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  • 한미반도체, 딥러닝 구현을 위한 HBM 수요 증가 전망...목표주가 3만2000원↑
    한미반도체, 딥러닝 구현을 위한 HBM 수요 증가 전망...목표주가 3만2000원↑
    아울러 그는 “어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 시장은 2023년 15억달러에서 2027년 25억달러로 성장할 것으로 딥러닝 구현을 위한 AI GPU와 관련된 HBM 수요는 더욱 증가하고 있으며, SK하이닉스 역시 지난 4월 20일 TSV 기술을 적용한 12단 적층 구조의 24GB(기가바이트)의 HBM3를 출시했다”면서 “SK하이닉스의 HBM 글로벌 시장 점유율은 2022년 50%에서 2023년...
    2023-05-03 08:00
  • SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 HBM3 개발…"D램 주도권 확보"
    SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 HBM3 개발…"D램 주도권 확보"
    어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했고, 또 TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다고 회사는 전했다. SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목을...
    2023-04-20 09:32
  • 한미반도체, HBM 붙여주는 본딩 장비 고객사 납품 중...목표주가 2만5000원↑
    한미반도체, HBM 붙여주는 본딩 장비 고객사 납품 중...목표주가 2만5000원↑
    이어 도 연구원은 “HBM1 용 본딩 장비를 대량 주문한 고객사가 HBM3으로 업그레이드 장비 구매를 고려하는 것으로 파악되어 기존 2024년 관련 매출 추정 212억 원을 716억 원으로 조정했다”면서 “인공지능 연산 시장을 95% 수준 점유하고 있는 Nvidia의 H100 연산 프로세서는 HBM3을 탑재하고 있으며, HBM3은 TSV(Through Silicon Vias) 공정을 통해 12개의 DRAM 다이를...
    2023-04-18 08:05
  • [특징주] 자비스, 세계 최초 반도체 핵심공정 검사장비 삼성전자 공급 기대감에 상승세
    [특징주] 자비스, 세계 최초 반도체 핵심공정 검사장비 삼성전자 공급 기대감에 상승세
    현재 반도체 플립칩 패키지의 납땜 등 외부 결함은 산업용 카메라(광학식 카메라) 기반의 비젼 검사로 일부 가능하나 패키지 내부, 플립칩 범프 내부의 결함인 기공(void) 검사, 다층으로 스택된 구조의 고대역폭 메모리(HBM)에 많이 사용되는 TSV 결함은 광학식 카메라를 사용한 검사가 불가능한 것으로 알려져 있다. 또한 자비스의 배터리 검사장비는 국내...
    2023-03-16 13:50
  • “한미반도체, 공급 확대로 성장 동력 확보 기대”
    “한미반도체, 공급 확대로 성장 동력 확보 기대”
    곽민정 현대차증권 연구원은 27일 “반도체 업계에서 가장 화두가 되고 있는 것은 Chiplet과 챗GPT”라며 “이를 구현하기 위한 advanced packaging을 통한 성능과 효율성 개선을 위해 HBM, PIM-HBM이 요구되며 이에 따라 동사의 TSV-TC 본더와 같은 고성능 장비에 대한 수요가 증가할 것으로 예상한다”고 분석했다. 곽 연구원은 “올해 1분기 전방 대만...
    2023-02-27 08:17
  • “한미반도체, HBM 탑재 매출 가시화…목표가 1.8만원 상향”
    “한미반도체, HBM 탑재 매출 가시화…목표가 1.8만원 상향”
    이어 “한미반도체는 반도체 다이를 서로 붙여주는 TSV/TC Bonder 등의 장비를 제조하고 있다”며 “최근 인공지능 연산에 필수적인 고성능 GPU에 동반되는 HBM(High Bandwidth Memory)를 붙여주는 본딩 장비도 제조해서 고객사에 납품 중”이라고 덧붙였다. 특히 머신러닝 연산에 가장 많이 사용되는 엔비디아(Nvidia)의 최신 고성능 제품 H100에 HBM3이 적용...
