SK하이닉스 주가가 부진한 실적 발표에도 급등세를 보였다. 우려가 컸던 1분기 실적 확인에 따른 불확실성 해소로 안도감이 작용한데다 향후 생산량 출하 확대에 따른 기대감이 커진 데 따른 것으로 풀이된다. 이에 외국인들이 적극 매수에 나서며 주가 상승을 이끄는 모습이었다.
26일 유가증권시장에서 SK하이닉스는 전일 대비 6%(1650원) 오른 2만91
메모리반도체 시장 불황으로 SK하이닉스 1분기 영업이익이 반토막났다. D램과 낸드플래시 등 메모리반도체를 주수익원으로 하고 있는 SK하이닉스는 수요 부진과 반도체 가격 하락이 맞물리면서 2분기 연속 실적하향세를 이어갔다.
SK하이닉스는 26일 매출액 3조6560억원, 영업이익 5620억원, 순이익 4480억원의 올해 1분기 실적을 발표했다. 매출액과 영
SK하이닉스는 지난해에 이어 올해도 6조원 이상의 대규모 투자와 더불어 글로벌 경쟁력 강화를 통해 회사 전반적인 체질을 개선하고, 미래 성장 기반 마련에 더욱 집중할 계획이다.
2012년 SK그룹 편입 당시 반도체 업황이 불투명해 업계의 평균 투자 규모가 축소된 가운데서도, SK하이닉스는 투자를 전년 대비 10%가량 늘린 3조8500억원을 집행했다.
삼성전자는 자동차 전장부품과 IoT(사물인터넷)를 핵심 신성장동력으로 삼고 기존 사업을 강화함과 동시에 새로운 분야에 도전하고 있다.
첫 번째 신사업은 차 전장사업이다. 삼성전자는 지난해 말 전사 조직에 ‘전장사업팀’을 신설, 자동차 전장사업을 공식화했다. 단기간 내 전장사업 경쟁력 확보를 위해 초기에는 인포테인먼트와 자율주행에 역량을 집중한다.
삼성전자가 세계 최초로 '10나노급 D램 시대'를 열었다. 점진적인 가격 하락세가 이어지는 D램 시장에서 첨단기술을 앞세워 고부가가치를 얻을 수 있다는 분석이 이어진다.
삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 5일 밝혔다.
이번 제
삼성전자가 세계 최초로 18나노 D램을 양산하며 메모리반도체 시장 선두 지위를 다진다.
삼성전자는 올해 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노=10억분의 1미터) 8Gb DDR4 D램을 양산했다고 5일 밝혔다. 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한번 반도체
글로벌 메모리반도체 시장 불황에도 삼성전자 반도체가 역대 두 번째 1분기 영업이익을 기록할 전망이다. 글로벌 D램 시장 3위 마이크론이 올 2분기 적자전환했지만 삼성 반도체는 초격차 ‘프리미엄’ 기술경쟁력으로 수익성과 점유율을 동시에 높여나가고 있다.
5일 전자 및 증권업계에 따르면 올 1분기 삼성전자 반도체 부문은 역대 1분기 실적 중 두 번째로 높은
삼성전자가 올해 1분기 IM(IT·모바일)부문의 영업이익 비중이 50% 가량 차지하며 전체 실적을 이끌 것으로 관측된다. ‘갤럭시S7’의 판매실적이 예상보다 호조를 보이면서 다른 부진한 사업부문을 상쇄할 것이란 분석이다.
최근 증권 업계에서 삼성전자의 반도체와 디스플레이 부문에 대한 1분기 영업이익 컨센서스 하향에도 불구하고 영업이익 5조원 후반대를 기
삼성전자는 11일 서초사옥 다목적홀에서 주주, 기관투자자, 권오현 대표이사 부회장, 윤부근 대표이사 사장, 신종균 대표이사 사장 등 400여명이 참석한 가운데 ‘제 47기 정기 주주총회’를 열었다.
이날 주총에서는 각 사업부문 대표이사 사장의 경영성과 보고가 이뤄졌고 이후 정관 일부 변경, 이사 보수한도 승인, 이사 선임 등 다수의 주주친화 안건이 다뤄
삼성전자와 SK하이닉스가 미세공정으로 메모리반도체 가격 약세에 대응한다. D램과 낸드플래시 등 글로벌 메모리반도체 수요절벽이 지속되고 있는 가운데 비용절감을 통해 수익성을 극대화하려는 전략이다.
