삼성전자, 차세대 고속 낸드플래시 내년부터 양산

삼성전자가 차세대 낸드플래시 기술 개발에 박차를 가하며 시장을 앞서나갈 전망이다. 개발한 기술의 세계 표준 등록도 추진해 삼성전자의 기술이 곧 세계 표준 기술이 될 것으로 보인다.

삼성전자는 22일 스마트폰, 메모리카드, SSD(Solid State Drive) 등에 탑재할 차세대 고속 낸드플래시 기술을 개발해 플래시 메모리 시장을 선점할 계획을 밝혔다.

개발 중인 낸드플래시는 기존 범용 낸드플래시보다 최대 10배 빨라진 400Mbps(Megabit per Second) 속도로 데이터 처리가 가능하다고 회사는 설명했다.

또한 이 기술의 세계표준화도 추진한다. 삼성전자는 낸드플래시의 인터페이스 규격인 '토글(Toggle) DDR(Double Data Rate) 2.0'이 시장 표준으로 자리잡을 수 있도록 세계반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 등록을 진행 중이다.

지난 6월 JEDEC에 낸드플래시 표준으로 'Toggle DDR 2.0'을 제안하고 내년 초까지 등록을 완료할 계획이다. 일본의 도시바도 'Toggle DDR 2.0'의 표준화 작업에 참여키로 했다.

'Toggle DDR 2.0' 방식의 낸드플래시는 내년부터 본격 양산에 들어갈 예정이다. 삼성전자는 지난해 'Toggle DDR 1.0' 방식의 30나노급 32기가비트(Gb) 고속 낸드플래시를 세계 최초로 양산하기 시작한 바 있다.

'Toggle DDR 2.0' 방식의 낸드플래시는 기존 SDR(Single Data Rate) 방식의 범용 낸드플래시의 데이터 처리속도 40Mbps에 비해서는 10배, 133Mbps인 'Toggle DDR 1.0' 방식 고속 낸드플래시에 비해서는 3배 빠르다.

이를 SATA2(Serial Advanced Technology Attachment 2) SSD에 탑재할 경우 현재보다 읽기, 쓰기 속도를 두 배로 높일 수 있다.

삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 전동수 부사장은 "삼성전자는 지난해 11월 30나노급 고속 낸드플래시를 최초로 양산하는 등 고성능 낸드플래시 시장 성장을 주도해왔다"며 "앞으로 고속 낸드플래시는 4세대 스마트폰, 태블릿 PC, SSD 등 여러 제품에 탑재되는 등 수요가 크게 증가해 낸드플래시 시장을 성장을 이끌 것"이라고 말했다.