중국 매체 “CXMT, DDR5 수율 90% 돌파…삼성 턱밑”

“고부가가치 HBM은 3~4년 뒤처져”
“중국의 삼성이라 부르기엔 아직 일러”
“EUV 부재·원천특허 격차도 걸림돌”

▲미국 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT) 건물과 직원. (로이터연합뉴스) (로이터연합뉴스)

‘중국 반도체 자립의 첨병’ 창신메모리(CXMT)의 DDR5 생산 수율이 90%를 넘어섰다는 중국 매체 보도가 잇따라 나왔다. DDR5는 현재 PC와 서버에 주로 탑재되는 최신 세대 D램 규격이다.

콰이커지ㆍ펑황왕재경ㆍ21세기경제보도 등 중국계 매체들의 최근 보도를 종합하면 CXMT의 17나노미터(㎚) DDR5 수율이 90%를 넘어섰다. 특히 삼성전자의 동세대 제품 수율 약 92~93%와 비교해 양사의 격차가 이미 매우 작아졌고 전했다.

또 창신의 7나노 DDR5의 속도는 8000Mbps로 삼성전자·SK하이닉스의 동세대 제품과 비교한 성능 격차는 5% 이내로 글로벌 선두권의 문턱까지 따라잡았다고 평가했다.

하지만 그러면서도 “향후 AI 컴퓨팅 시장의 판도를 결정할 핵심 분야에서는 여전히 무시할 수 없는 격차가 존재한다”면서 “가장 먼저 꼽히는 것이 고대역폭메모리(HBM)”라고 짚었다. HBM은 현재 AI 산업 공급망에서 수익성이 가장 높은 분야인 동시에 엔비디아 그래픽처리장치(GPU)에 들어가는 핵심 부품이다.

이어 “현재 세계 HBM 시장은 사실상 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 3사가 독점하고 있다”면서 “이 가운데 SK하이닉스의 점유율은 58%, 삼성전자는 39%이며, 두 회사 모두 이미 HBM4E 제품 샘플 공급을 시작했다”고 전했다.

이에 반해 “창신의 HBM3 제품은 현재 샘플 검증 및 소규모 생산 단계에 머물러 있다”면서 “전공정 수율은 35~50% 수준이며 연말에야 시험 양산을 시작할 계획이다. HBM3E는 내년에서야 양산할 것으로 예상된다”고 전했다.

이에 따라 매체들은 “HBM 기술 격차는 약 3~4년”으로 “AI 시대에 가장 높은 부가가치를 창출하는 이 시장에 창신이 당분간 본격적으로 참여하기 어려운 이유다”라고 풀이했다.

아울러 “첨단공정의 한계 역시 명확하다”면서 “EUV(극자외선) 노광장비를 확보하지 못한 창신은 현재 DUV(심자외선) 다중노광 기술을 이용해 공정을 미세화할 수밖에 없다. 이에 따라 생산비용이 더 많이 들 뿐 아니라 공정 미세화 전환 속도에도 근본적인 제약이 있다”고 진단했다.

특허 보유량의 격차도 크다고 지적했다. 중국 매체들은 “창신은 누적 5500여 건의 특허를 보유하고 있지만 삼성전자와 SK하이닉스의 특허 보유량은 각각 수만 건에 달한다”면서 “이처럼 기초·원천기술 축적에서 벌어진 격차는 단기간에 좁히기 어렵다”라고 설명했다.

아울러 “창신을 ‘중국의 삼성’이라고 부르기에는 분명 아직 이르다”면서 “삼성이 30년에 걸쳐 쌓아 올린 장벽을 몇 년 만에 뛰어넘을 수는 없다”고 덧붙였다.

한편 CXMT는 지난달 27일 ‘중국판 나스닥’ 과창판(커촹반·상하이증권거래소 과학기술주 전용 시장)에 상장했고, 거래 첫날에 공모가(8.66위안) 대비 465.82% 오른 49.0위안을 기록해 본토 증시 시가총액 1위에 오른 바 있다.