HBM4·321단 낸드 본격화10여 고객 LTA 마무리용인 클러스터 투자 지속
SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM4)와 321단 낸드 등 차세대 제품 양산을 본격화하고 고객사 개발 일정에 맞춘 제품 공급을 강화한다. 핵심 고객과 장기공급계약(LTA)을 마무리하는 한편 생산기반 투자도 이어가며 AI 메모리 경쟁력을 강화한다는 전략이다.
SK하이닉스는 29
1분기 매출 52.6조·영업익 37.6조“HBM 수요 향후 3년 공급 캐파 상회”321단 낸드 전환·용인 클러스터 투자 가속
SK하이닉스는 인공지능(AI) 메모리 수요 확대에 힘입어 분기 기준 처음으로 매출 50조원을 돌파하며 사상 최대 실적을 기록했다. 차세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 올해 하반기 샘플 공급하고 2027년 양산에 돌입할 계획이다.
낸드플래시 업계가 2분기 글로벌 생산 감축과 주요국 정책 지원 효과로 성장세를 이어갔다. 삼성전자는 인공지능(AI) 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요 확대에 힘입어 1위를 굳혔고, SK그룹은 점유율을 20%대 초반으로 끌어올리며 사상 최대치를 기록했다.
28일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2분기 글로벌 낸드플래시 업계 매출은 전 분기 대비
현존 최고 집적도 QLC 제품 개발 완료고객 인증 마무리해 내년 상반기 출시 예정독립 동작 단위인 '플레인' 확대 적용'대용량-고성능' 동시 구현
SK하이닉스가 321단 2Tb(테라비트) QLC 낸드 플래시 제품의 개발을 완료하고 양산에 돌입한다고 25일 밝혔다. 300단 이상 낸드를 QLC 방식으로 구현한 것은 세계 최초다. 폭발하는 인공지능(AI)
2Q 매출 22조 2320억ㆍ영업익 9조2129억사상 최대 분기 실적⋯HBM3E 12단 본격화HBM 투자 확대⋯전년 대비 두 배 성장
SK하이닉스가 2분기 고대역폭메모리(HBM) 시장을 주도하며, 2개 분기 만에 또다시 사상 최대 실적을 갈아치웠다. 하반기 역시 HBM의 가파른 성장세가 예상되는 만큼 탄탄한 실적 향상이 기대된다.
SK하이닉스는 2분
매출 22조 2320억ㆍ영업이익 9조2129억모두 사상 최대 분기 실적⋯HBM3E 12단 본격
SK하이닉스가 2분기 매출액 22조2320억 원, 영업이익 9조2129억 원의 실적을 기록했다고 24일 밝혔다.
2분기 매출액과 영업이익은 모두 사상 최대 분기 실적이다. 직전 최고치였던 지난해 4분기(매출액 19조7700억 원, 영업이익 8조800억 원)
온디바이스 AI 구현에 최적화제품 두께도 15% 줄여 초슬림 플래그십 스마트폰에 적용 가능
SK하이닉스가 온디바이스(On-Device) 인공지능(AI) 시대를 겨냥한 차세대 모바일 메모리 솔루션을 공개했다. 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) 4D 낸드 플래시를 적용한 UFS 4.1 기반 제품이다. 초슬림·저전력 설계와 압도적인 AI처리 성능으로
온디바이스 AI 구현에 최적화제품 두께도 15% 줄여 초슬림 플래그십 스마트폰에 적용 가능
SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시를 적용한 모바일용 솔루션 제품인 UFS 4.1을 개발했다고 22일 밝혔다.
회사 관계자는 “모바일에서 온디바이스 AI를 안정적으로 구현하려면 탑재되는
업계 최초 321단 1Tb TLC 낸드 개발… 내년 상반기 공급 예정'3-플러그’ 공정 기술 도입해 적층 한계 돌파… 이전 세대 대비 성능 및 생산성 향상
SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시의 양산을 시작했다고 21일 밝혔다.
SK하이닉스는 "2023년 6월에 직전 세대 최고
기존 낸드 행사에서 D램 등 전 분야로 확대기조연설 통한 회사 비전 소개와 함께 AI 메모리 제품 포트폴리오 전시회사 최초 여성 연구위원 오해순 부사장, ‘기술혁신과 다양성’ 주제 발표
SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 행사에 참가해 3분기 양산 예정인 고대역폭 메모리(HBM) 5세대 제품 HBM3E 등을 공개한다.
SK하이닉스는 6~8일(미국시간)
업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산 성공차세대 인터페이스 적용 등으로 기술 리더십SK하이닉스ㆍ마이크론 등 낸드 적층 경쟁 심화
삼성전자가 낸드 시장에서 업계 최초로 '1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다. 인공지능(AI) 시대가 본격적으로 확장함에 따라 삼성전자는 고용량·고성능 제품을
지난주 출범식 개최…본격 활동인텔 출신 등 70명 이상 전문가 집합
SK하이닉스의 낸드플래시 연구개발(R&D) 조직인 ‘SK하이닉스 낸드개발 아메리카’(SK HNA)가 본격적인 활동에 나선다. 인텔 출신 인재 등 내로라하는 반도체 전문가들로 중무장한 이 조직은 차세대 기술 및 제품 개발을 전담하게 된다. 올해 온디바이스 인공지능(AI) 본격화에 따라
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 "그동안 범용 제품으로 인식됐던 메모리 반도체를 고객별 차별화된 스페셜티 제품으로 혁신해 나겠다"고 말했다.
곽 사장은 10일 SK하이닉스 창립 40주년을 맞아 진행된 특별대담에서 "(범용 제품 중심의) 과거 방식을 벗어나서 고객을 만족하게 하는 회사만이 살아남을 것"이라며 이 같은 포부를 밝혔다.
그간 메모리 반
SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력"
SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D
SK하이닉스가 321단 낸드플래시 샘플을 공개했습니다. 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산하겠다는 구체적인 출사표까지 던졌는데요. 업계의 관심이 모인 건 SK하이닉스의 이번 발표가 기존 낸드의 한계를 돌파했기 때문입니다.
SK하이닉스의 이번 발표로 한동안 잠잠했던 반도체 업계의 낸드 적층 기술 경쟁에 다시 한번 불이 붙을 것으로 보입니다. 그런데
'K-반도체'가 첨단 반도체 산업의 심장부인 미국 실리콘밸리에 차세대 낸드플래시 초격차 기술을 일제히 공개했다. SK하이닉스는 세계 최초로 300단 이상의 낸드 개발을 공식화했다. 삼성전자는 업계 최고 성능의 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 선보였다.
SK하이닉스, 삼성전자는 8일 샌타클래라 컨벤션센터에서 개막한 ‘플래시
'FMS 2023'서 개발 현황 알려…300단 이상 세계 최초PCIe 5세대, UFS 4.0 등 차세대 낸드 솔루션도 소개
SK하이닉스가 세계 최고층 낸드플래시 샘플(시제품)을 공개했다.
SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래