문승환 한국투자증권 연구원은 “AMAT는 이번 콘퍼런스콜에서 핀펫(FinFET)에서 GAA(Gate-All-Around)로의 공정 전환으로 웨이퍼 10만 장당 60억~70억 달러의 시장 성장이 예상되며, 해당 분야에서 50% 이상의 점유율을 확보할 것이라고 언급했다”고 설명했다.
그러면서 “올해 GAA 공정 전환에서의 매출은 25억 달러로 예상되며 2025년은 두 배 수준인...
기념사에서 윤 대통령은 "대한민국 발전의 역사는 과학기술인·정보통신인의 끊임없는 도전과 혁신이 일궈낸 위대한 기록"이라며 6·25 전쟁 이후인 1966년 한국과학기술원 설립, 2001년 핀펫 반도체 기술 개발 등 그간 성과를 언급한 뒤 "미래세대가 여러분의 성취를 계승하고, 과학기술을 더욱 발전시켜 나갈 수 있도록 투자와 지원을 아끼지 않겠다...
GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다. 이에 데이터 처리 속도와 전력 효율을 대폭 높일 수 있다.
삼성전자는 이번 협력으로 팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화할 계획이다. 아울러 양사는 차세대 데이터센터와 인프라...
GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다. 핀펫은 전류가 드나드는 ‘트랜지스터 게이트’와 전류가 흐르는 ‘채널’이 맞닿는 면이 3개로 돼 있는 것에 반해 GAA는 4개로 더 많다. 이에 데이터 처리 속도와 전력 효율을 대폭 높일 수 있다.
특히 3nm 이하 첨단 공정으로 갈수록 저전력의...
GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다. 최근 반도체 시장의 '게임 체인저'로 평가 받고 있다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 3나노미터(nm·10억 분의 1m) 공정에 도입한 바 있다.
삼성전자는 이번 협업은 다년간 Arm 중앙처리장치(CPU) IP를 삼성 파운드리의 다양한 공정에...
GAA는 기존 트랜지스터 구조인 핀펫의 한계를 극복할 차세대 기술로 꼽힌다. 이미 2022년 3나노 공정에서 최초로 이 기술을 도입했다.
김양팽 산업연구원 전문연구원은 “그간 삼성전자는 경쟁사보다 먼저 차세대 제품을 내놓는 등 역량을 첨단에 집중해 커왔다”며 “파운드리에서도 첨단 기술을 선도하는 전략을 유지하는 게 필요하다”고 말했다.
이어...
TSMC는 현재 3나노까지는 핀펫(FinFET) 공정을 이용하고 있고, 2나노부터 GAA 기술을 활용할 예정인데요. 삼성전자는 TSMC보다 먼저 GAA 기술을 도입한 만큼 본격적으로 GAA 기술이 활용되는 2나노부터는 승산이 있다고 보는 셈입니다.
이 2나노를 양산하는 데에도 ASML의 하이 NA가 필수적입니다. 장비 도입 여부에 따라 전 세계 반도체 기업의 생산성, 시장 선점...
GAA 기술은 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다.
업계에 따르면 퀄컴은 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 스냅드래곤8 4세대를 TSMC의 2세대 3나노(N3E) 공정을 통해서만 생산할 것으로 알려졌다. 미디어텍 역시 최신 AP 디멘시티9400 생산에 TSMC를 점찍었다. 삼성전자 관계자는 “3나노 공정 관련...
삼성전자는 2019년 업계 최초로 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM을 탑재한 제품을 양산한 바 있으며, 현재 2024년 완료를 목표로 AEC-Q100 Grade 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발 중이다.
FD-SOI는 실리콘 웨이퍼 위에 전기가 통하지 않는 절연막(SiO2)을 형성하고 그 위에 트랜지스터를 구성하는 기술이다....
주문형 반도체(ASIC) 회사인 중국 이노실리콘과 협력해 SMIC의 7나노(핀펫 N+1) 칩을 생산한다는 것이다. 이노실리콘은 SMIC의 지난 14나노·12나노 공정개발에 결정적인 공헌을 한 중국의 대표적 맞춤형 반도체 전문기업이다.
작년에도 중국반도체 시장에서는 7나노칩이 시중에 돌아다닌다는 애기가 지속적으로 흘러나왔다. 그렇게 말만 무성하다 이번 화웨이 7나노...
GAA는 3나노 공정 핀펫의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술로 꼽힌다.
경 사장은 반도체 영업적자에도 투자를 계속하는 이유에 대해 "올해 성과를 내려면 투자를 안하면 되지만 지금 (투자를) 줄이면 3년 후, 5년 후에는 먹고 살 게 없기 때문"이라고 했다.
