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  • ‘ACE AI반도체포커스 ETF’ 수익률 45.7%…K-반도체 ETF 중 1위
    ‘ACE AI반도체포커스 ETF’ 수익률 45.7%…K-반도체 ETF 중 1위
    한미반도체는 HBM 제조에 필수적으로 쓰이는 장비인 열압축 접합작업기(TSV TC본더)의 글로벌 점유율 1위 업체로, SK하이닉스에 2000억 원어치 이상 수주하고 있다. 현재 ACE AI반도체포커스 ETF에서 3개 종목의 비중은 △한미반도체(27.50%) △SK하이닉스(26.46%) △삼성전자(22.63%)다. 수익률에 힘입어 ACE AI반도체포커스 ETF는 순자산액 또한 증가세를...
    2024-05-29 08:41
  • “한미반도체, 올해 TC본더 매출 100억→3000억 후반 예상…HBM4 경쟁력”
    “한미반도체, 올해 TC본더 매출 100억→3000억 후반 예상…HBM4 경쟁력”
    한미반도체는 주요 메모리 업체에 대해 TSV TC본더를 메인 벤더로 납품 중이다. TC본더는 열과 압력을 이용해 칩을 적층하고 전기적으로 연결하는 역할을 하는 HBM 생산의 핵심 장비다. 한미반도체는 전체 HBM TC본더 시장 점유율 약 65% 이상을 차지하고 있어 HBM 4 이후에도 경쟁력 수혜가 지속될 수 있다는 전망이다. 이 연구원은 "궁극적으로 더 높은...
    2024-05-29 08:15
  • SK하이닉스는 연일 신고가 경신하는데…'10만전자', 언제 갈까요? [이슈크래커]
    SK하이닉스는 연일 신고가 경신하는데…'10만전자', 언제 갈까요? [이슈크래커]
    김 연구원은 "HBM3E 점유율과 물량 증가 등이 올해 실적에서 중요하다"며 "실리콘관통전극(TSV) 공정을 적용한 128GB 모듈에서도 절대적 지위를 유지할 것"이라고 내다봤습니다. 목표주가는 기존 20만 원에서 25만 원으로 상향 조정했습니다. 한동희 SK증권 연구원도 "HBM 경쟁 우위를 통한 차별화된 수익성과 장기공급계약 기반의 실적...
    2024-05-28 16:49
  • SK하이닉스 “HBM3E 수율 80%에 거의 도달”
    SK하이닉스 “HBM3E 수율 80%에 거의 도달”
    HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM3E는 5세대 HBM이다. 올해부터 본격적으로 상용화 궤도에 올랐다. 그간 관련 업계에서는 SK하이닉스의 HBM3E 수율이 60~70% 안팎으로 추정했다. 그러나 SK하이닉스가 이번 인터뷰를 통해 80%에 달한다는 점을 공식적으로 밝힌 셈이다. 앞서 곽노정 사장은 2일 경기도...
    2024-05-22 15:33
  • "내년 HBM 수요 성장 2배 증가…판매 단가도 최대 10% 상승"
    "내년 HBM 수요 성장 2배 증가…판매 단가도 최대 10% 상승"
    이는 HBM 구매자들이 AI 수요 전망에 대해 높은 신뢰도를 유지하고 있고 지속적인 가격 인상을 받아들일 의향이 있는 데다, HBM3E의 실리콘관통전극(TSV) 수율이 현재 40∼60%에 불과해 개선의 여지가 있기 때문이라고 봤다. 모든 주요 공급업체가 HBM3E 고객 인증을 통과한 것이 아닌 만큼 구매자는 안정적이고 우수한 품질의 공급을 확보하기 위해 더 높은...
    2024-05-07 09:19
  • 곽노정 SK하이닉스 사장 “HBM 공급 과잉 우려 일축…내년도 거의 솔드아웃”
    곽노정 SK하이닉스 사장 “HBM 공급 과잉 우려 일축…내년도 거의 솔드아웃”
    김영식 제조기술 담당 부사장은 “M15x는 연면적 6만3000평 규모의 복층 팹으로, 극자외선(EUV)를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정”이라며 “실리콘관통전극(TSV) 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있다”고 설명했다. 이어 “용인 반도체 클러스터 부지 조성은 순조롭게 진행 중이며, 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사...