    2023-02-07 08:12
  • 이정배 삼성전자 사장 “반도체 공정 도전 직면…유기적 협력으로 풀어야”
    이정배 삼성전자 사장 “반도체 공정 도전 직면…유기적 협력으로 풀어야”
    메모리 반도체 사업에선 EUV(극자외선)와 HKMG 등 시스템 반도체 기술을 들여온 것, 패키지(후공정) 부문에선 EMIB 등의 2.5D 기술, 실리콘관통전극(TSV)을 활용한 3D 기술 제품화에 성공한 점, 시스템 반도체 사업에서도 게이트올어라운드(GAA)와 같은 새 트랜지스터를 개발했다는 점 등을 예로 들었다. 이러한 기술은 전력 소모를 획기적으로 줄이고 전체적인 제품 성능을...
    2021-10-26 15:20
  • 삼성전자, ‘뇌 신경망’ 복사해 ‘반도체’에 붙여넣는다
    삼성전자, ‘뇌 신경망’ 복사해 ‘반도체’에 붙여넣는다
    이를 위해 3차원 플래시 적층 기술과 고성능 D램에 적용되는 TSV(실리콘관통전극)를 통한 3차원 패키징 등 최첨단 반도체 기술의 활용을 제안했다. 이번 연구는 학계와 업계의 기술 리더들이 참여해 신경 과학과 메모리 기술을 접목, 차세대 인공지능 반도체에 대한 비전을 보였다는 점에도 의의가 있다고 삼성전자는 설명했다. 삼성전자 종합기술원 함돈희 펠로우는...
    2021-09-26 09:16
  • "공장 짓고 인재 찾고" 뜨거워진 반도체 패키징 시장
    "공장 짓고 인재 찾고" 뜨거워진 반도체 패키징 시장
    HBM은 3차원 적층 기술인 실리콘관통전극(TSV)을 활용해 D램을 수직으로 쌓은 메모리를 뜻한다. 이러한 연장선에서 회사 측은 현재 또 다른 패키징 기술인 팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키지(FO-WLP)와 관련한 경력 인력도 모집 중이다. TSV, FO-WLP 등은 대표적인 최첨단 패키징 기술이다. 기술 개발과 더불어, 자체 생산기지 움직임도 활발하다. 이미 후공정 분야에서 상당한...
    2021-08-02 14:25
  • SK하이닉스, 초고속 D램 개발 '박차'…윤곽 드러낸 차세대 제품
    SK하이닉스, 초고속 D램 개발 '박차'…윤곽 드러낸 차세대 제품
    HBM은 3차원 적층 기술인 실리콘관통전극(TSV)를 활용해 D램을 수직으로 쌓은 메모리를 뜻한다. 패키지 면적을 줄이면서도 전송 속도를 높였다는 점이 특징이다. 단시간에 대용량 데이터를 처리할 수 있다는 점에서 인공지능(AI), 슈퍼컴퓨터, 고성능 서버 등의 분야에 주로 쓰인다. 시장에서 매출 비중이 크진 않지만, 고부가 기술이 탑재됐다는 점에서...
    2021-06-13 11:00
  • [종합] 활짝 열린 DDR5 시장…뜨거워진 차세대 D램 기술경쟁
    [종합] 활짝 열린 DDR5 시장…뜨거워진 차세대 D램 기술경쟁
    범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술이 적용된 점도 특징이다. TSV는 차세대 후공정 기술 중 하나로, 메모리 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 복수의 칩을 적층하는 방식이다. 이 역시 반도체의 고성능ㆍ저전력이 가능하도록 돕는다. DDR5 시장은 지난해 7월 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 DDR5의 표준 규격을 공식적으로...
    2021-03-25 12:27
  • “고용량·고성능 동시에” 삼성전자, 업계 최초 HKMG 적용 DDR5 메모리 개발
    “고용량·고성능 동시에” 삼성전자, 업계 최초 HKMG 적용 DDR5 메모리 개발
    또한, 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐다. 삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다. 삼성전자는 2014년 세계최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량...
