SK하이닉스, 산학 공동특허 5건 선정⋯차세대 메모리 기술 발굴

서울대 고속 메모리 인터페이스 기술 최우수상
차세대 전극·ALD/CVD 공정 등 연구성과 시상

▲SK하이닉스는 16일 이천캠퍼스에서 ‘2026 산학연구과제 우수발명 시상식’을 열고 지난해 출원된 산학 공동특허 26건 가운데 5건을 우수발명으로 선정했다고 밝혔다. (사진=SK하이닉스)

SK하이닉스가 고속 메모리 인터페이스와 차세대 메모리 공정 등 산학협력을 통해 확보한 반도체 연구 성과를 선정해 시상했다.

SK하이닉스는 이천캠퍼스에서 ‘2026 산학연구과제 우수발명 시상식’을 열고 지난해 출원된 산학 공동특허 26건 가운데 5건을 우수발명으로 선정했다고 16일 밝혔다. 최우수상 1건과 우수상 1건, 장려상 3건이다.

최우수상은 최우석 서울대학교 교수의 ‘차세대 다중 레벨 신호 전송을 위한 회로 설계’ 관련 특허가 받았다. 연산 칩과 메모리 사이의 데이터 전송 속도를 높이면서 전력 소모를 줄이고 고속 메모리 인터페이스에서 발생하는 전원 잡음 문제를 개선한 기술이다.

AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 확대로 연산 칩과 메모리 사이에서 대용량 데이터를 빠르게 전달하는 고속 인터페이스의 중요성이 커지고 있다. 연구진은 기존 PAM3 방식보다 안정적으로 데이터를 전송할 수 있다는 점을 실측을 통해 확인했으며 관련 특허를 SK하이닉스와 공동 출원했다.

우수상에는 김형준 연세대학교 교수의 차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 관련 특허가 선정됐다. 공정 조건을 조정해 전극의 물성과 소자 특성을 제어하는 기술로 별도의 복잡한 추가 공정을 줄이면서 차세대 고집적 메모리에 필요한 특성을 구현할 수 있는 것이 특징이다.

장려상은 황철성 서울대학교 교수의 ‘수직형 SOM 셀 물질 증착을 위한 고온 ALD·CVD 공정’, 최병준 서울과학기술대학교 교수의 ‘차세대 메모리용 고온 ALD·CVD 전구체 및 공정’, 한재덕 한양대학교 교수의 ‘UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로’ 관련 특허가 각각 선정됐다.

SK하이닉스는 2013년부터 매년 대학과 공동으로 수행한 연구과제 가운데 기술적 성과와 특허 가치가 높은 발명을 선정해 포상하고 있다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장은 “산학 협력을 통해 발굴된 우수 특허가 국내 반도체 산업의 기술 경쟁력을 높이는 데 기여할 것으로 기대한다”며 “앞으로도 도전적이고 혁신적인 연구가 활발히 이뤄질 수 있도록 적극적인 지원을 이어가겠다”고 말했다.