SK하이닉스, 차세대 AI 메모리 HBM4E 12단 샘플 공급…“AI 혁신 주도”

HBM4보다 성능·전력효율 개선…열 저항 17% 낮춰
핀당 16Gbps 구현…AI 학습·추론용 메모리 경쟁력 강화
AI 데이터센터 겨냥…HBM 주도권 굳히기
주요 고객사 공급 돌입…HBM4E 양산 채비 본격화

▲SK하이닉스 HBM4E (사진=SK하이닉스)

SK하이닉스가 차세대 AI 메모리인 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 12단 제품 샘플을 주요 고객사에 공급하며 차세대 고대역폭 메모리 시장 선점에 나섰다.

SK하이닉스는 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다. 회사는 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 제품 개발을 완료했으며 고객사들과 협력을 통해 적기 양산 체제를 구축할 계획이다.

HBM4E는 현재 양산 중인 HBM4의 성능과 전력 효율을 한층 개선한 제품이다. 핀(Pin)당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했으며 에너지 효율도 20% 이상 향상됐다. AI 학습과 추론에 필요한 대규모 데이터 처리 성능을 높여 차세대 AI 서버와 데이터센터 수요에 대응할 수 있을 것으로 기대된다.

데이터 전송 지연도 줄였다. 최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 구현해 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 높였다는 설명이다.

패키징 기술도 강화했다. SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 반도체 칩 사이에 액상 보호재를 주입하는 이 공정을 통해 구조적 안정성을 높였으며 열 저항은 HBM4 대비 약 17% 개선했다.

업계에서는 HBM4E가 차세대 AI 가속기와 그래픽처리장치(GPU) 시장의 핵심 메모리로 자리 잡을 것으로 보고 있다. 최근 AI 학습뿐 아니라 추론 수요가 급증하면서 데이터 처리 속도와 전력 효율을 동시에 높인 고성능 메모리 확보 경쟁이 치열해지고 있기 때문이다.

SK하이닉스는 HBM3(4세대)와 HBM3E(5세대), HBM4(6세대)에 이어 HBM4E까지 제품 로드맵을 확대하며 AI 메모리 시장 주도권 강화에 나서고 있다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "업계 최고 수준의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 이끌 수 있는 기반을 마련했다"며 "시장과 고객이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서 기술 리더십을 더욱 공고히 하겠다"고 말했다.