
KB증권은 삼성전자에 대해 고대역폭메모리(HBM) 생산 확대에 따른 일반 디램(DRAM) 공급 부족 장기화와 함께, 대규모 주주환원 정책 확대가 기대된다고 내다봤다.
1일 김동원 KB증권 리서치본부장은 "삼성전자는 '코리아 프리미엄 위크 2026'에서 전 세계 DRAM 전체 웨이퍼 생산능력 중 HBM이 차지하는 비중이 2027년 3분의 1을 넘어설 것으로 전망했다"며 "불과 2~3년 만에 전체 DRAM 웨이퍼 생산능력의 30%를 사용하는 새로운 제품군이 등장한 만큼, 현재 공급 구조에서는 오히려 일반 DRAM의 공급 부족이 발생하지 않는 것이 이상한 상황"이라고 진단했다.
이에 삼성전자의 HBM을 제외한 일반 DRAM의 생산 능력 비중은 2025년 73%에서 2026년 65%, 2027년 59%로 지속 감소할 것으로 추정됐다.
HBM 공급 확대에 따른 가격 상승세도 가팔라질 전망이다. 김 본부장은 "2027년 말 DRAM 3사의 HBM 웨이퍼 투입 비중이 전체의 30%에 달하더라도, 비트(Bit) 용량 기준 HBM 공급 비중은 13%에 그칠 것"이라며 "이는 HBM이 일반 DRAM 대비 웨이퍼 소모량이 3배 이상 커, HBM 생산 확대가 일반 DRAM 공급 능력을 잠식하는 구조이기 때문"이라고 설명했다.
이어 "삼성전자의 HBM4 매출 비중은 2026년 40%에서 2027년 80%로 확대될 것"이라며 "이에 따라 2027년 HBM 판매 가격은 전년 대비 100% 이상 상승할 것으로 추정된다"고 했다.
파격적인 주주환원 정책과 실적 성장세에 대한 기대감도 드러냈다. 김 본부장은 "올해 하반기 삼성전자는 분기 평균 영업이익 100조원 이상 달성이 유력하며, 연간 영업이익은 2026년 368조원, 2027년 555조원으로 예상된다"며 "최근 3개년 주주환원 잔여 재원을 110조원으로 가정할 경우, 3분기 30조원과 4분기 40조원 등 총 70조원 규모의 현금 배당과 40조원 규모의 자사주 매입·소각이 가능할 것"이라고 진단했다.
끝으로 "차기 3개년 신규 주주환원 정책에서도 잉여현금흐름(FCF)의 50%를 환원한다고 가정할 경우, 주주환원 규모는 최근 3개년 140조원에서 차기 3개년 600조원으로 4배 이상 대폭 확대될 전망"이라고 덧붙였다.



