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"낸드서도 초격차 넓힌다"…삼성전자, 업계 최초 290단 '9세대 V낸드' 양산

업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산 성공차세대 인터페이스 적용 등으로 기술 리더십SK하이닉스ㆍ마이크론 등 낸드 적층 경쟁 심화 삼성전자가 낸드 시장에서 업계 최초로 '1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다. 인공지능(AI) 시대가 본격적으로 확장함에 따라 삼성전자는 고용량·고성능 제품을 개발해 시장 초격차를 넓힐...

2024-04-23 14:27
"낸드 리더십 강화"…삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산

업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산'채널 홀 에칭' 기술로 업계 최대 단수 뚫어 삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 또한 더미 채널 홀 제거 기술로...

2024-04-23 11:00
삼성전자 “반도체, 2~3년 내 세계 1위 탈환… 모든 기기에 AI 적용” [종합]

또 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다. 또 삼성전자는 AI 반도체 시장의 판도를 바꿀 새로운 칩 ‘마하-1’을 개발 중이라고 밝혔다. GPU와 HBM 사이의 병목현상을 줄여주는 SoC(시스템온칩) 형태의 AI 가속기로, 연말 시제품 양산이...

2024-03-20 15:09
삼성전자 "모든 기기에 AI 적용…반도체, 2~3년 내 세계 1위 되찾을 것"

또 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다. 파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(Radio Frequency) 등...

2024-03-20 11:45
삼성전자, 고성능·고용량 SD 익스프레스 마이크로SD 카드 개발

부진했던 낸드 플래시 시장이 점차 반등할 조짐이 보이고 있어 신제품을 내놓고 수요 선점에 나서겠다는 전략이다. 삼성전자는 업계 최초로 고성능 SD 익스프레스 인터페이스 기반의 마이크로SD 카드를 개발하고 고객사에 샘플 제공을 시작했다고 28일 밝혔다. 삼성전자 관계자는 "저전력 설계 기술과 펌웨어 최적화로 발열 등 마이크로SD 폼팩터...

2024-02-28 11:00
"3D D램 개발 박차"…삼성전자, 美에 R&D 조직 신설

행사에서 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입한다고 밝히기도 했다. 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서도 3D D램 연구성과가 담긴 논문을 발표했다. 한편 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 바 있다. 이러한 경험을 토대로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발에 나설 계획이다.

2024-01-28 15:32
“3040 젊은피에 여성·외국인 다양성까지”…삼성, 임원 승진자 면면 살펴보니

이외에도 D램 미세공정 양산성 확보에 크게 기여한 박세근(49) DS부문 메모리사업부 D램 PA1팀 부사장과 9세대 V낸드 완성도를 높인 황희돈(49) DS부문 CTO 반도체연구소 플래시공정개발팀 부사장 등이 승진했다. 삼성전자는 여성과 외국인 임원도 적극적으로 발탁하면서 다양성을 갖춘 조직문화를 꾀했다. 이번 여성 신임 임원은 6명, 외국인 신임 임원은...

2023-11-29 14:35
삼성전자, 임원 인사…30~40대 상무·부사장 과감한 발탁

V낸드 개발 및 사업화를 주도했고, 9세대 V낸드 개발을 위한 회로 요소기술 확보에 기여 △김일룡 DS부문 S.LSI사업부 제품기술팀장 부사장(49세) Logic 공정 기술 전문가로 설계-공정 최적화를 통한 선단공정 안정성 확보, 수율 개선 등으로 S.LSI 제품 경쟁력 강화에 기여 삼성전자는 소프트웨어 혁신을 주도해온 전문가와 차기 신기술분야 우수인력을...

2023-11-29 09:43
경계현 삼전 대표 반도체의 날 금탑 훈장 수훈…반도체 산업 공로자 82명 포상

경 대표는 세계 최초 V낸드 기술 개발을 통한 3차원 메모리 시장 창출로 연 매출 낸드 20조 원, SSD 10조 원 달성 등 반도체 산업 생태계 구축과 국가 반도체 기술 R&D 역량 강화에 기여한 공로를 인정받았다. 은탑 산업훈장과 동탑 산업훈장은 각각 정지완 솔브레인홀딩스 회장, 이병기 SK하이닉스 부사장에게 돌아갔다. 정 회장은 CVD·ALD용 박막재료, CMP슬러리...

2023-10-26 11:00
삼성전자, 美서 "초거대 AI 시대…HBM 등 신기술로 시장 선도"

삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이다. 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보한 상태다. 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 했다. 삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램...

2023-10-21 03:00
이정배 삼성전자 사장 "반도체 직접도 극한 수준까지…고객 맞춤형 제품도 만들 것"

이정배 삼성전자 사장이 "D램과 낸드플래시 직접도를 극한 수준으로 높여나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해나갈 것"이라고 말했다. 이 사장은 17일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 이같이 밝혔다....

