삼성전자, 성능·생산성 높인 ‘3비트 V낸드’ 첫 공개

V낸드에 세계 최초 3비트 기술 적용

▲삼성전자가 업계 최초 3비트 기술을 적용한 '32단 3비트 V낸드'를 공개했다. 사진은 삼성전자가 지난 5월 양산을 시작한 '32단 3D V낸드(2비트)'. (사진제공=삼성전자)

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 세너제이 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시메모리 서밋 2014’ 행사에서 기존 평면구조 3비트 낸드플래시 제품보다 성능과 생산성이 약 두 배 뛰어난 ‘32단 3비트 V낸드’ 제품을 공개했다. 그동안 평면구조 낸드플래시에만 적용된 3비트 기술이 V낸드(3차원 수직구조 낸드플래시)에 적용된 것은 이번이 처음이다.

트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 낸드플래시는 최소 데이터 저장 단위인 셀 하나에 3비트의 데이터를 저장할 수 있다. 따라서 1비트나 2비트를 저장하는 싱글레벨셀(SLC), 멀티레벨셀(MLC) 제품보다 저장 효율이 2~3배 높다. 특히 이번에 개발한 3비트 V낸드는 셀 적층 수가 현재 주를 이루는 24단에서 32단으로 높아져 집적도 역시 30% 이상 향상됐다.

이에 따라 이번에 선보인 32단 3비트 V낸드는 기존 평면구조 3비트 낸드플래시 대비 성능과 생산성이 두 배 가까이 뛰어나고, 전력 소모량도 40%가량 줄일 수 있는 것으로 평가된다.

삼성전자는 지난해부터 셀을 수직으로 쌓는 V낸드를 유일하게 양산하고 있다. 올 5월에는 적층구조를 개선한 2세대 32단 V낸드 양산에 들어갔고 이번에는 3비트 기술을 적용한 V낸드 개발에 성공했다. 이에 업계에서는 삼성전자가 이 제품을 탑재한 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 내놓을 것으로 전망하고 있다.

플래시메모리 서밋은 삼성전자를 비롯해 델, 샌디스크, IBM 등 글로벌 정보기술(IT) 업체들이 참여하는 글로벌 행사로, 행사에서는 토론 및 제품 전시 등이 진행된다.