그는 "미래를 구현하는 회사, 행복하게 일하는 회사로 만들어갈 것"이라며...
이날 정 회장은 앤 마리 홈즈(Ann-Marie Holmes) 인텔 반도체 제조그룹 공동 총괄 부사장의 안내로 ‘팹24(Fab24)’의 ‘14나노 핀펫(14FF)’ 공정을 둘러봤다.
‘핀펫(FinFET)’은 정보처리 속도와 소비전력 효율을 높이기 위해 반도체 소자를 3차원 입체구조로 만든 시스템 반도체 기술이다. 팹24에서는 이 기술을 활용해 현대자동차의 표준형 5세대 인포테인먼트...
정의선 회장은 앤 마리 홈즈(Ann-Marie Holmes) 인텔 반도체 제조그룹 공동 총괄 부사장의 안내로 ‘팹24(Fab24)’의 ‘14나노 핀펫(14FF)’ 공정 등을 둘러봤다.
팹24에서는 현대차의 표준형 5세대 인포테인먼트 시스템과 제네시스 G90, 기아 EV9의 ADAS에 탑재되는 ‘CPU(Central Process Unit, 중앙 처리 장치)’를 생산해 공급하고 있다.
정의선 회장은 올해 초 남양연구소에서...
삼성전자, TSMC(대만) 등 글로벌 기업들이 현재 쓰는 ‘핀펫(fin-fet)' 기술은 트랜지스터에서 채널과 게이트가 닿는 면적이 우ㆍ상ㆍ좌로 3곳이다.
삼성전자는 트랜지스터 성능을 더 높이기 위해 3나노(㎚ㆍ1나노=10억분의 1m) 공정부터 GAA(게이트올어라운드) 기술을 적용했다. GAA 방식은 트랜지스터의 채널 아랫면까지 게이트로 감싸 모든 면에서 전류가 흐르는 구조다....
'핀펫'(fin-fet) 기술은 트랜지스터에서 채널과 게이트가 닿는 면적이 우ㆍ상ㆍ좌로 3곳이다. 반면 GAA 기술은 채널의 아랫면까지 게이트로 감싸 모든 면에서 전류가 흐르는 구조다. 채널이 게이트에 닿는 면적을 늘려 충분한 양의 전력이 흐르도록 하는 것이다. 채널의 전류 흐름을 세밀하게 제어할 수 있어 핀펫 기술이 가지는 3나노 이하 공정의 한계를 극복할...
삼성전자는 이 기술이 핀펫(FinFET)과 게이트올어라운드(GAA)와 같은 3D 구조의 트랜지스터를 포함해 모든 구조의 트랜지스터에 널리 활용될 수 있다고 밝혔다. 기존 반도체 공정에 많이 쓰이는 물질을 이용, 큰 비용의 증가 없이 기존 반도체 기술과 접목할 수 있다고 설명했다.
GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 꼽힌다.
삼성전자에 따르면 3나노 GAA 1세대 공정이 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고, 반도체 면적을 16% 줄이는 효과가 나타났다.
반면 TSMC는 작년 12월 기존 핀펫(FinFET) 트랜지스터 구조의 3나노 양산을 공식화했다.
경 사장은 "2나노로 가면 TSMC도 GAA로 갈 텐데 그때가 되면 (TSMC와) 같게 갈 것"이라고 자신했다.
미중 갈등에 따른 영향에 대해서는 "중국 팹(공장) 투자에 대해 허락이 필요하긴 하지만 우리 전체 사업의 영향을 줄 만한 압박을 가하고 있다고 생각하지는...
이 장관은 세계 최초로 3D 반도체 기술인 ‘벌크 핀펫’을 개발한 반도체 공학 분야의 세계적 석학이다.
한덕수 총리가 85억90만 원의 재산을 신고하며 뒤를 이었다. 한 총리 재산 중 가장 큰 비중을 차지한 것은 예금으로 한 총리 본인이 32억7000만 원, 배우자가 19억 원 등 51억8000만 원을 신고했다.
다음으로는 김현숙 여성가족부 장관(45억2562만 원), 권영세...
시스템반도체 관련해서는 핀펫(FinFET) 또는 가펫(GAAFET) 구조의 16nm 또는 14nm 이하, D램(RAM) 메모리 분야는 18nm 이하, 낸드(NAND) 플래시 메모리 분야는 128단 이상을 규제 대상으로 지정했다.
이에 더해 미국 상무부 허가 없이 중국에 위치한 특정 반도체 제조 공장에서 반도체 개발 또는 생산을 지원하는 미국인의 활동도 제한했다. 상당히 광범위한 인력 통제를 동시에...