삼성전자, 메모리·파운드리 중심 정상화 나선다

하반기 HBM3E 판매 비중 '90%' 후반
1c 탑재한 HBM4 개발 속도⋯샘플 공급
파운드리, 테슬라 수주로 반등 기회 마련

▲삼성전자 서초사옥. (이투데이DB)

삼선전자 실적 부진의 원인은 ‘반도체’였다. 특히 고대역폭 메모리(HBM) 시장을 선점하지 못했던 부작용이 점점 커지고 있다는 지적이다. 삼성전자는 하반기 고부가 제품인 HBM3E(5세대) 판매 비중을 대폭 늘려 수익성 확보에 주력할 계획이다.

이와 동시에 차세대 제품인 HBM4(6세대) 개발에도 속도를 내 시장 수요에 적기에 대응한다는 목표다. 조 단위 적자를 이어가던 파운드리는 최근 미국 전기차 업체 테슬라를 고객사로 확보한 것을 발판으로 빅테크 고객 수주에 주력한다.

삼성전자는 31일 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “하반기에는 불확실성이 있지만, 주요 클라우드 서비스 제공업체(CSP)들의 투자 지속으로 인공지능(AI) 수요는 강할 것으로 예상된다”며 “HBM3E는 단계적으로 고객사별 양산 승인 완료와 함께 수요를 지속 확보하고 있다. 하반기 HBM3E 비중은 90% 후반 수준을 상회할 것”이라고 말했다.

HBM3E는 현재 시장 주류 제품이다. 삼성전자는 지난달 미국 반도체 기업 AMD와 HBM3E 12단 제품 공급 협력을 공식화한 바 있다. 브로드컴에도 HBM3E 8단을 납품하고 있는 것으로 알려졌다.

다만 여전히 AI 시장 큰손인 엔비디아에는 공급이 지연되고 있다. 그러나 일각에서는 시장에서 HBM3E 공급이 넘치는 수요를 따라가지 못하면서 조만간 엔비디아가 삼성전자 제품을 적극적으로 채용할 것이란 시각도 있다. 최근 엔비디아가 중국 수출용 저사양 AI 반도체인 ‘H20’ 판매를 재개한 것도 하반기 실적에 긍정적으로 작용할 전망이다. H20에는 HBM3(4세대)가 탑재된다. 삼성전자는 지난해부터 엔비디아 H20에 HBM3를 공급하고 있는 것으로 알려졌다.

삼성전자는 연말 본격적으로 개화하는 HBM4에서는 기술 차별화를 통해 조기에 시장을 선점하겠다는 목표다. 삼성전자는 HBM4에 10나노미터 (㎚·1㎚=10억분의 1m)급 6세대(1c) D램을 선제적으로 적용하기로 했다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론은 HBM4에 전 세대인 10나노급 5세대(1b) D램을 적용한다.

삼성전자 관계자는 “1c 나노 공정의 HBM4 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 이미 출하했다”며 “내년 HBM4 수요 증가에 대비해 1c 캐파(생산능력) 투자를 지속 확대할 것”이라고 설명했다.

그간 반도체 사업의 발목을 잡았던 파운드리는 선단 공정에 집중해 고객사 확보에 사활을 건다. 최근 테슬라로부터 약 23조 원 규모의 차세대 자율주행용 칩 ‘AI6’ 생산 계약을 따내면서 반등의 발판을 마련했다. 해당 칩은 내년부터 가동되는 미국 텍사스주 테일러 공장에서 첨단 2나노 공정으로 생산된다.

내년 플래그십 스마트폰인 ‘갤럭시 S26 시리즈’에 탑재되는 모바일 애플리케이션프로세서(AP) ‘엑시노스 2600’도 2나노 공정으로 생산할 계획이다.

삼성전자 관계자는 테슬라와의 대규모 파운드리 공급 계약에 관해 “선단 공정 기술력을 입증했다”며 “이를 계기로 향후 추가적인 고객사 수주가 기대된다”고 말했다.