2일 업계에 따르면 삼성전자는 올 상반기 18나노 D램 양산에 돌입한다. 10나노급 미세공정 기술은 이미 확보한 상태로, 시장 상황을 고려해 양산 시기를 저울질
삼성전자가22일(현지시간) 스페인 바르셀로나에서 개막하는 '모바일 월드 콩그레스 2016 (Mobile World Congress 2016, 이하 MWC)’에서 가상현실 기기 ‘기어 VR’을 활용한 언팩(Unpacked) 행사와 새로운 MWC 전시 구성을 선보인다.
21일 열리는 이번 언팩 행사는 ‘한계를 넘어서(Beyond Barriers)’를 주제로
새로운 캐시카우로 자리잡은 반도체 부진으로 삼성전자의 5분기 연속 실적 상승세에 제동이 걸렸다. 반도체와 스마트폰의 동반 약세와 원화강세에 따른 4000억원의 부정적 환 영향으로 지난 4분기 영업이익은 6조1400억원에 그쳤다.
삼성전자가 28일 발표한 연결기준 지난해 4분기 실적은 매출 53조3154억원, 영업이익 6조1427억원, 당기순이익 3조22
최태원 회장의 통 큰 투자로 SK하이닉스가 3년 연속 흑자를 기록하며 최대 실적을 달성했다.
SK하이닉스는 지난해 매출액 18조7980억원, 영업이익 5조3360억원, 당기순이익 4조3240억원을 기록해 3년 연속 최대 경영실적을 기록했다고 26일 밝혔다. 매출은 9.8%, 영업이익은 4.4% 늘어난 수치다.
SK하이닉스는 3년 연속 흑자 기록에도
SK하이닉스의 8분기 연속 1조 클럽 달성에 제동을 건 요인은 큰 폭의 D램 가격 하락이다. 주수익원인 메모리반도체 D램 가격이 예상보다 크게 하락하며 지난해 4분기 SK하이닉스 영업이익은 2년여만에 1조원 아래로 떨어졌다. 다만 지난 한 해 메모리반도체 시장에서 점유율을 확대하며 사상 최대 연간 실적을 거뒀다.
SK하이닉스는 “지난해 4분기 기준 메모
최고기술 전문가로 성장할 수 있도록 지원하는 삼성전자의 ‘마스터’ 제도가 결실을 맺고 있다. 삼성전자는 마스터 제도에 힘입어 초격차 반도체 기술이라는 성과를 내면서 글로벌 시장을 리드하고 있는 메모리반도체에 이어 시스템반도체 분야에서도 기술을 축적해 나가고 있다.
22일 삼성전자에 따르면 마스터는 사내 분야별 연구원들이 연구에만 전념하며 해당 분야 전문
박성욱 SK하이닉스 사장이 2016년을 ‘위기를 기회로 바꾸는 한 해’로 만들겠다는 포부를 20일 밝혔다. 어려운 시장 상황 속에서 선도적 기술 개발을 통해 글로벌 시장 선두 지위를 더욱 공고히 한다는 계획이다.
SK하이닉스는 올해 주력 제품 메모리반도체 수익성 확대에 주력한다. 치열한 경쟁과 업황 악화로 주력 사업 메모리반도체 시장이 어려운 만큼 외
삼성전자가 현존 최고 속도 D램보다 7배 이상 빠른 ‘초고속 D램 시대’를 연다
삼성전자는 세계 최초로 고난이도 TSV(실리콘관통전극) 기술 기반 차세대 메모리 ‘4GB HBM2(고대역폭 메모리) D램’을 본격 양산한다고 19일 밝혔다.
TSV 기술을 적용한 HBM D램은 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 기존의 금선을 이용
삼성전자와 SK하이닉스가 글로벌 반도체 시장 지배력을 확고히 하고 있다. 두 업체는 5분기 연속 최고 기록을 경신하며 ‘반도체 코리아’를 이끌었다.
15일 시장조사기업체 IHS테크놀로지에 따르면 2015년 3분기 글로벌 D램 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스 점유율 합계는 73.5%로 전분기(72.5%)에 이어 다시 한번 역대 최고치를 경신했다.
두
삼성전자가 세계 최초로 ‘128GB D램 모듈’을 양산한다. 3차원 TSV(실리콘관통전극) 적층 기술을 적용해 최대 용량과 초절전 특성을 동시에 구현했다.
삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 ‘64GB DDR4 D램 모듈’ 양산에 성공, 3차원 D램 시장을 창출한데 이어 ‘128GB 서버용(RDIMM) D램 모듈’ 양산을 본격화했다고 26일 밝혔다.