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SK하이닉스 3년만에 수출 10조 고지 재탈환

지난해 SK하이닉스가 내놓은 16나노 낸드플래시 양산, 6Gb LPDDR3 개발, 고용량 8Gb LPDDR3, 20나노급 4Gb 그래픽 DDR3, TSV기술 활용한 초고속 메모리 HBM개발 등 ‘세계 최초’ 작품들은 이 같은 투자를 바탕으로 이뤄졌다. 또 하이닉스는 SK에 편입되자마자 이탈리아 아이디어플래시, 미국 LAMD등을 인수하면서 기술 경쟁력을 강화해 나갔다. SK 관계자는...

2014-01-02 08:49
SK하이닉스, 업계 최초 TSV 기반 초고속 메모리 개발… 내년 하반기 양산

SK하이닉스는 업계 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM(High Bandwidth Memory; 초고속 메모리) 제품을 개발했다고 26일 밝혔다. 이 제품은 국제 반도체공학 표준 협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품이다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현해 초당 128GB의 데이터를 처리할 수 있다. 기존 GDDR5보다 4배...

2013-12-26 10:05
최창호 하나마이크론 대표 “브라질 반도체 시장 공략…내년 매출 3000억 달성”

아울러 이달로 예정됐던 자회사 하나머티리얼즈의 코스닥 상장을 잠정 철회에 대해선 “시장 상황상 회사 가치가 제대로 평가받기 어렵다고 판단했다”고 설명했다. 한편, 하나마이크론은 HT 마이크론을 통한 사업 진행 외 플립칩(Flip Chip), TSV(실리콘관통전극), 플렉서블(Flexible) 패키징 등 신규 사업을 추진하며 사업다각화에 나서고 있다.

2013-12-11 18:36
“강한 자만 살아 남는다”… 삼성·SK하이닉스 ‘반도체 부활의 노래’

삼성전자는 내년부터 TSV(실리콘관통전극)기술을 적용할 계획이다. TSV는 D램에 미세한 구멍을 뚫어 프로세서와 낸드 플래시메모리를 연결하는 기술이다. 칩간 물리적 거리가 가까워 시스템 속도가 획기적으로 빨라지고, 패키징 크기 35%, 전력 50%를 줄일 수 있는 장점을 갖고 있다. 또 3차원 V낸드를 내년 1분기부터 본격 양산한다. 3차원 V낸드는 수평적...

2013-11-22 10:27
삼성전자, TSV 개발 완료… 내년 선보인다

삼성전자가 차세대 패키징 기술로 각광받고 있는 실리콘관통전극(TSV) 개발을 완료하고 내년에 시장에 선보인다. 삼성전자는 25일 열린 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “TSV관련 기술은 이미 확보했고 고객 요청에 적극 대응할 예정”이라며 “하이엔드 제품에서 분명히 수요가 있고, 내년에 1~2개 모델에 채택될 것”이라고 말했다.

2013-10-25 13:24
[제2회 한일산업포럼]SK하이닉스, 글로벌 업체 제휴 ‘초고속 메모리’ 개발

P램은 낸드플래시의 일반적 읽기 및 쓰기 속도보다 100배 이상 빠르고, 내구성은 1000배 이상 좋으며 D램과 같이 낮은 전압에서 동작이 가능하다. 올초 SK하이닉스는 TSV 기술을 활용해 40나노급 2Gb DDR3 D램을 8단 적층하는 데도 성공했다. 이는 기존의 와이어 본딩 방식에 비해 동작 속도는 50%가량 향상되고 소비전력도 40% 줄어드는 특징이 있다.

2013-09-30 11:16
[이투데이-산교타임즈 특약] 23-② 일본 전자업계, 차세대 반도체 프로세스… 후면조사형 CIS 주목을

BSI형 CIS는 앞으로 파워 반도체나 LED용으로 채용될 것으로 기대되며, 특히 3차원 패키지 기술의 실리콘관통전극(TSV)이 관건이 될 것으로 보인다. 웨이퍼 접합 공정은 기존에는 매우 제한된 시장에서 적용됐다. 대표적인 것이 MEMS와 SOI 웨이퍼다. MEMS에서는 장치가 만들어지게 된 실리콘 웨이퍼와 캡 웨이퍼를 접합할 때 사용되며 현재도 웨이퍼 접합의 주요...

