송재혁 삼성전자 CTO “中 CXMT 4F² D램 기술, 우리도 개발 중”

송재혁, 4F² 개발 여부에 "그렇다" 답변
CXMT 추격 우려 속 삼성·SK 기술 경쟁 가열

▲송재혁(왼쪽) 삼성전자 최고기술책임자(CTO·사장)과 이준석 개혁신당 의원(오른쪽)이 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제28회 반도체대전(SEDEX 2026)에서 삼성전자 부스를 둘러보고 있다. 손희정 기자sonhj1220@

중국 최대 반도체 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 D램 기술을 앞세워 추격 속도를 높이는 가운데 삼성전자도 같은 기술을 개발 중이라고 밝혔다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘반도체대전(SEDEX) 2026’ 현장에서 CXMT가 추진 중인 4F²(포에프스퀘어) D램 기술을 삼성전자도 개발하고 있느냐는 질문에 “개발 중”이라고 답했다.

구체적인 개발 단계에 대해서는 “열심히 하고 있다”며 말을 아꼈다.

4F²는 D램 셀 면적을 줄여 집적도를 높이는 차세대 기술이다. 현재 주로 쓰이는 6F² 구조보다 셀 하나가 차지하는 면적을 이론상 약 33% 줄일 수 있어 같은 공간에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. D램 미세화가 한계에 가까워지면서 주요 메모리 업체들이 연구해온 차세대 구조 중 하나다.

업계의 관심은 CXMT의 추격 속도에 쏠린다. CXMT는 차세대 4F² 셀 구조와 하이브리드 본딩 기술 등을 적용한 DDR5 RDIMM 제품을 연말까지 출시하겠다는 계획을 발표한 바 있다.

업계에서는 중국 업체가 차세대 D램 기술을 전면에 내세우면서 국내 메모리 기업과의 기술 격차를 좁힐 것이라는 우려가 커졌다. 삼성전자와 SK하이닉스도 관련 기술을 연구해왔지만 아직 4F²를 적용한 양산 제품은 내놓지 않은 상태로 알려졌다.

이날 삼성전자와 SK하이닉스는 SEDEX 2026에서 AI 메모리 기술을 전면에 내세웠다. 삼성전자는 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E와 연산 기능을 통합한 LPDDR-PIM, 3차원 메모리 아키텍처 기반 zHBM, 온디바이스 AI용 z낸드-O 등을 선보였다.

SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)와 고대역폭플래시(HBF), D램 등 AI 서버용 메모리 제품군을 소개했다. AI 가속기 성능이 높아질수록 메모리 대역폭과 전력 효율, 집적도 개선이 중요해지는 만큼 양사의 경쟁축도 HBM을 넘어 차세대 D램·낸드 구조로 확대되고 있다.