삼성전자가 올해 20나노급 메모리 양산에 이어 2012년 이후 DDR4 D램, TSV D램 등 차세대 메모리 양산으로 프리미엄 그린 메모리 시장의 적극 확대를 추진한다.
삼성전자는 18일 미국 캘리포니아 하프문베이에서 글로벌 IT 기업 CIO(Chief Information Officer,최고정보관리책임자)들을 대상으로 삼성전자의 그린 메모리를 체험할
삼성전자가 업계 처음으로 '3D-TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통전극)' 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32GB(기가바이트) D램 모듈을 개발했다고 17일 밝혔다.
'3D-TSV' 기술은 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도
삼성전자는 20나노급 낸드플래시 기반의 'SATA 3.0' 인터페이스 적용 512GB SSD제품 본격 양산에 나섰다고 11일 밝혔다.
삼성전자는 초박형 고성능 노트북에 'SATA 3.0' 방식의 고속 SSD 탑재를 확대하려는 고객사들의 수요 증대에 발 맞춰 SATA 3.0 512GB SSD를 공급하기 시작했다. 올해 말까지 주요 고객의 SATA 2.
재계는 미국을 중심으로 한 글로벌 금융위기가 국내 산업계에 미칠 영향에 대해 촉각을 곤두세우고 있다. 그룹 총수들도 직접 계열사 사장단에 직접 보고를 받는 등 대응책 마련에 분주하다.
삼성은 10일 오전 삼성 서초사옥에서 열린 수요사장단회의에서 글로벌 금융위기에 대한 대응책을 논의한 후 ‘조급히 대응하기 보다 평상심을 갖고 지켜본다’는 입장을 정리했다
미국의 신용등급 강등으로 우리나라 산업계에도 비상이 걸렸다. 사상 초유의 사태가 심각한 경기회복세 둔화로 이어질 경우 우리나라의 대미 수출을 비롯한 산업계 전반에 큰 영향이 미칠 전망이다.
한국무역협회 국제무역연구원은 7일 '미국 신용등급 하락이 우리 수출에 미치는 영향'을 통해 미국의 신용등급 하락으로 향후 미 기업들의 자금조달 비용이 상승하고 금융
삼성전자 LCD 사업이 2분기 연속 2000억원대 적자를 기록했다. 반면 스마트폰과 반도체 사업이 호조를 보여 3조7500억원의 영업이익을 올릴 수 있었다.
매출과 이익 모두 전분기보다 개선되는 등 침체된 글로벌 시장상황에서 비교적‘선방’했다는 평가다. 특히 지난해 2분기 이후 4분기 만에 영업이익이 반등했다.
특히 반도체 부문은 매출 9조16
세계 메모리반도체 시장을 주도하는 삼성전자와 하이닉스가 최근 불황에도 불구하고 투자를 지속할 계획이다. 삼성전자는 당초 계획보다 투자를 늘릴 수도 있다는 입장이다.
최지성 삼성전자 부회장은 지난 25일 서울 팔래스호텔에서 열린 ‘R&D 성과공유 투자 협약식’이 끝난 뒤 기자들과 만나 메모리 반도체 분야 투자 계획을 묻는 질문에 “하반기에 투자를 줄
하이닉스반도체가 올 2분기 영업이익 4470억원을 올리며 선전했다. 영업이익률도 전분기 대비 4%포인트 오른 16%를 기록했다.
하이닉스반도체는 21일 연결기준 매출 2조7580억·영업익 4470억을 기록한 2분기 실적을 발표했다.
2분기 달러 기준 매출은 증가했으나 적용환율 하락에 따라 전 분기 2조7930억 원 대비 1% 감소했다. 영업이
5일 증시에서는 IT와 통신업종의 주가 추이에 관심이 모아지고 있다.
중소기업중앙회는 제4이동통신사 설립을 검토한다고 밝히면서 SKT, KT, LGU+ 등 기존 이동통신사 주가에 어떤 영향을 미칠 것인지 관심이 쏠린다.
특히 박재완 기획 재정부 장관, 케이블 뉴스에 출연해 제4이동통신사업자 인가 빠르게 추진할 것이라고 밝히면서 관련주가 힘을 받을
삼성전자가 풀(Full) HD급 영상 촬영에 적합한 메모리카드를 선보인다.