2013-05-29 10:33
“반도체, 미세공정 기술 확보가 중요”-NH농협증권

이 연구원은 “특히 누가 먼저 미세공정을 적용하고, 세트 제품의 성능을 획기적으로 개선시킬 수 있는 제품을 만들 수 있는가가 핵심”이라며 “이를 구현할 수 있는 기술이 EUV(Extreme Ultra Violet·극자외선)와 TSV(Through Silicon Via·실리콘 관통 전극)다”고 말했다 보고서에 따르면 EUV는 전공정 상에서 20나노 공정 이하 제품을 구현하기 위해 필수적인 노광...

2012-11-06 07:59
삼성전자, 그린 메모리 시장 지속 확대한다

삼성전자가 올해 20나노급 메모리 양산에 이어 2012년 이후 DDR4 D램, TSV D램 등 차세대 메모리 양산으로 프리미엄 그린 메모리 시장의 적극 확대를 추진한다. 삼성전자는 18일 미국 캘리포니아 하프문베이에서 글로벌 IT 기업 CIO(Chief Information Officer,최고정보관리책임자)들을 대상으로 삼성전자의 그린 메모리를 체험할 수 있는 ‘삼성 반도체 CIO...

2011-08-19 11:00
삼성전자, 3D-TSV 기술 적용 32GB D램 모듈 개발

삼성전자가 업계 처음으로 '3D-TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통전극)' 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32GB(기가바이트) D램 모듈을 개발했다고 17일 밝혔다. '3D-TSV' 기술은 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도체 패키징 기법이다....

2011-08-17 11:00
하이닉스, TSV 기술로 세계 최대용량 16기가 D램 개발

하이닉스반도체는 9일 TSV(Through Silicon Via, 관통 전극) 기술을 활용해 40나노급 2기가비트 DDR3 D램의 8단 적층에 성공했다고 밝혔다. 단일 패키지에서 고용량 16기가비트를 구현하게 된 것은 이번이 처음이다. 현재의 와이어 본딩(Wire bonding) 기술로 16기가비트 D램의 단일 패키지 제작이 불가능하다. 20나노 초반급 공정기술을 적용한 4기가비트 D램이...

2011-03-09 12:03
해외서 대박낸 락앤락에게 물어보니

2008년 8월에는 TSV에서 12만5000세트를 판매하는 대기록을 세웠다. 락앤락은 해외 생활용품 업계로부터 끊임없는 ‘Sold out’ 신화를 탄생시키는 브랜드로 통한다. 2004년 3월 독일 QVC 홈쇼핑에서도 역시, 생방송 중 분당 466세트 판매 기록과 함께 방송 6회 만에 전량 판매기록을 세웠고, 5월 TSV에서는 1일 4만세트이상 판매 대기록을 달성했다. 중국...

2011-02-18 11:33
삼성전자, 그린메모리 주도할 D램 모듈 개발

삼성전자가 세계 최초로 3D-TSV(Through Silicon Via)를 적용한 8기가바이트(GB) DDR3 DRAM을 개발했다. 3D-TSV 기술은 실리콘 웨이퍼를 수십 마이크로미터 두께로 얇게 만든 칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 최첨단 패키징 기법이다. 삼성전자는 이번 기술 개발을 통해 기존 제품에 비해 2~4배 큰 대용량을 구현할...

2010-12-07 11:22
하이닉스, 웨이퍼 레벨 패키지서 ‘적층 기술’ 개발

하이닉스반도체는 세계 최초로 관통 전극(TSV, Through Silicon Via) 기술을 활용해 웨이퍼 레벨 패키지 (WLP, Wafer Level Package)를 2단으로 적층하는 기술을 개발했다고 7일 밝혔다. 웨이퍼 레벨 패키지 기술이란 웨이퍼 가공 후 하나씩 칩을 잘라내 패키징하던 기존 방식과 달리, 웨이퍼 상태에서 한번에 패키지 공정 및 테스트를 진행한 후 칩을 절단해 간단히 완제품을...

2010-03-07 09:00
반도체 집적기술 고층화 대세

이같은 문제점들을 극복하기 위해 반도체 기판 재료인 실리콘에 수직으로 관통하는 전극을 형성, 고층 건물의 엘리베이터와 같은 신호전달 경로를 제공하는 TSV(Through Silicon Via) 기술이 제안된 것이다. TSV 기술은 회로 집적도, 동작 속도, 전력소모 및 제조 비용 등에 있어서 매우 큰 개선 효과가 기대된다. 실제로 IBM과 인텔에서 다중 프로세서 코어를 가진...

2010-01-10 12:00

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