온디바이스 AI 구현에 최적화제품 두께도 15% 줄여 초슬림 플래그십 스마트폰에 적용 가능
SK하이닉스가 온디바이스(On-Device) 인공지능(AI) 시대를 겨냥한 차세대 모바일 메모리 솔루션을 공개했다. 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) 4D 낸드 플래시를 적용한 UFS 4.1 기반 제품이다. 초슬림·저전력 설계와 압도적인 AI처리 성능으로
온디바이스 AI 구현에 최적화제품 두께도 15% 줄여 초슬림 플래그십 스마트폰에 적용 가능
SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시를 적용한 모바일용 솔루션 제품인 UFS 4.1을 개발했다고 22일 밝혔다.
회사 관계자는 “모바일에서 온디바이스 AI를 안정적으로 구현하려면 탑재되는
SK그룹은 차세대 반도체ㆍ배터리ㆍ인공지능(AI) 인프라 분야에서 기술 혁신을 통해 신성장동력을 확보하고 있다.
SK하이닉스는 AI 시대에 대응하기 위한 고성능ㆍ대용량 저장장치 개발에 주력한다.
지난해 말 개발 완료한 AI 데이터센터용 고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품인 'PS1012 U.2'는 셀당 4개의 비트를 저장하는 쿼드레벨셀(QLC)
QLC 기반 61TB 제품 확보솔리다임과의 시너지 강화
SK하이닉스가 인공지능(AI) 데이터센터용 고용량 솔리드스테이트드라이브인 'PS1012 U.2'(이하 PS1012) 개발을 완료했다고 18일 밝혔다.
SK하이닉스는 "AI 시대의 본격화로 고성능 기업용 SSD(eSSD)의 수요가 급격히 늘고 있고, 이를 고용량으로 구현할 수 있는 쿼드레벨셀(QL
내년 글로벌 IT 지출 '8.3%' ↑2021년 코로나 붐 이후 최대삼성ㆍSK, 고성능 eSSD 박차
올해 폭발적으로 성장했던 생성형 인공지능(AI) 기술이 내년에도 탄탄한 성장세를 이어갈 것으로 나타났다. 이에 전 세계 정보기술(IT) 관련 매출 역시 확대될 전망이다. AI 발전에 따라 고성능 반도체 수요도 커지는 만큼, 국내 메모리 기업들의 기술
업계 최초 321단 1Tb TLC 낸드 개발… 내년 상반기 공급 예정'3-플러그’ 공정 기술 도입해 적층 한계 돌파… 이전 세대 대비 성능 및 생산성 향상
SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시의 양산을 시작했다고 21일 밝혔다.
SK하이닉스는 "2023년 6월에 직전 세대 최고
PCIe 5세대 적용, 이전 세대 대비 성능 2배, 전력 효율 30% 이상 향상고객 인증 거쳐 내년 2분기 양산데이터센터용 SSD 포트폴리오 강화… 다양한 고객 니즈에 부응
SK하이닉스가 데이터센터용 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘PEB110 E1.S’’를 개발했다고 11일 밝혔다.
SK하이닉스 관계자는 "인공지능(AI) 시대가 본격화되면서 고
삼성ㆍSK, 지난해 이어 올해도 참가낸드 포함한 다양한 AI 제품ㆍ기술 공개
삼성전자와 SK하이닉스가 다음 달 6~8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 글로벌 반도체 행사 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2024’에 참가한다. 그간 행사가 낸드 플래시 위주로 진행됐던 것과 달리 올해는 모든 메모리로 확장
업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산 성공차세대 인터페이스 적용 등으로 기술 리더십SK하이닉스ㆍ마이크론 등 낸드 적층 경쟁 심화
삼성전자가 낸드 시장에서 업계 최초로 '1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다. 인공지능(AI) 시대가 본격적으로 확장함에 따라 삼성전자는 고용량·고성능 제품을
1983년생, 2006년 SK하이닉스 장학생 출신의 기술인재'4D를 넘어…' 낸드의 혁신 이어갈 것변혁의 순간, 중요한 것은 '유연한 대응'
"현재 개발 중인 321단 4D 낸드는 압도적인 성능으로 업계의 새로운 이정표가 될 것이라 기대하고 있습니다. 그만큼 우리에게 주어진 역할이 중요한데요. 이 제품의 경우, 성능뿐 아니라 신뢰성 확보가 핵심입니다."
