中 "2030년 반도체 산업망 난관 돌파 추진…고밀도 메모리 발전"

▲중국 국기 이미지. (게티이미지뱅크)

글로벌 반도체 경쟁이 치열해지는 가운데 중국이 2030년까지 고밀도 메모리 등 전체 반도체 산업망을 발전시키겠다는 목표를 제시했다.

중국 공업정보화부와 국가발전개혁위원회는 15일(현지시간) 이러한 내용을 담은 '전자정보 제조업 발전 관련 제15차 5개년 계획(2026∼2030년)'을 공개했다.

해당 계획은 2030년까지의 중점 임무로 '산업 기초능력 공고화'를 꼽으면서 "집적회로 전체 산업망의 난관 돌파를 추진해야 한다"고 밝혔다. 이어 "고성능 프로세서, 고밀도 메모리 등 첨단 반도체 제품을 발전시켜야 한다. 집적회로 제조 수준을 높이고 성숙 공정을 정밀·세밀하게 하는 한편 첨단 공정 능력을 제고해야 한다"고 전했다. 또한 "첨단 패키징·테스트 기술을 개발·사용해야 한다"고 말한 데 이어 반도체 설계자동화(EDA) 등에 대해서도 언급했다. 백과사전 바이두바이커를 보면 고밀도 메모리는 일반적으로 D램을 가리키며, 고대역폭메모리(HBM)도 포함된다.

지금까지 세계 메모리 시장은 삼성전자·SK하이닉스가 주도해왔지만, AI붐에 따른 메모리 수요 급증 속에 창신메모리(CXMT)·양쯔메모리(YMTC) 등이 도전장을 내민 가운데 이러한 계획이 공개된 것이다. 계획은 '첨단 컴퓨팅 생태 시스템 구축'과 관련해서도 HBM과 고대역폭 낸드플래시(HBF) 등 차세대 메모리 제품 연구개발(R&D)을 강조했다.

또 'AI 하드웨어 기반 구축'과 관련해서는 "AI 칩과 완제품 간 시너지를 강화해야 한다"고 밝혔고, 소비자용 전자제품에 들어가는 인쇄회로 기판(PCB) 발전도 언급했다. 자주 혁신 역량의 전면적 강화와 관련해서는 "집적회로와 신형 배터리 등 중점 영역의 '특허 풀'을 만들고 지식재산권의 교차 라이선싱 및 공유를 촉진해야 한다"고 짚기도 했다.

계획은 "전자정보 제조업은 규모가 크고 산업망이 길며 혁신이 광범위하다"며 "국민경제의 기둥 산업"이라고 밝혔다. 그러면서 2030년까지 전자정보 제조업의 고품질 발전에 뚜렷한 성과를 거둬 세계 산업 구도에서 중요한 역할을 하겠다"고 제시했다. 이어 일정 규모 이상 기업의 매출 합계 30조위안(약 6000조원)을 돌파하고, 매출 대비 연구개발(R&D) 비율을 3.5%로 끌어올리겠다는 목표를 내놨다.