국전, 안양 ‘이노베이션 센터’ 개소…차세대 반도체ㆍ전장 소재 R&D 가속화

입력 2026-05-11 13:44

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100명 규모 연구 인력 수용 시설 완비…글로벌 고객사 공동 개발 주도
스마트폰 경량화 소재 26년 상용화·방열 및 저유전 소재 27년 양산 목표
HBM 공정 소재 이어 AI 반도체ㆍFC-BGA 등 고부가가치 파이프라인 확장

▲국전은 11일 경기도 안양에 100명 이상의 연구 인력 수용 가능한 지하 1층, 지상 5층 규모의 연구시설을 완비한 ‘이노베이션센터'를 오픈했다. (사진제공 = 국전)
▲국전은 11일 경기도 안양에 100명 이상의 연구 인력 수용 가능한 지하 1층, 지상 5층 규모의 연구시설을 완비한 ‘이노베이션센터'를 오픈했다. (사진제공 = 국전)

의약품ㆍ첨단소재 전문 기업 국전이 경기도 안양에 차세대 소재 산업을 이끌 핵심 연구개발(R&D) 거점인 ‘이노베이션 센터’를 오픈하고 글로벌 첨단 소재 시장 공략을 본격화한다.

11일 국전에 따르면 이번에 문을 연 이노베이션 센터는 지하 1층, 지상 5층 규모로 100명 이상의 연구 인력을 수용할 수 있는 최첨단 연구 시설이다. 국전은 이곳을 차세대 반도체, 디스플레이, 자동차 전장 등 고부가가치 기능성 소재 분야에서 글로벌 고객사와의 공동 개발 및 기술 지원을 수행하는 전초기지로 활용할 방침이다.

센터 개소와 함께 구체적인 기술 상용화 로드맵도 공개됐다. 우선 국내 고객사와 공동 개발 중인 스마트폰 경량화 소재 2개 품목은 현재 다수의 샘플 제출을 마치고 평가를 진행 중이며, 오는 2026년 하반기 상용화를 목표로 하고 있다.

산업계의 화두인 ‘방열 제어’ 솔루션 개발에도 속도가 붙을 전망이다. 국전은 열전도율 특성이 구현된 고열전도성 열경화 수지 시스템을 개발 중이며, 연말까지 1.0W/mk 이상의 제품 개발을 완료할 계획이다. 이를 통해 글로벌 고객사와 협력하여 2027년 상반기 양산 적용을 추진한다는 구상이다.

미래 먹거리인 차세대 반도체 패키징 분야의 파이프라인도 강화됐다. 인공지능(AI) 반도체용 저유전 소재 및 차세대 고단층 고대역폭메모리(HBM) MUF용 전자급 고성능 에폭시 소재 등과 관련해 신규 고객사들과 비밀유지계약(NDA)을 체결했으며, 2027년 상반기 양산을 목표로 공동 개발에 박차를 가하고 있다.

이선우 국전 소재기술연구소장은 “기존 HBM 공정용 첨단 소재 상용화를 교두보로 삼아 AI 반도체용 저유전 소재와 열 전달 소재를 회사의 핵심 동력원으로 육성하겠다”며 “전사적 역량을 집중해 국전만의 독자적인 기술력을 완성해 나갈 것”이라고 말했다.

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