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삼성 파운드리 막판 스퍼트…수주 증가세

입력 2019-12-15 11:00 수정 2019-12-15 12:57

퀄컴·래티스 반도체, 삼성에 물량 맡겨…인텔도 발주 전망

▲삼성전자 파운드리 생산공장 전경 (사진제공=삼성전자)
▲삼성전자 파운드리 생산공장 전경 (사진제공=삼성전자)

글로벌 IT 수요 회복 및 수요 대비 부족한 파운드리 캐파(CAPA·생산능력)로 인해 삼성전자의 파운드리(반도체 위탁생산) 수주도 증가하고 있다.

반도체 가격 하락 폭이 감소하고, 5G(5세대) 이동 통신이 내년부터 본격적으로 개화하면서 삼성전자의 파운드리에 물량이 몰리고, 이에 따른 매출도 증가할 것으로 전망된다.

15일 업계에 따르면 최근 퀄컴은 내년 신제품 스냅드래곤 765 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)를 삼성전자 EUV(극자외선) 7nm(나노미터) 공정으로 제조하기로 했다. 스냅드래곤 765 양산으로 분기 7000억 원 수준의 삼성전자 파운드리 부문 매출이 발생할 것으로 업계는 전망하고 있다.

스냅드래곤 765는 5G 중가 스마트폰에 탑재될 것으로 예상한다. 5G 모뎀 칩을 내장했음에도 전작인 스냅드래곤 730 대비 GPU(그래픽카드) 성능이 20% 이상 향상됐고, D램(RAM) 탑재량도 최대 12GB까지 지원하고 있다.

삼성전자는 파운드리에서 5G SOC(System on Chip)칩인 엑시노스 AP를 위해 7nm EUV 양산을 시작했다. EUV를 로직ㆍ파운드리 선단공정에 적용하면 판매 단가를 상승시킬 수 있다. 이런 경쟁요인으로 삼성전자 파운드리는 수주 증가와 함께 원가도 절감할 수 있을 것으로 기대된다. 삼성전자는 파운드리 EUV 양산 경험을 바탕으로 경쟁사 대비 빠르게 DRAM에 EUV를 적용하며 기술 격차 확대해나갈 것으로 보인다.

또 미국의 특수 FPGA(프로그램이 가능한 비메리 반도체 일종) 업체 래티스 반도체(Lattice Semiconductor Corporation)는 28nm FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정으로 제조되는 ‘크로스링크-NX’를 삼성전자 파운드리에 맡기기로 했다.

삼성전자는 올해 3월 28nm FD-SOI 공정 기반 eMRAM(내장형 MRAM) 솔루션 제품을 출하했다. 이 제품은 데이터 기록 때 삭제 과정이 필요 없고, 기존 eFlash보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 또한, 비휘발성 특성도 있어 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지한다. 고객의 설계 부담을 줄이고 생산비용을 낮출 수 있다는 점도 장점이다.

최근에는 인텔이 14nm 공정 칩세트 일부를 삼성전자 파운드리에 발주할 것이라는 전망이 나오면서 삼성전자 파운드리 사업 성장의 기대감을 끌어올리고 있다. 삼성전자의 파운드리 부문 총매출액은 2018년 4조8000억 원에서 2021년 7조7000억 원으로 크게 성장할 전망이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 4분기 삼성의 글로벌 파운드리 점유율은 17.8%를 기록할 전망이다.

파운드리 업계 1위 대만 TSMC는 4분기 점유율이 52.7%에 달할 것으로 전망된다. 최근 TSMC도 주문이 늘고 있으며 7nm 공정 리드 타임이 2개월에서 6개월로 증가했다.

업계 관계자는 “삼성전자는 위탁생산 물량 기준도 완화하며 물량이 적은 소규모 팹리스도 삼성전자 파운드리 고객사로 끌어들일 것으로 보인다”며 “특히, 7nm EUV 공정 양산이 본격화되면서 4분기에는 해당 공정의 초기 램프업(공정 최적화) 비용이 발생해 수익성이 떨어지겠지만, 내년 상반기에는 가동률이 오르며 비메모리 부문의 실적이 개선될 것으로 전망된다”고 말했다.

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