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SK하이닉스, 연구개발 투자 사상 첫 3조 돌파

입력 2020-02-27 09:29 수정 2020-02-27 10:48

매출액 대비 연구개발비 비중 11.8%로 증가

(사진제공=SK하이닉스)
(사진제공=SK하이닉스)

SK하이닉스가 지난해 연구개발에 사상 최대 규모를 투자한 것으로 나타났다.

SK하이닉스의 지난해 연구개발비는 반도체 불황 등 어려운 경영 환경 속에서도 사상 처음으로 3조 원을 돌파했다.

27일 SK하이닉스가 공시한 연결감사보고서에 따르면 2019년 연구개발 총지출액은 3조1885억 원으로 집계됐다. 이는 전년(2조8950억 원) 대비 10.2% 늘어난 규모다.

지난해 매출액(26조9907억 원)은 전년 대비 33.3%, 영업이익(2조7127억 원)은 87% 각각 감소했지만, 연구개발비는 증가했다.

이에 따라 매출액 대비 연구개발비 비중도 지난해 11.8%로 2018년 7.2%보다 4.7%포인트 이상 올랐다.

SK하이닉스는 지난해 5월 1Tbit(테라비트) QLC(Quadruple Level Cell) 제품을 개발해 주요 SSD(Solid State Drive) 컨트롤러 업체에 샘플을 출하했다. 이어 6월에는 세계 최초로 128단 1Tbit TLC 4D 낸드플래시를 개발하고 양산을 시작했다. 128단은 업계 최고 적층이며, 1Tb 용량 또한 TLC 낸드로는 최초다.

또 SK하이닉스는 지난해 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발에도 성공했다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.

SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 D램도 개발했다.

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