“美 규제 속 中공장 손보는 삼성ㆍSK하닉⋯고성능 낸드 생산 추진”

삼성 시안공장, 내년 286단 V9 낸드 전환 추진
SK하이닉스 다롄공장, 240단 이상 생산 목표
“미국 정부와 긴밀히 협의해 업그레이드 진행”
중국 YMTC 추격에 맞불

▲14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전'을 찾은 참관객들이 삼성전자 부스에 전시된 HBM(고대역폭메모리)을 살펴보고 있다. 고성준 기자 joonko1@

삼성전자와 SK하이닉스가 중국 공장을 업그레이드해 고성능의 낸드플래시 메모리 생산을 추진한다. AI 데이터센터 수요가 급증하는 가운데 중국 경쟁사 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 빠르게 점유율을 높이자 현지 시장 방어에 나선 것으로 풀이된다. 다만 미국의 수출 규제가 장비 반입과 기술 고도화의 변수로 남아 있다.

21일 로이터통신은 계획을 잘 아는 관계자들을 인용해 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 공장에서 지금보다 더 높은 성능의 낸드플래시를 생산하려 한다고 보도했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터를 저장하는 메모리 반도체로 스마트폰과 PC, AI 데이터센터용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등에 쓰인다. 적층 단수가 높아지면 저장 밀도가 높아지고 비용은 낮아진다.

삼성전자는 중국 서북부 시안 공장에서 현재 약 200단 낸드를 생산하고 있다. 삼성은 내부적으로 ‘모나미’라고 부르는 프로젝트를 통해 이 공장을 286단 V9 낸드 생산라인으로 전환할 계획이다. 한 관계자는 286단 낸드 월 웨이퍼 생산량을 올해 12월 5000장에서 시작해 2027년 12월 4만 장으로 늘리는 것을 목표로 하고 있다고 전했다. 시안 공장은 삼성의 글로벌 낸드 생산량 가운데 약 40%를 차지한다.

삼성전자는 로이터에 미국 정부와 긴밀히 협의해 공장 업그레이드를 진행하고 있다고 밝혔다. 또 수출 규정을 준수하고 있으며 생산능력을 확대하거나 새 제조시설을 짓는 것은 아니라고 설명했다.

SK하이닉스는 중국 동북부 다롄 공장에서 현재 192단 제품을 만들고 있으며 240단 이상 제품으로 전환하는 방안을 추진 중이라고 관계자들은 전했다. 회사는 미국 정부와 협의하며 다롄 공장에 장비를 설치하고 있다고 밝혔다. 관계자 한 명은 SK하이닉스가 다롄에서 240단까지 생산할 수 있는 허가를 받았으며 향후 미국 내 생산 가능성에 대한 기반을 다지고자 300단 이상 제품의 연구개발(R&D) 허가를 요청할 가능성도 있다고 말했다.

미국은 2022년 이후 중국의 기술 발전을 늦추기 위해 반도체 제조장비 수출 통제를 강화했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 중국 공장에 미국산 식각장비 등을 반입하려면 해마다 허가를 받아야 한다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 중국 내 기존 공장 가동은 허가하되 생산능력 확대나 기술 업그레이드는 허가하지 않겠다는 방침을 밝힌 바 있다. 로이터는 두 회사가 업그레이드에 필요한 수출 허가를 얼마나 확보했는지는 확인하지 못했다고 전했다.

중국 시장에서는 YMTC의 성장세가 두드러졌다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 YMTC의 중국 낸드 시장 점유율은 올해 2분기 38.5%로, 2025년 연간 점유율 28%에서 상승하며 삼성을 앞질렀다. 같은 기간 삼성의 점유율은 36%에서 33.5%로, SK하이닉스는 20%에서 17%로 각각 하락했다. YMTC는 주로 160단과 232단 제품을 생산하고 있으며, 294단 제품도 소량 생산하는 것으로 알려졌다. 삼성전자는 중국 이외 지역에서 최대 286단 낸드를 판매하고 있으며 8월에는 400단 이상 시제품을 공개했다. SK하이닉스의 현재 최고 사양 제품은 321단이다.