'국가 기술' 빼돌려 중국서 D램 최초개발⋯前삼성전자 임직원 구속기소

"삼성전자 매출 추정 감소액만 5조 원…향후 피해액 수십 조"

▲ 서울 서초구 대검찰청 앞 국기게양대에 검찰 깃발이 펄럭이고 있다. (연합뉴스)

삼성전자의 기술을 빼돌려 중국 반도체 회사에서 D램 생산을 주도한 혐의를 받는 전직 삼성전자 임직원 3명이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 1일 삼성전자 임원 출신 양모 씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속 기소했다고 밝혔다.

이들은 삼성전자에서 중국 D램 반도체 회사 청신메모리반도체(CXMT)로 이직한 뒤 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가핵심기술을 부정 사용해 중국에서 D램을 개발한 혐의를 받는다.

해당 국가핵심기술은 삼성전자가 1조6000억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정 기술이다. D램을 제조하는 수백 단계의 공정 정보가 그대로 기재된 핵심 정보라는 게 검찰 설명이다.

검찰은 삼성전자의 국가핵심기술 유출 정황을 발견하고 직접 수사에 착수해 지난해 1월 삼성전자 부장 출신 김모 씨, 올해 5월 삼성전자 연구원 출신 전모 씨 등 2명을 구속 기소했다. 김 씨는 1심에서 기술 유출 역대 최고 형량인 징역 7년을 선고받았다.

이날 재판에 넘겨진 양 씨 등 3명은 CXMT에서 이른바 '2기 개발팀'이었다. 1기 개발팀에서 이미 빼돌린 삼성전자의 기술을 전달받아 제조 테스트를 진행한 이들은 2023년 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했다. CXMT로부터 받은 연봉은 각각 4~6년간 15억 원~30억 원이라고 한다.

검찰 관계자는 "이번 사건으로 인한 삼성전자의 손해는 2024년 추정 매출 감소액만 5조 원에 이르며, 향후 피해액도 최소 수십조 원에 달할 것으로 예상된다"며 "피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응하겠다"고 강조했다.