각 베벨 에치등을 독점 공급해왔다. 피에스케이는 지난해 메모리 반도체 수요감소의 직격탄을 맞았다. 지난해 3분기 매출액 2431억 원으로 전년도 3700억 원에 비해 35% 감소했고, 영업이익도 918억 원에서 381억 원으로 절반 이하로 감소했다. 전방 산업의 위축에 따른 투자 감소가 이유였다고...

2024-01-23 13:55

1 2 3 4 5 6 7