NH투자증권은 7일 한미반도체에 대해 ‘인공지능에는 HBM이 필수’라며 ‘매수’를 추천했다. 목표주가는 기존 1만5000원에서 1만8000원으로 높여 잡았다.
도현우 NH투자증권 연구원은 “목표주가 상향 근거는 2024년 이후 이익 추정치 상향”이라며 “올해 하반기부터 본격화될 HBM3 탑재로 인한 본딩 장비 매출 증가 및 내년 하이브리드 본딩 관련
“과거 방법으로는 현재 당면한 기술 난제를 해결하기에 한계가 있음을 모두가 인지하고 있습니다. 그 어느 때보다 소재·부품·장비사와의 유기적인 협력이 필요한 때입니다.”
이정배 삼성전자 메모리사업부장(한국반도체산업협회장)은 26일 ‘제23회 반도체대전(SEDEX)' 기조연설자로 나서 이같이 강조했다. 이 사장은 '반도체, 포스트 코로나의 미래를 그리다'
차세대 ‘뉴로모픽 반도체 기술’ 제시하버드대와 공동연구… 세계적 학술지 네이처 일렉트로닉스 게재
삼성전자와 미국 하버드 대학교 연구진이 차세대 인공지능 반도체 기술인 뉴로모픽 (Neuromorphic) 칩에 대한 미래 비전을 제시했다.
삼성전자는 함돈희 삼성전자 종합기술원 펠로우 겸 하버드대 교수, 박홍근 하버드대 교수, 황성우 삼성SDS사장, 김기
인텔, 여러 통로 통해 패키징 기술력 강조 삼성ㆍSK하이닉스도 기술 고도화 혈안 TSMCㆍ인텔 해외에 후공정 생산기지 증설 계획 후공정 업계 "낙수 효과 기대"
반도체 후공정 중 하나인 패키징 기술이 격화하는 글로벌 반도체 경쟁 속 핵심 전장(戰場)이 됐다. 국내ㆍ외 주요 반도체 기업들은 자체 후공정 기술 구현을 위한 공장과 연구시설 등을 짓는가 하
SK하이닉스가 초고속 D램 시장에서 주도권을 놓치지 않기 위한 기술 개발에 열중하고 있다. 지난해 하반기 차세대 고대역폭 메모리 신제품 양산을 시작한 데 이어, 차기 제품의 일부 예상 사양도 공개했다.
13일 이투데이 취재결과 최근 업데이트된 SK하이닉스의 HBM(High Bandwidth Memory) 2E 제품 소개 상세페이지엔 HBM3에 대한 일
차세대 DDR5 D램 시장이 본격적으로 문을 열었다. 서버 고객사들의 재고 축적 기간에 맞춰 메모리 반도체업체도 신제품을 내놓으며 기술 경쟁에 돌입했다.
교체 수요가 느는 동시에, 기존 제품보다 단가가 높다는 점에서 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 업체들에도 긍정적으로 작용할 것으로 전망된다.
25일 삼성전자는 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공
삼성전자가 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(High-K Metal GateㆍHKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB(기가바이트) DDR5 메모리 모듈을 개발했다.
DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능을 갖췄다. 향후 데이터 전송속도는 7200Mbps까지 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의
파운드리 업계에서 첨단 패키징 기술인 '3D 후공정'(패키징)이 새로운 경쟁 영역으로 떠오르고 있다. 업계 1, 2위인 대만 TSMC와 삼성전자는 앞다퉈 기술 상용화에 공을 들이고 있다.
패키징은 반도체 칩을 탑재시킬 기기에 맞는 형태로 만드는 기술 및 공정을 뜻한다.
반도체 후공정은 기술 난도가 높지 않고, 과정이 단순해 OSAT(외주 반도체
진교영 한국반도체산업협회 회장은 “신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 솔루션이 ‘K-방역’이었던 것처럼, 포스트 코로나 시대의 솔루션은 ‘K-반도체’가 될 것”이라며 반도체 분야에 대한 지원 확대를 촉구했다.