    2024-05-02 12:17
  • “반도체 봄 시작됐다”…삼성·SK, HBM3E 선점 경쟁 본격화
    “반도체 봄 시작됐다”…삼성·SK, HBM3E 선점 경쟁 본격화
    클러스터는 2027년 준공을 목표로, 미국 인디애나주 어드밴스드패키징 시설은 2028년 하반기 가동을 목표로 사업을 추진한다. SK하이닉스 관계자는 “AI 메모리와 일반 D램 수요에 적기 대응하기 위해서 추가적인 클린룸 공간 확보가 필요하다고 판단했다”며 “M15X는 TSV(실리콘관통전극) 캐파를 확장 중인 M15와 인접해 HBM 생산을 최적화할 수 있다”고 말했다.
    2024-05-01 11:10
  • SK그룹, 세계 최고 수준 제품으로 글로벌 시장 공략 [R&D가 경쟁력]
    SK그룹, 세계 최고 수준 제품으로 글로벌 시장 공략 [R&D가 경쟁력]
    SK하이닉스는 세계 최초로 TSV(Through Silicon Via) 기반 고대역폭메모리(HBM) 제품을 내놓은 이래 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under-Fill), 어드밴스드 MR-MUF 등 선행 기술을 접목하며 지속적인 성능 향상에 한창이다. 지난해 4월 SK하이닉스는 24기가비트(Gb) 12단 HBM3를 개발했다. 이 제품은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을...
    2024-04-29 06:00
  • [특징주] 펨트론, HBM MR-MUF 공정 기술 보유 부각…SK하이닉스 협업 기대감에 강세
    [특징주] 펨트론, HBM MR-MUF 공정 기술 보유 부각…SK하이닉스 협업 기대감에 강세
    펨트론은 SK하이닉스와 함께 고대역폭 메모리(HBM) 웨이퍼와 TSV 공정 등 검사장비의 성능 평가를 진행 중이다. 이르면 올해부터 본격 양산에 나설 계획인 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 HBM 생산성 향상을 위해 MR-MUF를 도입한 것으로 파악되는데, 펨트론은 이 공정에 필요한 검사 기술을 보유하고 있다.
    2024-04-25 14:27
  • “HBM 선두에 낸드까지 흑자”…SK하이닉스, 실적 반등 본격화 [종합]
    “HBM 선두에 낸드까지 흑자”…SK하이닉스, 실적 반등 본격화 [종합]
    SK하이닉스 관계자는 “AI 메모리와 일반 D램 수요에 적기 대응하기 위해서 추가적인 클린룸 공간 확보가 필요하다고 판단했다”며 “M15X는 TSV(실리콘관통전극) 캐파(생산능력)를 확장 중인 M15와 인접해 HBM 생산을 최적화 할 수 있다”고 강조했다. 고객 맞춤형 제품 생산에도 박차를 가한다. SK하이닉스는 최근 글로벌 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와...
    2024-04-25 11:36
  • [특징주] 시그네틱스, SK하이닉스 MR-MUF 16단 HBM 적용 소식...관련 기술 다수 보유 부각
    [특징주] 시그네틱스, SK하이닉스 MR-MUF 16단 HBM 적용 소식...관련 기술 다수 보유 부각
    MUF는 반도체에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 위아래로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 공정 후 반도체 사이에 주입하는 재료다. 수직으로 쌓아 올린 여러 개의 반도체를 단단히 굳혀 접합하는 역할을 한다. 한편, 시그네틱스는 MUF 관련 기술을 다수 보유 중이다. 시그네틱스 지난해 3분기 보고서에 따르면 '2Dies MUF Package'와 'Hybrid(FC+DA) MUF Package...
    2024-04-25 10:39
  • SK하이닉스, 청주에 신규 D램 공장 건설… HBM 수요 선제 대응
    SK하이닉스, 청주에 신규 D램 공장 건설… HBM 수요 선제 대응
    M15X는 TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다. TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다. M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는...
    2024-04-24 17:27
  • 이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, 세대를 초월하는 가치 창출할 것"
    이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, 세대를 초월하는 가치 창출할 것"
    이 부사장은 반도체 다운턴(하강 국면) 위기를 기회로 바꾼 고대역폭 메모리(HBM)의 실리콘관통전극(TSV) 기술처럼 미래를 위한 다양한 요소 기술 개발이 중요하다고 언급했다 이 부사장은 "TSV는 AI 시대를 예견하고 개발한 기술은 아니지만, 오늘날 대표적인 AI 반도체 기술로 손꼽히고 있다"며 "이처럼 우리는 어떻게 급변할지 모르는...
