하이닉스, 20나노급 낸드 64기가비트 개발

3분기 양산 계획…생산라인도 2배 확장

▲하이닉스가 개발한 20나노급 64기가비트(Gb)제품

하이닉스반도체가 D램에 비해 뒤쳐져 있던 낸드플래시 분야에서도 기술경쟁력을 확보했다. 하이닉스반도체는 20나노급 64기가비트(Gb)제품 개발에 성공했다고 9일 밝혔다.

이번 20나노급 64기가비트 제품 개발은 지난해 8월, 30나노급 기술을 적용한 32 기가비트 낸드플래시 제품에 이은 것이다.

하이닉스는 20나노급 64기가비트 제품은 올해 3분기부터 양산할 계획이다. 하이닉스는 이 제품을 기반으로 향후 64기가바이트(GB) 메모리 용량 시대가 앞당겨질 것으로 기대하고 있다. 64기가바이트 메모리는 MP3 음악파일 16,000곡, DVD 영화 40편, 단행본 440만권, 일간신문 400년치에 해당하는 방대한 정보를 저장할 수 있는 용량이다.

하이닉스 연구소장인 박성욱 부사장은 “통신기술에 사용되는 ‘노이즈 제거’ 기술을 개발해 조만간 적용하면, 낸드플래시 공정 미세화의 한계를 20나노급 이하까지 확장해 10나노급 낸드플래시 생산도 가능하다”고 설명했다. 또 “이 제품은 새로운 공정의 채용을 최소화해 30나노급 제품 대비 2배 가까운 생산성 향상으로 업계 최고 수준의 원가 경쟁력도 확보할 수 있게 됐다”고 덧붙였다.

시장에서는 하이닉스의 이번 20나노급 낸드플래시 개발을 지난해 메모리 시장이 성장함에 따라 하이닉스가 기술 개발에 한결 여유가 있어졌다는 것으로 이해하고 있다.

교보증권 구자우 연구원은 “향후 모바일 시장의 확대로 낸드플래시에 대한 수요가 커지게 될 것인데, 이는 D램 업체들도 낸드플래시에 적극적으로 나서야 한다는 것을 의미한다”면서 “하이닉스는 올해 낸드플래시 라인을 증설할 계획으로 이 분야에 본격적으로 전열을 가다듬은 것으로 볼 수 있다”고 말했다.

실제로 하이닉스는 30나노급에 이어 20나노급을 개발해 원가 및 기술경쟁력을 갖춤에 따라 낸드플래시 전용인 청주공장의 생산능력을 두 배로 확장시켜 시장점유율을 확대해 나갈 계획이다. 이를 위해 올해 약 7000억원의 현금 투자를 포함해 약 1조원의 설비 투자를 청주 공장에 집행할 계획이다.