첫 여성 연구위원, 다양성 통한 연구 문화 혁신 기대"양산까지 고려한 낸드 선행 연구 주도할 것" "D램 업턴 시작… 올해는 낸드 업턴 차례"
"첨단기술이 집약된 반도체 연구는 무엇보다 기술력이 중요합니다. 기술 리더십을 발휘해야 하는 연구위원으로서 막중한 책임감을 느낍니다. 특히 연구 문화에 다양성을 통한 혁신을 끌어낼 수 있도록 노력하겠습니다."
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여전히 불황기를 지나는 낸드 시장이 내년에는 반등할 전망이다. 인공지능(AI) 기능을 기기에 직접 탑재하는 온디바이스가 본격화하면서 수요가 급증할 것으로 예상된다.
D램에 이어 낸드까지 살아나면 국내 반도체 기업들의 실적 개선이 본격화될 전망이다.
21일 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 4분기 낸드(eMMC/UFS) 가격이 10~15% 오르고, 내년
경계현 삼성전자 대표이사가 반도체 산업 발전에 기여한 공로로 26일 금탑 산업훈장을 수훈했다.
산업통상자원부는 이날 더케이호텔에서 열린 제16회 반도체의 날 기념식을 열고 반도체 산업 발전에 공로가 있는 82명에 대한 정부 포상을 했다.
경 대표는 세계 최초 V낸드 기술 개발을 통한 3차원 메모리 시장 창출로 연 매출 낸드 20조 원, SSD 10조
SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력"
SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D
SK하이닉스가 321단 낸드플래시 샘플을 공개했습니다. 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산하겠다는 구체적인 출사표까지 던졌는데요. 업계의 관심이 모인 건 SK하이닉스의 이번 발표가 기존 낸드의 한계를 돌파했기 때문입니다.
SK하이닉스의 이번 발표로 한동안 잠잠했던 반도체 업계의 낸드 적층 기술 경쟁에 다시 한번 불이 붙을 것으로 보입니다. 그런데
'K-반도체'가 첨단 반도체 산업의 심장부인 미국 실리콘밸리에 차세대 낸드플래시 초격차 기술을 일제히 공개했다. SK하이닉스는 세계 최초로 300단 이상의 낸드 개발을 공식화했다. 삼성전자는 업계 최고 성능의 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 선보였다.
SK하이닉스, 삼성전자는 8일 샌타클래라 컨벤션센터에서 개막한 ‘플래시
'FMS 2023'서 개발 현황 알려…300단 이상 세계 최초PCIe 5세대, UFS 4.0 등 차세대 낸드 솔루션도 소개
SK하이닉스가 세계 최고층 낸드플래시 샘플(시제품)을 공개했다.
SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래
글로벌 스마트폰 고객사와 제품 인증 진행“낸드 경쟁력으로 하반기 경영실적 반등 기대”
SK하이닉스는 238단 4D 낸드플래시 양산을 시작해 스마트폰을 생산하는 해외 고객사와 함께 제품 인증 과정을 진행하고 있다고 8일 밝혔다. 회사는 앞서 지난해 이 제품 개발에 성공했다.
SK하이닉스는 "238단 낸드를 기반으로 스마트폰과 PC용 cSSD(Clien
“반도체 공정에서는 한 사람이 모든 일을 할 수 없다. 혼자가 아닌 우리라는 SK하이닉스의 DNA를 바탕으로 현재 (반도체 업계) 위기를 기회로 만들겠다.”
고은정 SK하이닉스 미래기술연구원 차세대 공정 부사장은 19일 자사 뉴스룸을 통해 반도체 조직의 중요성 및 협업을 강조하며 이같이 말했다.
SK하이닉스에 따르면 고 부사장은 2023년 신임임원
우상향 메모리반도체 사이클 대응작년 3분기 기준 낸드 시장 3위세계 첫 '238단 4D 낸드' 개발최고속 서버용 D램 2년 후 양산
메모리반도체 시장은 글로벌 경기 침체의 직격탄을 맞았다. 회복 사이클까지 다소 시간이 걸릴 것으로 예상되는 가운데 SK하이닉스는 차세대 메모리 기술을 통해 분위기 반전에 대비한다는 전략을 밝혔다.
3일 본지 취재를 종합