기존 48nm 넘어 42nm 구현…VLSI 최고 논문 선정V낸드·HBM 이어 로직도 수직 적층 시대AI 반도체 전력효율 두 배·성능 100% 향상 기대'포스트 GAA' 경쟁 본격화…차세대 구조 선점 나선 삼성전자
삼성전자가 업계 최소 크기의 수직 적층 트랜지스터를 세계 최초로 구현하며 차세대 AI 반도체 경쟁에서 기술 주도권 확보에 나섰다. 메모리 반도체
기존 18A보다 성능 9% 향상·전력 소모 18% 감소파운드리 강자 TSMC 독주 제동 총력애플 칩 수주설 속 고객 확보 여부가 최대 관건
인텔이 차세대 반도체 공정인 ‘18A-P’의 ‘시험양산(Risk Production·위험 생산)’에 돌입했다. 수년간의 공정 개발 지연과 수율 문제를 극복하고 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 재도약에 나선 것이다. 시장
한국반도체학술대회 상임운영위원회는 ‘2026년 강대원 상’ 수상자로 회로·시스템 분야에 박홍준 포스텍 교수를, 소자·공정 분야에 김선정 삼성전자 상무를 각각 선정했다고 28일 밝혔다.
시상식은 이날 강원도 하이원그랜드호텔에서 한국반도체산업협회 · 한국반도체연구조합 · DB하이텍이 공동으로 주관, 개최하는 ‘제33회 한국반도체학술대회(KCS 2026)’ 개
글로벌 기술 패권 경쟁 속 반도체의 가치는 ‘핵무기’와 동급으로 불립니다. 국가 안보 핵심 자산이자 국력과 직결된 전략 산업이죠. 첨단 반도체 기술의 지배력은 글로벌 기술 패권과 군사 안보의 핵심으로 통합니다. 미국과 중국이 자국의 반도체 산업을 전폭적으로 지원하는 배경으로도 꼽히죠. 이렇듯 중요한 반도체는 명실상부한 한국 대표 수출 산업입니다. 삼성전자와
큐에스아이가 삼성의 지원을 받은 경북대와 공동으로 극저온 차세대 반도체 전자 소자 개발 소식에 상승세다. 향후 관련 기술을 발전시켜 사업 확대를 할 수 있다는 기대감이 반영된 것으로 해석된다.
18일 오전 11시 12분 현재 큐에스아이는 전일 대비 970원(12.44%) 오른 8700원에 거래됐다.
이날 경북대학교 전자공학부 김대현 교수팀은 극저온(
제조 난이도 높은 HBM4, 프리미엄 최대 40% 전망SK하이닉스, 기술 경쟁력으로 차세대 시장 주도 기대30년 이끌 차세대 D램 기술도 발표
6세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4’ 상용화를 앞두고 글로벌 반도체 업계의 경쟁이 본격화되는 가운데, SK하이닉스가 기술 우위를 바탕으로 해당 시장에서도 주도권을 이어갈 것이란 전망이 나온다. HBM4는
IEEE VLSI 심포지엄 2025 참가일본서 8~12일 개최차선용 CTO 직접 기조연설
SK하이닉스가 ‘IEEE VLSI 심포지엄 2025’에서 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표하며 지속 가능한 혁신 방향성을 제시했다.
IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로와 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회로 매
삼성전자가 미국에 3차원(3D) D램 개발을 담당할 연구개발(R&D) 조직을 만들고 기술 경쟁력 확보에 나섰다.
28일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 3D D램 개발 연구를 담당할 조직 'R&D-Dram Path Finding'(D램 패스 파인딩)을 신설했다.
현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히
최시영 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부 사장이 세계적인 반도체 학회 행사에서 삼성의 파운드리 기술경쟁력에 강한 자신감을 보였다.
최 사장은 16일 온라인으로 열린 ‘VLSI 심포지엄’에서 팬데믹의 도전, 기술이 답하다’라는 주제로 기조연설에 나섰다.
그는 “삼성의 파운드리 비전은 기술 경쟁력을 기반으로 고객들에게 공정·설계 유연성을 제공하
삼성전자는 '2006 VLSI 심포지엄'에서 4년 연속 최다 논문 채택을 달성해 세계 최고의 반도체 기술력을 다시 한번 입증했다고 19일 밝혔다.
VLSI 학회는 매년 6월 미국 하와이와 일본 교토에서 교대로 개최되며, 삼성/인텔/NEC/IBM/도시바 등 세계 유수의 반도체 업체들이 참여하는 세계적 권위의 반도체 관련 학회다.
이번 학회에서는