삼성전자는 20나노급 3비트(bit) 낸드플래시를 기반으로 32기가바이트(GB) 마이크로SD(micro SD) 메모리카드 양산에 6월부터 돌입했다고 30일 밝혔다.
이 마이크로 SD 메모리카드는 쓰기 속도 12MB/s · 읽기 속도 24MB/s를 지원한다. 기존에
삼성전자가 세계 최고 성능·최대 용량의 서버용 D램 모듈 양산에 들어갔다.
삼성전자는 31일 30나노급 4Gb(기가비트) 더블 데이터 레이트 3(DDR3·Double Data Rate 3) D램 기반의 32GB(기가바이트) DDR3 서버용 모듈을 이 달부터 공급하기 시작했다고 밝혔다.
1나노(nm)는 10억 분의 1미터(m)로 나노공정은 반
삼성전자, 세계 최고 속도 낸드플래시 양산
업계 최초 Toggle DDR 2.0 방식...범용 낸드 대비 10배 빠른 400Mbps 데이터 처리 속도
삼성전자가 현재까지 출시된 낸드플래시 제품 중 가장 빠른 데이터 처리 속도를 내는 차세대 고속 낸드플래시를 양산한다.
삼성전자는 12일 업계 최초로 초고속 낸드플래시 규격인 토글(Toggle
추호의 의심없이 곧 시세가 터져버릴 폭등이 임박한 종목을 발굴했다!!! 5월중순 이후 화려한 비상이 이제 얼마 남지않은 이 종목은 극비정보망을 가지고 있는 자만이 알수있는 재료 보유주로서, 절대 놓치면 안 된다. 청취 후 반드시 물량확보 할 수 밖에 없다는 것을 분명 느낄 것이다. .
향후 수익률 면에 있어서 타의 추종을 불허할 종목임을 확신한다!
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“급등포착”의 급
권오현 삼성전자 반도체 총괄 사장은 4일 서울 서초동 삼성전자 본관에서 열린 수요 사장단 회의에서 "엘피다가 20나노 급 D램을 7월 달에 양산한다고 발표했으니 기달려 보자"며 "엘피다는 40나노급 D램에서 2009년 개발했다고 발표했지만 시장에서 찾아보기 어렵고 30나노도 출하 발표이후 시장에서 찾을 수 없다"고 말했다.
권 사장은 "연구소에서 시제
삼성전자 반도체 부문은 시스템LSI의 선전에 힘입어 매출성장세를 이어갔다.
전체 반도체 부문은 1분기 연결기준으로 매출 9조1800억원을 기록하며 전년 동기 대비 12% 증가했다. 시스템LSI에서만 2조3200억원 매출을 기록했다. 영업이익은 전분기 대비 3200억원(5.9% 감소) 줄어든 1조6400억원을 기록했다.
시스템LSI는 전년 동기
삼성전자 반도체 사업부 권오현 사장과 하이닉스 권오철 사장이 세계 반도체 시장의 역사를 새로 쓰고 있다. 두 수장은 조선시대 권문세도가 안동 권(權)씨 가문의 후손이면서 서울대 동문이기도 하다. 오랜 해외생활로 체득한 글로벌 경영감각을 통해 삼성전자와 하이닉스를 세계 최고 수준의 반도체 회사로 이끈 점도 대동하다.
그러나 권오현 사장이 해외
권오철 하이닉스 사장이 30일 이천 본사에서 열린 주주총회에서 “고부가가치 제품 중심으로 포트폴리오를 다변화, 논(non) PC제품 비중이 지난해 63%까지 늘었다”고 밝혔다.
그는 “올해 20나노 낸드 플래시와 D램을 개발할 예정”이라며 “메모리 반도체 시장은 상반기 약세를 벗어나 하반기로 가면서 수급여건이 개선되고 중장기적으로 메모리 수요 전망은
권오철 하이닉스반도체 사장은 30일 경기 이천공장에서 열린 주주총회에서 “현재 30나노급 D램 양산에 돌입했다”며 “하반기 20나노급 개발을 완료할 예정이다”고 밝혔다.
이어 권 사장은 “낸드플래시 분야도 작년 26나노 개발을 완료했다”며 “금년 하반기 20나노 낸드플래시를 개발하겠다”고 말했다.