삼성-美 마이크론, 차세대 반도체 공동 개발키로

소비전력 70% 이상 절약 가능한 차세대 저전력 메모리 반도체 개발

삼성전자가 미국 반도체 기업인 마이크론과 함께 차세대 메모리 반도체를 개발한다.

삼성전자는 최근 마이크론사와 저전력 반도체 메모리인 ‘하이브리드 메모리 큐브(HMC)’ 공동 개발을 위한 컨소시엄을 맺었다고 7일 밝혔다.

하이브리드 메모리 큐브는 D램을 입체적으로 쌓아 자료 처리 능력을 높이는 기술이다. 특히 기존 반도체보다 성능이 향상되는 것은 물론 소비전력도 70% 이상, 신호 지연 현상은 60% 이상 줄일 수 있다.

삼성전자 측은 HMC가 현재 주력 D램 반도체인 DDR3를 대체할 유력한 차세대 메모리 중 하나로 꼽힌다고 설명했다.

삼성전자 관계자는 “현재는 DDR3과 DDR4에 주력할 방침”이라며 “추후 개발 상황을 보며 다른 반도체 업체들과도 협력 방안을 모색할 것”이라고 말했다.