[테크리더십] 삼성전자, ‘반도체 비전 2030’…초격차 기술 성과

▲화성캠퍼스 EUV 라인 전경 (사진제공=삼성전자)

삼성전자는 2030년까지 메모리 반도체뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 ‘반도체 비전 2030’을 선포했다.

이를 위해 삼성전자는 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 133조 원을 투자하고, 전문인력 1만5000명을 채용하기로 했다.

삼성전자는 지난 1년 동안 반도체 분야에서 초격차 기술 개발에 집중해 왔다. 메모리 사업은 어려웠던 시장 상황에도 불구하고, 1위 업체로서 경쟁우위를 유지하며 견고한 실적을 달성했다. 또한, 3세대 10나노급 D램 양산과 6세대 V낸드 개발 등으로 기술 리더십을 강화해 미래를 대비하고 있다.

파운드리는 업계 최초로 극자외선 노광장비인 EUV(Extreme Ultra Violet)를 적용한 7나노를 양산했고, 1억 화소 해상도의 이미지센서와 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형MRAM) 솔루션을 상용화했다.

시스템LSI는 5G 모뎀 상용화 등 SoC(System on Chip) 기술 리더십을 확고히 하고, 중국 시장 진입을 통한 글로벌 사업 확대의 기반을 마련했다. 또한, 이미지센서는 고해상도 제품을 개발해 시장 트렌드를 주도하며 중국 시장점유율 1위를 유지하고 있다.

삼성전자는 메모리에서 4세대 10나노급 D램과 7세대 V낸드 개발로 기술 격차 확대에 주력할 계획이다. 또, HBM(High Bandwidth Memoryㆍ고대역폭 메모리) 등 차별화된 제품 개발을 통해 신성장 시장 분야에서 주도권을 확보할 방침이다.

파운드리는 5나노 양산과 4·3나노 적기 개발 등 미세 공정에서 리더십을 지속 강화할 계획이다.

시스템LSI는 5G 모뎀 상용화 등 모바일 분야에서 보여준 SoC 기술과 이미지센서의 혁신적인 기술 리더십을 지속 강화할 방침이다. 또한, AI, 전장 등 신성장 사업의 확대를 위해 차세대 기술 기반을 확보해 나갈 예정이다.