삼성전자, 작년 시설투자 48조...반도체 '43조6000억'

▲삼성전자 평택캠퍼스 전경. 사진제공 삼성전자

삼성전자는 지난해 48조2000억 원 규모의 시설투자를 진행했다고 27일 밝혔다. 사업별로는 반도체 43조6000억 원, 디스플레이 2조6000억 원 수준이다.

메모리는 EUV 기반 15나노 D램, V6 낸드 등 첨단공정 수요 대응을 위한 평택·시안 증설과 공정 전환, 평택 P3 라인 인프라 투자 등을 중심으로 시설투자가 진행됐다. EUV를 포함한 차세대 기술 적용을 선제적으로 확대함에 따라 메모리 투자가 전년 대비 증가했다.

파운드리는 평택 EUV 5나노 첨단공정 증설 등을 중심으로 투자가 진행됐다. 디스플레이는 중소형 모듈과 QD 디스플레이에 중점을 두고 투자했다.