삼성, 차세대 3D메모리 ‘zHBM’ 공개...“X·Y축 한계 넘어 Z 개척”

삼성, 차세대 3D메모리 ‘zHBM’ 공개...“X·Y축 한계 넘어 Z 개척”

▲FI삼성 로고. 로이터연합뉴스

삼성전자가 AI 반도체 성능과 전력 효율 개선을 위해 AI 칩 상단에 메모리를 수직으로 쌓는 차세대 아키텍처를 공개했다.

4일(현지시간) 로이터통신에 따르면 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 미국 캘리포니아주 샌타클래라컨벤션센터에서 열린 메모리 행사 ‘FMS 2026’에서 진행한 기조발표를 통해 3차원(3D) 아키텍처 ‘zHBM’을 공개했다.

zHBM은 AI 프로세서 옆에 나란히 고대역폭메모리(HBM)를 연결하는 기존 방식에서 벗어나 AI 프로세서 위에 수직으로 HBM을 직접 적층하는 아키텍처다. 수직으로 적층해 데이터 이동 거리를 줄임으로써 대역폭을 높이고 에너지 효율도 개선할 수 있다는 게 삼성 측의 설명이다. 이에 가로·세로(X·Y축)의 2차원에서 벗어나 3차원인 높이(Z축)를 활용했다는 의미에서 앞에 ‘z’를 붙였다.

zHBM은 HBM의 차세대 제품인 HBM5와 비교해 그래픽처리장치(GPU)당 성능이 최대 8배 향상되고, 전력 대비 성능도 최대 3배 개선된다. 특히 차세대 웨이퍼 본딩 기술을 통해 zHBM이 HBM5보다 10배 이상의 메모리 밀도를 달성하고 발열 제어 측면에서도 열 저항 수치가 HBM5 대비 10∼25% 수준으로 낮아져 열 저항을 절반 이상 떨어뜨릴 수 있다는 게 회사 측의 설명이다.

삼성전자는 이날 기기내장형(온디바이스) AI 환경에 최적화한 차세대 낸드 설루션 ‘z낸드-O’(zNAND-O)를 선보였으며, 400단 이상을 수직 적층한 10세대 V낸드 ‘V10 BV-낸드’도 업계 최초로 공개했다.