삼성전자, 세계 최초 20나노급 D램 양산

입력 2011-09-22 07:57

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삼성전자가 세계 반도체 업계 최초로 20나노급(nm) D램 반도체 양산에 들어간다.

삼성전자는 이달부터 경기도 화성 16라인에서 20나노급(1나노미터는 10억분의 1미터) D램 반도체 양산에 들어간다고 22일 밝혔다.

기술은 일본·대만 등의 업체와 6개월 이상 기술격차를 벌이는 계기를 마련했다. 20나노급 반도체는 삼성전자의 기존 주력제품인 30나노급 반도체보다 원가 경쟁력을 40% 이상 높인다. 반도체 회로선 폭이 가늘어져 반도체 재료(웨이퍼)를 가공해 얻는 반도체 칩의 양도 늘어난다.

양산 기념식은 이날 이건희 삼성전자 회장이 참석한 가운데 경기도 기흥·화성 반도체 사업장에서 열린다.

화성 16라인은 작년 5월부터 건설해 최근 완공한 반도체 공장이다. 생산은 PC용 D램 반도체·스마트폰 등 모바일 기기용 낸드 플래시 반도체 등을 함께 한다.

삼성 관계자는 "이 회장이 반도체 사업 전반에 대한 보고를 받고 이번 반도체 불황기에 대한 적극적인 대응도 주문할 것으로 보인다"고 말했다.


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