    2021-03-25 11:00
  • 누가 더 잘 쌓나…삼성·TSMC 3D 패키징 전쟁
    누가 더 잘 쌓나…삼성·TSMC 3D 패키징 전쟁
    이 기술은 반도체를 적층하는 과정에서 와이어를 이용해 칩을 연결하는 대신, 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용한다. 이를 통해 데이터 처리속도를 획기적으로 향상했고, 전력 효율도 높였다는 것이 특징이다. 다만 삼성전자의 경우 TSMC처럼 자체 후공정 팹을 만들지는 않았다. 대신 세계 2위...
    2021-01-26 16:00
  • 진교영 반도체협회장 “포스트 코로나 해법은 ‘K-반도체’”
    진교영 반도체협회장 “포스트 코로나 해법은 ‘K-반도체’”
    김 부사장은 CTF기반 96단 512Gb 4D 낸드플래시, TSV 기술 기반의 HBM 및 최고속 HBM2E 기술 개발이 수상 이유로 꼽힌다. 이밖에도 반도체 재료 국산화 및 신기술 개발 등을 통해 경쟁력 확보에 기여한 솔브레인 박휴범 전무, 카메라 센서 분야 등 신기술 개발을 통한 시장 개척에 기여한 삼성전자 이경호 수석이 산업포장을 수상했다. 대통령 표창은 라온텍 김보은...
    2020-10-29 16:00
  • 삼성전자, 최첨단 EUV 시스템반도체에 3D 적층 기술 업계최초 적용
    삼성전자, 최첨단 EUV 시스템반도체에 3D 적층 기술 업계최초 적용
    또 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 시스템반도체의 데이터 처리속도를 획기적으로 향상 시킬 수 있고, 전력 효율도 높일 수 있다. TSV 기술은 와이어를 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다. 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다. 이 외에도 위아래 칩의 데이터 통신...
    2020-08-13 11:00
  • 풀HD영화 124편 1초 만에 전달…SK하이닉스, 초고속 D램 ’HBM2E’ 본격 양산
    풀HD영화 124편 1초 만에 전달…SK하이닉스, 초고속 D램 ’HBM2E’ 본격 양산
    용량도 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. 초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 적용될 예정이다. 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할...
    2020-07-02 11:00
  • [종합] 반도체 초격차 이어가는 삼성, 신종 코로나가 복병
    [종합] 반도체 초격차 이어가는 삼성, 신종 코로나가 복병
    삼성전자는 16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만 개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'을 이 제품에 적용했다. 특히 이 제품은 '신호전송 최적화 회로 설계'를 활용해 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트의 속도로 410기가바이트의 데이터를 처리한다. 풀HD(5기가바이트) 영화 82편을 1초에...
    2020-02-04 11:33
  • 삼성전자, AI·차세대 슈퍼컴퓨터용 초고속 D램 세계최초 출시
    삼성전자, AI·차세대 슈퍼컴퓨터용 초고속 D램 세계최초 출시
    삼성전자는 16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'을 이 제품에 적용했다. 특히 이 제품은 '신호전송 최적화 회로 설계'를 활용해 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트의 속도로 410기가바이트의 데이터를 처리한다. 풀HD(5기가바이트) 영화 82편을 1초에...
    2020-02-04 08:36
  • [개장전] 증권사 추천주(10/8)
    하반기 회복후공정의 신기술(EMI, Fan-Out, TSV) 도입이 성장 기회하나금투 김경민 LG전자기대 상회한 3분기 영업이익매출액과 영업이익만 잠정 발표, 영업이익 컨센 29% 상회Valuation 매력적이나, 본격적인 주가 반등에는 모멘텀 다소 부족한국투자 조철희투자의견:매수/목표주가:8만4000원
    2019-10-08 08:20
  • [사설] 삼성 초격차 반도체 개발, 기업 활력 진작을
    삼성전자가 최첨단 반도체 패키징 기술인 ‘12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)’ 기술을 최초로 개발했다고 7일 발표했다. 곧 이 기술을 적용한 업계 최대 용량의 24GB급 대용량 고대역폭 메모리(HBM) 제품의 양산에 들어갈 예정이다. 기존에는 D램 칩을 쌓을 때 와이어로 연결하지만, 새 기술은 칩에 머리카락 굵기 20분의 1 수준인 미세 전자통로를 뚫어 연결하는...
    2019-10-08 05:00
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