SK하이닉스, ‘제4회 혁신특허포상’ 실시

입력 2021-11-25 09:52

D램 성능ㆍ불량률 개선 성과 이룬 재직 연구원 금상 수상

▲(왼쪽부터) 민경현 SK하이닉스 특허담당 부사장, 차선용 D램 개발담당 부사장, D램 개발 이강설ㆍ김용미 TL, 김윤욱 지속경영담당 부사장 (사진제공=SK하이닉스)
▲(왼쪽부터) 민경현 SK하이닉스 특허담당 부사장, 차선용 D램 개발담당 부사장, D램 개발 이강설ㆍ김용미 TL, 김윤욱 지속경영담당 부사장 (사진제공=SK하이닉스)

SK하이닉스가 ‘제4회 혁신특허포상 시상식’을 개최했다고 25일 밝혔다.

시상식은 김윤욱 SK하이닉스 지속경영담당 부사장, 민경현 특허담당 부사장 등 담당 임직원들이 23일과 24일 양일간 경기도 이천ㆍ분당에서 근무하는 수상자들을 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.

SK하이닉스는 임직원들의 연구 의욕을 고취와 강한 특허를 발굴하는 데 앞장서고자, 2018년부터 매년 혁신특허포상 제도를 시행하고 있다. 이 제도는 SK하이닉스 등록 특허 중 매출 증대와 기술 문제 해결에 크게 기여한 혁신특허를 선정해 이를 발명한 재직 연구원을 포상하는 방식으로 운영된다.

이번 시상식의 최고상인 금상은 총 2건으로, D램 회로 면적을 줄이면서 리프레시(Refresh) 기능을 개선한 D램 개발 이강설, 김용미 TL과 D램 내부의 배선 간 콘택트(Contact) 저항을 낮추고 불량률을 저하시킨 미래기술연구원 김승범 TL이 수상의 주인공이 됐다.

이외에도 SK하이닉스는 낸드, CIS, P&T 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 총 10건(△금상 2건 △은상 3건 △동상 5건)의 혁신특허를 선정하고, 이를 발명한 재직 연구원 17명에게 상패와 총상금 2억4000만 원을 수여했다.

SK하이닉스는 현재 전 세계 2만 건 이상의 특허를 보유 중이며 향후에도 강한 특허를 지속해서 발굴해 글로벌 반도체 경쟁력을 강화한다는 방침이다.

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