2023-10-17 13:39
반도체 업황 반등 잇단 전망에…삼성·SK 준비 '착착'

내년 반도체 시장 규모 올해보다 10% 성장낸드플래시 등 메모리 반도체 시장 급반등삼성ㆍSK, 신제품 출시…인재 확보 치열 삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 불황 터널의 끝을 차곡차곡 대비하고 있다. 9일 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 글로벌 경기침체에 따른 수요 부진으로 위축된 메모리 반도체 시장이 내년에 가파르게 회복할 전망이다. 내년...

2023-09-09 06:00
10兆 게임시장 잡자...삼성전자, 게임 최적화 '고성능 SSD 4TB' 신제품 출시

'990 프로'시리즈 4TB는 삼성전자의 '1Tb 8세대 V낸드' 고밀도 적층 공정으로 단면(single-sided)으로 설계돼 다른 양면(double-sided) SSD보다 얇다. 단면 SSD는 양면 SSD 적용이 어려웠던 일부 슬림형 노트북을 포함한 모든 노트북에 장착할 수 있다. 삼성전자는 SSD 사용자를 위한 서비스도 강화한다. 삼성 매지션(Samsung Magician) 소프트웨어는 SSD의 펌웨어...

2023-09-07 14:09
삼성전자, 10월 '메모리 테크 데이' 개최…차세대 전략 주목

지난해 메모리 테크 데이에서 삼성전자는 올해 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표했다. 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 밝혔다. 한편 삼성전자 시스템LSI사업부는 10월 5일 새너제이에서 '시스템LSI 테크 데이' 행사를 통해 인간 기능에 근접한 최첨단 시스템 반도체...

2023-08-10 15:04
삼성ㆍSK, HBM 이어 낸드 적층 기술 경쟁 격화

SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력" SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 샘플을 공개하면서...

2023-08-09 16:14
300층 쌓은 SK하이닉스…블록도 아닌데 왜 쌓아야 좋은가요? [이슈크래커]

SK하이닉스가 321단 낸드플래시 샘플을 공개했습니다. 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산하겠다는 구체적인 출사표까지 던졌는데요. 업계의 관심이 모인 건 SK하이닉스의 이번 발표가 기존 낸드의 한계를 돌파했기 때문입니다. SK하이닉스의 이번 발표로 한동안 잠잠했던 반도체 업계의 낸드 적층 기술 경쟁에 다시 한번 불이 붙을 것으로 보입니다. 그런데...

2023-08-09 15:49
[종합] SK '최고층 낸드' 삼성 '차세대 SSD'…메모리 기술력 뽐낸 K-반도체

'K-반도체'가 첨단 반도체 산업의 심장부인 미국 실리콘밸리에 차세대 낸드플래시 초격차 기술을 일제히 공개했다. SK하이닉스는 세계 최초로 300단 이상의 낸드 개발을 공식화했다. 삼성전자는 업계 최고 성능의 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 선보였다. SK하이닉스, 삼성전자는 8일 샌타클래라 컨벤션센터에서...

2023-08-09 15:12
한종희 삼성전자 부회장 "위기 극복 비결은 본질에 집중하는 것"

이정배 사장은 DS부문 경영 현황 설명에서 "메모리는 30년간 1위 업체로서 사업 경쟁우위를 지속 유지하며 4세대 10나노급 D램 비중 확대, 7세대 V낸드 사업화 개시 등 차세대 기술 리더십을 강화하며 미래를 대비하고 있다"며 "파운드리는 역대 최대 매출을 경신하며 고객 수주를 지속 확대해 가고 있고 응용처 다변화, 포트폴리오 강화를 통해 글로벌...

2023-03-15 09:42
삼성전자, PC용 SSD 'PM9C1a' 출시...5나노 기반 컨트롤러 첫 탑재

신규 컨트롤러와 7세대 V낸드 탑재전력 효율 70% 높이고 소비전력 줄여 삼성전자는 5나노 기반 신규 컨트롤러를 탑재한 PC용 고성능 NVMe SSD 'PM9C1a'를 양산한다고 12일 밝혔다. 삼성전자가 PC용 SSD에 5나노 기반 컨트롤러를 탑재한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 PM9C1a에 첨단 5나노 파운드리 공정을 적용해 자체 설계한 신규 컨트롤러와...

2023-01-12 11:00
[10대 경제 희망키워드 ③반도체 부활] "투자 축소 없다"…삼성전자, 초격차 기술로 불황 정면돌파

낸드플래시 시장에선 지난 20년간 1위 자리를 지켰다. 이변이 없는 한 지난해에도 삼성전자의 막강한 ‘글로벌 지위’는 유지된 것으로 보인다. 메모리반도체 기술력은 ‘속도’와 ‘용량’, ‘소비전력’이 좌우한다. 삼성전자의 메모리반도체 기술은 이러한 삼박자를 고루 갖춘 ‘세계 최초’ 타이틀을 늘 달고 다닌다. 삼성전자의 메모리반도체 기술 개발...

2023-01-04 06:00

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