    2024-04-22 14:14
  • SK하이닉스, TSMC와 손잡고 HBM4 개발한다
    SK하이닉스, TSMC와 손잡고 HBM4 개발한다
    HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이를 쌓아 올린 뒤 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는...
    2024-04-19 09:23
  • 최우진 SK하이닉스 부사장 "패키징, 반도체 패권 경쟁 핵심…기술 우위 증명할 것"
    최우진 SK하이닉스 부사장 "패키징, 반도체 패권 경쟁 핵심…기술 우위 증명할 것"
    그는 "AI 시대에 발맞춰 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 ‘시그니처 메모리’에 집중하고 있다"며 "이를 구현하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 성능의 키 역할을 하는 실리콘 관통 전극(TSV), 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의...
    2024-04-11 10:17
  • 펨트론, HBM 이어 CXL 관련 장비 준비 완료…리드탭 인라인 검사장비는 추가 공급 논의
    펨트론, HBM 이어 CXL 관련 장비 준비 완료…리드탭 인라인 검사장비는 추가 공급 논의
    펨트론은 SK하이닉스와 함께 HBM 웨이퍼와 TSV 공정 등 검사장비의 성능 평가를 진행 중이다. 이르면 올해부터 본격 양산에 나설 계획인 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 HBM 생산성 향상을 위해 어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)을 도입한 것으로 파악되는데, 펨트론은 이 공정에 필요한 검사 기술을 보유하고 있다. SK하이닉스에 따르면 MR-MUF 공정...
    2024-03-21 10:48
  • SK하이닉스 부채 1조 원 늘었네? 알고 보니… HBM 미리 받은 돈
    SK하이닉스 부채 1조 원 늘었네? 알고 보니… HBM 미리 받은 돈
    SK하이닉스는 신규 투자의 대부분을 몰디드 언더필(MR-MUF)로 불리는 새 패키징 방식과 실리콘관통전극(TSV) 기술 발전에 쏟아붓고 있다. MR-MUF는 여러 개의 D램을 쌓아 연결할 때 실리콘층 사이에 액체 물질을 한 번에 주입하고 굳히는 방식이다. 방열과 생산 수율 향상에 유리한 것으로 알려졌다. 이강욱 SK하이닉스 부사장은 "반도체 산업의 첫 50년은...
    2024-03-13 13:48
  • SK하이닉스, 올해 AI 메모리칩 핵심 기술에 10억 달러 이상 투자
    SK하이닉스, 올해 AI 메모리칩 핵심 기술에 10억 달러 이상 투자
    HBM은 칩을 겹겹이 쌓아 실리콘관통전극(TSV)과 연결해 더 빠르고 에너지 효율적인 데이터 처리를 구현하는 고성능 메모리의 일종이다. SK하이닉스는 올해 설비 투자 예산을 따로 공개하지 않았는데, 애널리스트들은 평균적으로 올해 약 14조 원 남짓의 투자가 이뤄질 것으로 추정했다. 패키징 사업이 전체 예산의 10%를 차지할 수 있다는 것인데, 이는...
    2024-03-07 16:49
  • “원익IPS, 연간 영업이익 흑자전환 전망…주요 고객사 ALD 매출 증가로 목표가↑”
    “원익IPS, 연간 영업이익 흑자전환 전망…주요 고객사 ALD 매출 증가로 목표가↑”
    또한 HBM Capa 증가하며 Passivation 장비와 TSV 구리 어닐링 장비 매출이 양사 포함 700억 원 수준이 올해 반영될 것"으로 내다봤다. 그러면서 "전방 Capex는 전환투자 중심으로 집행되는 가운데, 올해 ALD 설비 출하의 증가는 DRAM의 테크 마이그레이션 방향성과 동행한다는 관점에서 긍정적으로 평가한다. DRAM 외에도 NAND와 파운드리로도 ALD...
    2024-03-06 08:06
  • HBM도 초격차 시동… 삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12단 D램 개발
    HBM도 초격차 시동… 삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12단 D램 개발
    삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다. HBM3E 12단 제품은 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두...
    2024-02-27 11:00
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