진 회장은 29일 오후 3시 서울 삼성동 코엑스에서 개최된 제13회 반도체의 날 기념식 개회사에서 “올해 국내 반도체 산업은 코로나19가 불
삼성전자가 업계 최초로 7나노 EUV(극자외선) 공정에 3차원(3D) 적층 패키지 기술을 도입했다.
삼성전자는 7나노 EUV 시스템반도체에 3D 적층 패키지 기술인 'X-Cube(eXtended-Cube)'를 적용한 테스트칩 생산에 성공했다고 13일 밝혔다.
이로써 삼성전자는 최첨단 EUV 초미세 전공정뿐 아니라 후공정에서도 첨단 기술 경쟁력을
SK하이닉스는 초고속 D램인 ‘HBM2E’의 본격 양산에 들어갔다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 HBM2E 개발 이후 10개월 만에 이룬 성과다.
SK하이닉스의 HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품으로, 1024개의 정보출입구를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다.
풀HD급 영화(
삼성전자가 차세대 D램을 출시하며 반도체 초격차를 이어간다.
삼성전자는 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 기반 초고속 데이터 분석에 활용될 수 있는 초고속 D램 '플래시볼트(Flashbolt)'를 출시했다고 4일 밝혔다.
'플래시볼트'는 16기가바이트(GB) 용량의 3세대 HBM2E(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memo
삼성전자는 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 기반 초고속 데이터 분석에 활용될 수 있는 초고속 D램 '플래시볼트(Flashbolt)'를 출시했다고 4일 밝혔다.
'플래시볼트'는 16기가바이트(GB) 용량의 3세대 HBM2E(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory 2 Extended) D램이다. 기존 2세대 대비 속도와 용량
삼성전자가 최첨단 반도체 패키징 기술인 ‘12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)’ 기술을 최초로 개발했다고 7일 발표했다. 곧 이 기술을 적용한 업계 최대 용량의 24GB급 대용량 고대역폭 메모리(HBM) 제품의 양산에 들어갈 예정이다.
기존에는 D램 칩을 쌓을 때 와이어로 연결하지만, 새 기술은 칩에 머리카락 굵기 20분의 1 수준인 미세 전
삼성전자가 반도체 패키징 기술에서도 초격차를 이어간다.
삼성잔자는 업계 최초로 '12단 3D-TSV(3차원 실리콘 관통전극)' 기술을 개발했다고 7일 밝혔다.
'12단 3D-TSV'는 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의 1수준인 수 마이크로미터 직경의 전자 이동 통로(TSV) 6만
SK하이닉스가 대내외적 불확실성이 높은 상황에서도 머신러닝, AI(인공지능) 등 미래 핵심 산업에 적용되는 메모리 반도체 신제품 개발에 성공했다.
SK하이닉스는 HBM2E D램을 개발했다고 12일 밝혔다.
SK하이닉스가 세계 최초로 출시했던 HBM(고대역폭메모리) D램은 3차원 적층 기술인 TSV(실리콘관통적극)를 활용해 D램을 수직으로
SK하이닉스는 HBM2E D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.
HBM(고대역폭메모리)은 3차원 적층 기술인 TSV(실리콘관통적극)를 활용해 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품이다.
HBM D램의 차세대 제품인 HBM2E는 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.
1024개의 정보 출입구(I/O)를
글로벌 생활용품 기업 락앤락이 독일 최대 홈쇼핑 채널, QVC에 텀블러를 대규모 수주했다.
7일 락앤락은 지난해 말 독일 QVC에서 텀블러 2만4000개를 시범 판매한 결과, 품질과 디자인 면에서 호평을 얻어 완판 되는 성과를 거뒀다고 밝혔다. 이에 따라 ‘오늘의 특선 상품(Today’s Special Value∙TSV)’에 선정, 올 하반기