SK하이닉스, 도시바와 ‘NIL 기술 공동 개발’ 본 계약 체결

▲임프린트 구조(출처=정건영, 물리학과 첨단기술. 2011.1월)

SK하이닉스는 일본의 도시바와 ‘나노 임프린트 리소그래피(NIL)’ 기술에 대한 공동 개발 본 계약을 체결했다고 5일 밝혔다. 앞서 양사는 지난해 12월 이번 건에 대한 업무협약(MOU)을 체결한 바 있다.

NIL은 2003년 ‘국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)’에 32나노 이하의 선폭을 실현 할 수 있는 새로운 방법으로 소개된 기술이다. 이 기술은 저렴한 UV(Ultraviolet)를 광원으로 활용하고 렌즈를 사용하지 않기 때문에, 불화아르곤 이머전(ArF Immersion) 또는 극자외선(EUV) 노광장치 대비 가격 경쟁력이 있다.

NIL 기술에 대한 공동 개발은 올해 4월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 도시바의 요코하마에 위치한 팹에서 진행될 예정이며, 2017년경 실제 제품에 적용될 전망이다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는 데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가받고 있으며, 막대한 투자가 선행되어야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적인 양산이 가능하다는 장점도 갖고 있다. 업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해오고 있었으며, NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발돼 왔다.

이번 협력을 통해 양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 돼 양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

한편 SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다. 2007년 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터 차세대 메모리인 ‘STT-M램’의 공동개발을 진행해 오고 있다.