[초일류 기술을 키워라] SK하이닉스, 고성능 메모리반도체산업 선도

▲박성욱 SK하이닉스 사장이 지난달 30일 열린 '제2회 SK하이닉스 학술대회'에서 참석자들을 격려하고 있다. (사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 주력 제품인 메모리반도체 기술 경쟁에 속도를 내고 있다. 고성능 D램 개발 및 낸드플래시와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 경쟁력 강화에 주력하며 수익성 확대에 박차를 가할 계획이다.

우선 고성능 D램 개발을 통해 차세대 D램 시장 지배력을 확대한다. DDR 제품을 기반으로 진화를 지속해 온 D램은 최근 고성능에 대한 수요가 늘고 있다.

SK하이닉스는 지난해 12월과 올해 4월 업계 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술을 기반으로 한 초고속 메모리 HBM과 128GB 서버용 모듈을 개발해 상품화를 진행 중이다.

또한 지난달에는 업계 최초로 차세대 ‘와이드 IO2 모바일 D램’을 개발했다. 현재 주요 SoC(시스템 온 칩) 업체에 샘플을 공급한 상태로 내년 하반기 양산에 돌입, 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화할 계획이다.

높은 안정성을 요구하는 소비자를 대상으로 한 특화 솔루션도 준비 중이다. SK하이닉스는 세계 최초로 20나노급 4Gb DDR4 기반 최대 용량(16GB)의 하이브리드 D램 모듈(NVDIMM)을 개발했다. 이 제품은 한 모듈에 D램, 낸드플래시 및 모듈 컨트롤러를 결합한 제품으로 전원 손실이 발생하는 경우에도 D램의 데이터를 낸드플래시로 전송, 데이터를 안전하게 저장·복구할 수 있다.

동시에 시장 변동에 탄력적으로 대응하기 위해 SSD 사업에도 힘을 쏟고 있다. SK하이닉스는 당초 계획보다 앞당겨 지난 6월부터 기업용 SSD 양산체제에 돌입, 연말까지 전체 낸드플래시 매출에서 SSD 매출 비중을 10% 이상으로 끌어올릴 계획이다.