‘AI 승부수’ 삼성전자 “HBM 생산량 3배 확대하고 절반은 HBM4”

미국 엔비디아 GTC서 HBM4E 공개
황상준 부사장 “프리미엄 집중”

▲엔비디아 젠슨 황 CEO가 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있는 모습. 사진 좌측부터 황상준 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 파운드리 사업부장 사장. 제품은 사진 좌측부터 삼성전자 HBM4 코어다이 웨이퍼와 그록(Groq) LPU 파운드리 4나노 웨이퍼. 각 웨이퍼에는 'AMAZING HBM4'와 'Groq Super FAST'라는 젠슨 황 CEO의 친필 서명이 적혀있다. (사진제공-삼성전자)

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)를 앞세워 인공지능(AI) 메모리 시장 주도권 확보에 속도를 내고 있다. 올해 생산량을 지난해 대비 3배 이상으로 확대하는 동시에, 물량의 절반 이상을 차세대 제품인 ‘HBM4’에 집중하며 수익성과 기술 경쟁력을 동시에 끌어올리겠다는 전략이다. AI 수요 급증으로 메모리 공급 부족이 이어지는 상황에서 범용 제품보다 고부가가치 제품 중심으로 체질을 전환하겠다는 의도로 풀이된다.

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 개막한 엔비디아의 연례 개발자회의 ‘GTC 2026’에서 기자들과 만나 “가파르게 램프업(증산)을 하고 있고 (생산에) 크게 문제는 없다”고 밝혔다. 이어 “전체 HBM에서 HBM4를 절반 이상 가져가는 것이 목표”라며 “공급이 약간 부족한 상황이면 프리미엄 제품으로 공급을 집중하는 것이 전체 산업 측면에서 좋다”고 말했다.

황 부사장은 글로벌 메모리 공급 부족 상황과 관련해 전략적 공급이 불가피하다는 점도 언급했다. 그는 전략적으로 공급해야 하는 파트너와 양산 제품을 공급해야 하는 파트너 등을 고려해 공급 물량을 맞출 수밖에 없다고 설명했다.

삼성전자는 이번 전시에서 차세대 제품인 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 선보였다. HBM4 양산을 통해 축적한 10나노급 1c(6세대) D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발에 앞서고 있다. 제품은 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

삼성전자는 HBM4E에 이어 HBM5와 HBM5E에는 기존 4나노보다 한층 고도화한 2나노 베이스다이 공정을 적용할 계획이라고 밝혔다. 적층용 칩인 코어 다이에는 10나노급 1c, 1d(7세대) 공정을 적용한다. 황 부사장은 “원가 부담은 있지만 HBM이 지향하는 제품과 개념을 맞추려면 선단 공정 활용이 불가피하다”고 말했다.

엔비디아와의 협력 관계도 이어진다. 이날 엔비디아가 공개한 신형 추론 칩 ‘그록3(Groq3)’는 삼성전자 평택캠퍼스에서 생산될 예정이다. 엔비디아는 제품 공개 과정에서 삼성전자 파운드리를 직접 언급했다.

▲삼성전자 HBM4 제품 사진 (사진제공-삼성전자)

황 부사장은 그록이 엔비디아와 라이선스 계약을 체결하기 이전부터 삼성 파운드리 고객이었다는 점도 강조했다. 그는 그록이 엔비디아와 계약을 맺으면서 삼성과의 협력이 약화될 수 있다는 우려가 있었지만, 엔비디아가 제품 경쟁력을 인정하면서 기존 생산 체제를 유지하기로 했다고 설명했다.

한때 삼성전자는 엔비디아향 HBM3E 납품에서 기대만큼 성과를 내지 못하며 주도권 경쟁에서 밀렸다는 평가를 받았다. 그러나 HBM4에 역량을 집중하고 HBM4E를 선제적으로 공개하며 차세대 제품에서 승기를 되찾겠다는 전략으로 풀이된다.

한편 삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 앞세워 HBM4를 중심으로 메모리와 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징까지 아우르는 종합반도체 기업(IDM)으로서의 역량을 강조했다. ‘Nvidia Gallery’에서는 엔비디아와의 협력을 통해 AI 플랫폼을 구축해온 양사의 파트너십도 부각했다.