AI 메모리 전 영역 공략…'종합반도체' 강점 부각HBM부터 SSD·패키징까지…원스톱 솔루션 경쟁력 강화설계부터 생산·패키징까지 End-to-End 서비스 제공
삼성전자가 차세대 3D 메모리(zHBMㆍzNAND-O)를 공개한 것은 단순히 신제품을 선보인 차원을 넘어 AI 메모리 전 영역을 아우르는 '풀라인업' 전략을 본격화했다는 의미가 크다. 고대역폭메모
삼성전자가 차세대 AI 반도체 시대를 겨냥한 새로운 메모리 아키텍처를 공개하며 기술 주도권 확보에 나섰다. 기존 고대역폭메모리(HBM)의 한계를 넘어서는 차세대 3차원(3D) 메모리와 400단 이상 낸드플래시를 처음 공개하며 AI 메모리 시장 선점 의지를 드러냈다.
삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 'FMS(
국내 증시가 장 개장 전부터 AI와 바이오 관련 종목 등으로 투자자들의 관심이 쏠리고 있다.
5일 금융투자업계에 따르면 이날 장 시작 전 네이버페이증권 실시간 검색 상위권에는 삼성전자, SK하이닉스, 네이버, 삼성전기, 현대차 등이 잇따라 이름을 올렸다.
전날 국내 증시를 이끄는 반도체 투톱 삼성전자와 SK하이닉스는 장중 극심한 변동성을 딛고 막판 반
삼성, 차세대 3D메모리 ‘zHBM’ 공개...“X·Y축 한계 넘어 Z 개척”
삼성전자가 AI 반도체 성능과 전력 효율 개선을 위해 AI 칩 상단에 메모리를 수직으로 쌓는 차세대 아키텍처를 공개했다.
4일(현지시간) 로이터통신에 따르면 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 미국 캘리포니아주 샌타클래라컨벤션센터에서 열린 메모리 행사 ‘FMS 2026’에서