SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 본격 착공

용인시 1기 팹 건축 허가 승인
2027년 준공 목표로 본격 팹 착공
소부장 50여 곳과 반도체 생태계 조성

▲ SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 건설 현장 (사진-SK하이닉스 뉴스룸)

SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 건설되는 1기 팹(fab·반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다.

25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 SK하이닉스는 이달 21일 용인시의 건축 허가 승인에 따라 용인 반도체 클러스터 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다.

용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡ (약 126만 평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만 평, 소재‧부품‧장비(소부장) 업체 협력화 단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다.

SK하이닉스는 이곳에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이다.

SK하이닉스 용인캠퍼스는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요를 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 방침이다. 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 높이는 역할도 할 예정이다.