“차세대 HBM·패키징 기술 선봬”...삼성·SK, 美‘ ISES 2025’서 나란히 발표

4월 美 실리콘밸리서 개최
구글ㆍ엔비디아 등도 발표

▲국제반도체산업그룹(ISIG)이 4월 8~9일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '글로벌 반도체 경영진 서밋(ISES) USA 2025'을 개최한다. (자료출처=ISIG)

삼성전자와 SK하이닉스가 미국에서 열리는 글로벌 반도체 포럼에 나란히 참가해 차세대 인공지능(AI) 솔루션 및 기술을 선보인다. 특히 양사는 올해도 고대역폭메모리(HBM) 개발에 박차를 가하고 있는 만큼 현재 기술 현황과 미래 과제 등을 소개할 것으로 예상된다.

3일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 4월 8~9일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열리는 ‘글로벌 반도체 경영진 서밋(ISES) USA 2025’에 참가한다.

ISES는 국제반도체산업그룹(ISIG)이 주최하는 반도체 전문 국제포럼으로, 주요 글로벌 반도체 기업의 경영진이 연사로 참여해 첨단 반도체 산업의 주요 신기술과 미래 방향성을 논의하는 행사다.

이번 행사는 ‘AI 혁신: 반도체 발전의 새로운 물결을 이끌다’라는 주제로 열린다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업뿐만 아니라 브로드컴, 구글, 엔비디아, 마이크론, AMD 등 글로벌 반도체 및 빅테크 기업 주요 임원진들도 자사의 차세대 AI 기술에 관해 발표할 예정이다.

삼성전자에서는 빈센트 김 미국 디바이스솔루션(DS) 패키징 담당 부사장이 ‘HBM 개발과 메모리 확장’을 주제로 패널로 무대에 오른다. 올해 HBM 시장에서 주도권을 잡기 위해 사활을 걸고 있는 만큼, 차세대 HBM 제조 기술 및 제품 개발 현황 등에 관해 발표할 것으로 보인다.

현재 삼성전자는 1분기 말 공급을 목표로 5세대 HBM인 HBM3E 개선 제품 개발하고 있다. 개선 제품의 가시적인 공급 증가는 2분기 본격화할 전망이다. 하반기 양산 목표인 HBM4(6세대) 역시 삼성전자가 올해 승부수를 띄울 병기로 꼽힌다. 삼성전자는 HBM4에 선제적으로 10나노급 6세대(1c) 기반 D램을 적용하기로 했다. 경쟁사인 SK하이닉스는 1c D램을 HBM4E(7세대)부터 적용한다.

SK하이닉스에서는 이재식 패키지 엔지니어링 담당 부사장이 연단에 올라 ‘AI에서의 HBM과 첨단 패키징’을 주제로 발표한다. 그는 차세대 패키징을 통한 HBM 적층 기술과 향후 로드맵에 관해 설명할 예정이다. 패키징이란 단일 칩을 쌓아 붙이는 후(後)공정 작업을 말한다. 반도체를 수평 혹은 수직으로 붙임으로써 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있다.

특히 SK하이닉스는 이번 행사에서 업계 게임체인저로 꼽히는 ‘하이브리드 본딩’ 패키징 기술 개발 현황도 발표할 것으로 점쳐진다.

하이브리드 본딩은 과 칩 사이 연결 부위인 범프없이 구리로 직접 접합시키는 패키징 방식이다. 이를 통해 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층을 할 수 있다. SK하이닉스는 HBM4E 제품부터 본격적으로 하이브리드 본딩을 적용할 예정이다.

이강욱 SK하이닉스 패키지개발 담당 부사장은 지난해 10월 서울 코엑스에서 열린 ‘반도체대전 2024’ 기조연설에서 “패키징을 지배하는 자가 앞으로 반도체 시장을 지배할 것이라고 생각한다. 향후 기업의 생존을 좌우하는 형태까지 될 것”이라고 강조하면서 향후 패키징에도 중점을 두겠다고 강조하기도 했다.

한편 ISES는 올해 한국에서도 개최된다. 8월 27~28일 수원컨벤션센터에서 차세대 반도체 패키징 산업전과 함께 대규모로 열릴 계획이다.

▲SK하이닉스 HBM3E 12단 제품 (사진제공=SK하이닉스)