檢, ‘반도체 핵심기술 유출’ 삼성전자 前 직원 구속 기소

▲서울 서초구 서울중앙지방검찰청 (연합뉴스)

반도체 핵심 기술을 중국에 빼돌린 혐의로 징역 7년을 선고받은 삼성전자 전직 부장 사건과 관련해 검찰이 또 다른 공범 1명을 구속 상태로 재판에 넘겼다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 2일 삼성전자에서 중국 반도체 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤 개발비 1조6000억 원이 들어간 삼성전자의 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 취득·사용한 전모 씨를 구속 기소했다고 밝혔다.

검찰은 삼성전자 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출한 삼성전자 부장 출신 김모 씨 사건에 대한 추가 수사를 하던 중 전 씨의 범행을 포착했다. 김 씨는 지난해 1월 구속 상태로 재판에 넘겨져 올해 2월 1심에서 징역 7년을 선고받았다.

김 씨와 전 씨는 이직 과정에서 삼성전자의 공정기술을 빼돌리고 핵심인력 영입을 통해 CXMT의 D램 반도체 개발계획을 수립한 것으로 조사됐다. 또 이들은 위장 회사를 통해 CXMT에 입사하고 체포됐을 경우 단체 대화방에 암호를 전달하기로 하는 등 수사에 철저히 대비하기도 했다.

검찰 관계자는 “삼성전자 자료를 유출한 공범은 인터폴을 통해 추적 중”이라며 “앞으로도 피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응하도록 하겠다”고 밝혔다.