삼성전자 "맞춤형 HBM이 AGI 시대 여는 교두보…16단 HBM4도 계획"

입력 2024-04-18 14:36

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▲김경륜 삼성전자 상품기획실 상무 (자료제공=삼성전자)
▲김경륜 삼성전자 상품기획실 상무 (자료제공=삼성전자)

삼성전자가 맞춤형 고대역폭메모리(HBM)로 인공지능(AI) 시대에 적극적으로 대응한다.

삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문에서 HBM을 담당하는 김경륜 상품기획실 상무와 윤재윤 D램개발실 상무는 18일 삼성전자 뉴스룸 인터뷰에서 이같은 전략을 발표했다.

김 상무는 "맞춤형 HBM은 프로레서, 메모리가 공동 최적화를 수행하는 첫 단추이자, AGI 시대를 여는 교두보라고 할 수 있다"며 "삼성전자는 메모리, 파운드리, 시스템LSI, AVP 등 종합 역량을 활용해 대응해 나가겠다. 차세대 HBM 전담팀도 구성했다"고 설명했다.

이어 그는 "플랫폼화를 통해 공용 설계 부분을 극대화하고, 생태계 파트너 확대로 효율적으로 맞춤화 요구에 대응할 수 있는 체계를 만들 것"이라고 덧붙였다.

▲윤재윤 삼성전자 D램개발실 상무 (자료제공=삼성전자)
▲윤재윤 삼성전자 D램개발실 상무 (자료제공=삼성전자)

삼성전자는 앞서 2월 업계 최초로 36GB 용량을 구현한 12단 HBM3E(5세대 HBM)개발에 성공했다.

이에 대해 윤 상무는 "속도와 용량 측면에서 세계 최고 사양을 갖춘 제품"이라며 "HBM의 열 관리가 중요한데 '첨단 열압착 비전도성 접착 필름'(TC-NCF) 기술은 열 방출 측면에서 독보적인 경쟁력을 갖췄다"고 소개했다.

이어 "HBM의 열 저항은 칩 간격의 영향을 주로 받는데, 칩 사이에 적용되는 NCF 소재의 두께를 낮추고 열압착 기술을 통해 칩 간격을 줄이는 동시에 고단 적층에서의 칩 제어 기술을 고도화했다"고 말했다.

삼성전자는 16단 HBM4(6세대)도 내년 개발 완료를 목표로 준비하고 있다고 했다.

윤 상무는 "고온 열 특성에 최적화된 NCF 조립 기술과 최첨단 공정 기술을 통해 HBM4에 16H 기술까지 도입할 계획"이라며 "검증된 기술력과 축적된 노하우, 그리고 다양한 고객과의 파트너십을 적극 활용해 AI 시대에 걸맞은 최고의 솔루션을 지속 선보이고, 시장을 주도해 나가겠다"고 강조했다.

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