최우진 SK하이닉스 부사장 "패키징, 반도체 패권 경쟁 핵심…기술 우위 증명할 것"

최 부사장, SK하이닉스 뉴스룸 통해 인터뷰 공개
"AI 메모리 혁신 위해 '시그니처 메모리' 개발 주력"

▲최우진 SK하이닉스 P&T담당 부사장. (사진제공=SK하이닉스)

최우진 SK하이닉스 부사장은 11일 "고성능 칩 수요가 폭등하는 인공지능(AI) 시대에 첨단 패키징 기술로 최고 성능의 메모리를 개발하는 데 기여하겠다"며 기술 우위를 증명하겠다는 포부를 밝혔다.

이날 반도체 후공정 담당 조직 P&T(Package & Test)를 이끄는 최 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 "P&T 기술 혁신은 반도체 패권 경쟁을 가르는 핵심 요소로 부상하고 있다"며 이같이 말했다.

최 부사장은 지난 30년 간 메모리 반도체 패키징 연구 개발에 매진하며, 최근 HBM으로 대표되는 AI 메모리의 핵심 기술로 부상한 P&T 분야를 이끌어 가고 있다. 최 부사장이 담당하는 P&T는 팹(fab·반도체 생산공장)에서 전 공정을 마친 웨이퍼를 가져와 제품 형태로 패키징하고 고객 요구에 맞게 동작하는지 테스트하는 역할을 맡는다.

최 부사장은 "대한민국 반도체의 위상이 지금의 위치에 오를 수 있었던 건 ‘거침없는 도전’ 덕분"이라며 "세계 각국이 막대한 자본을 투입해 시장 주도권을 확보하려는 이때, 한계 없는 도전은 더 큰 의미가 있다"고 말했다.

이어 "3차 세계 대전에 비유할 정도로 글로벌 반도체 패권 경쟁이 치열하게 전개되고 있다"며 "도전에 주저하는 순간 누구든 위기에 직면할 수 있기 때문에 항상 성능, 수율, 원가 경쟁력 등 모든 영역에서 한계를 뛰어넘겠다는 자세로 일해야 한다"고 구성원들에게 당부했다.

최 부사장은 반도체 패권 경쟁의 핵심축인 AI 메모리를 혁신하기 위해 ‘시그니처 메모리(Signature Memory)’ 개발을 주요 전략으로 제시했다.

그는 "AI 시대에 발맞춰 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 ‘시그니처 메모리’에 집중하고 있다"며 "이를 구현하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 성능의 키 역할을 하는 실리콘 관통 전극(TSV), 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의 반도체 개발에 기여할 칩렛, 하이브리드 본딩 등 다양한 어드밴스드 패키징 기술을 개발하는 데 주력하고 있다"고 설명했다.

최 부사장은 "이 과정에서 우리는 한계를 두지 않고 도전해 강력한 기술 우위를 보여줄 것"이라고 자신했다.

최 부사장은 챗GPT 열풍으로 늘어나는 D램 수요에 대응하기 위해 신속하게 생산 라인을 확보함으로써 회사의 AI 메모리 선도 입지를 강화하는 데 기여하기도 했다.

그는 "지난해 AI 메모리 수요가 갑작스럽게 늘어나면서 즉각적인 대응이 어려운 상황이었다"면서 "하지만, 재빨리 TSV 패키징 라인을 활용해 DDR5 D램 기반의 서버향 3DS 모듈 제품을 추가 투자 없이 증산하는 데 성공했다. 빠른 시간 안에 내린 과감한 결단이 주효했던 사례"라고 했다.

최 부사장은 최근 SK하이닉스가 발표한 미국 인디애나주 패키징 생산시설 건립 계획 수립 과정에서 팹 구축 및 운영 전략을 짜는 등 주요 역할을 담당했다.

그는 "현재 팹 설계와 양산 시스템을 구체화하고 글로벌 기업과의 연구개발(R&D) 협력 생태계 구축을 위한 준비를 진행 중"이라며 "공장 가동이 본격화하면 회사의 AI 메모리 기술 및 비즈니스 리더십 강화에 크게 기여할 것으로 기대한다"고 했다